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公开(公告)号:CN100427434C
公开(公告)日:2008-10-22
申请号:CN200610011551.3
申请日:2006-03-24
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/622 , C04B33/28 , C04B38/00
Abstract: 本发明涉及一种制备气孔梯度陶瓷的方法,属于陶瓷材料制造技术。其特征在于首先在陶瓷粉体和分散剂中加入去离子水,利用球磨方法制备浆料,同时在固化有机物中加入去离子水,利用超声分散或球磨方法制备浆料;浆料经过真空静态混合器中快速混合注入所设计的模具,经固化成型、干燥、烧结,制得性能良好的气孔梯度陶瓷材料。本制备方法中所述陶瓷粉体为氧化铝粉、SiC粉或Si3N4粉中的任何一种,所述分散剂为柠檬酸铵或四甲基氢氧化铵,所述固化有机物为淀粉、改性淀粉以及其它具有原位可控固化性质的有机物中的任何一种或几种。本制备方法易操作、自动化程度高、所制备的气孔梯度陶瓷气孔率和气孔大小容易控制,易于实现工业化连续生产。
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公开(公告)号:CN101182193A
公开(公告)日:2008-05-21
申请号:CN200710178148.4
申请日:2007-11-27
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/10 , C04B35/622
Abstract: 一种原位自增韧氧化铝陶瓷的制备方法,其包括以下具体步骤:工艺为:纳米铝粉及高纯氧化铝粉为初始原料,混合均匀;将混合后的浆料干燥、研磨成粉体;获得的粉体成形为坯体;将坯体直接在普通的空气烧结炉中烧结,得到陶瓷材料。优点在于,可以制备出具有原位生长长柱状、板状晶的氧化铝陶瓷;这种工艺既有望保留传统纤维和晶须明显的增韧补强效果,同时将直接解决纤维、晶须以及碳纳米管在使用工艺上带来的困难。还具备不需要添加SiO2、TiO2、La2O3、CAS(CaO-Al2O3-SiO2)等无定型态的助剂,最终的氧化铝产品只含有单一的氧化铝相,具有高密度、高纯度和高韧性的优点。
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公开(公告)号:CN101066885A
公开(公告)日:2007-11-07
申请号:CN200710099623.9
申请日:2007-05-25
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了属于陶瓷材料制备技术领域的一种利用胶态成型工艺制备轻质、高强度陶瓷材料方法。具体工艺步骤包括:以特殊的有机单体、溶剂、引发剂或螯合剂以及陶瓷粉体为原料体系,制备出超低固相含量的悬浮体,采用单体凝胶聚合或高分子交联的方式原位固化制得陶瓷坯体:经过干燥、排胶和无压高温烧结得到轻质、高强度陶瓷材料。本发明通过改变悬浮体固相含量、烧结条件、粉体粒径,实现对材料最终气孔率、气孔尺寸的控制。本发明工艺条件易于实现,适用材料体系范围广,工艺简单、成本低廉、有机物含量低,符合环保要求,所生产的超轻质、高强度陶瓷材料适用于作为过滤器、催化剂载体、生物陶瓷、航天轻质结构部件等多种用途。
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公开(公告)号:CN1322594C
公开(公告)日:2007-06-20
申请号:CN200310117093.8
申请日:2003-12-09
Applicant: 清华大学
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了属于太阳能电池材料制备范围的一种薄膜太阳能电池衬底制备工艺。将Si和SiC粉混合,通过烧结,使硅熔融将SiC粘合成型,制成表面平整致密的薄片,在上面可以沉积高质量的多晶硅薄膜。避免了常规陶瓷衬底需要的高温烧结过程,既利于形成大晶粒高质量的多晶硅薄膜,又可以有效的避免在冷却过程中的开裂问题;进一步的降低薄膜电池的成本,为多晶硅薄膜太阳能电池的产业化打下坚实的基础。
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公开(公告)号:CN1252000C
公开(公告)日:2006-04-19
申请号:CN200410039113.9
申请日:2004-02-06
Applicant: 清华大学
IPC: C04B41/85 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了属于陶瓷成型技术范围,利用降解坯体中的有机物以保证陶瓷坯体在排胶过程中不开裂的一种凝胶注模成型陶瓷坯体排胶液相预处理方法。是将凝胶注模成型的陶瓷坯体在排胶前放入以过硫酸铵或过硫酸钾水溶液中,进行液相预处理,在过氧化物作用下发生降解反应,即发生高聚物断链降解凝胶注模成型陶瓷坯体中的高聚物,使坯体中的高聚物发生部分降解,网状大分子断链成为小分子,同时坯体的内应力得以释放。处理后的坯体经过热脱脂排胶后完整不开裂,且内部无缺陷。本发明工艺简单,成本低廉,适合工业化生产。
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公开(公告)号:CN1709824A
公开(公告)日:2005-12-21
申请号:CN200510035304.2
申请日:2005-06-21
Applicant: 清华大学深圳研究生院
IPC: C04B35/10 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及制备高纯致密MgAlON陶瓷的方法及高纯致密MgAlON陶瓷,其方法以MgO、Al2O3及AlN为原料,球磨成混合粉料,采用放电等离子烧结技术,通过适当的烧结工艺制备出具有一定化学组成的高纯致密MgAlON陶瓷。它实现了传统方法难以实现的高纯高致密MgAlON陶瓷的快速高效制备,能够在较低温度下,超快速制备出高纯或单相的致密的MgAlON陶瓷。制得的高纯致密MgAlON陶瓷中MgAlON相的含量为95~100%,相对密度为92~99%,体积密度为3.4~3.8g/cm3,可广泛应用于耐火材料及高技术陶瓷领域。
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公开(公告)号:CN1709823A
公开(公告)日:2005-12-21
申请号:CN200510035301.9
申请日:2005-06-21
Applicant: 清华大学深圳研究生院
IPC: C04B35/10 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及透明MgAlON陶瓷的制备方法及透明MgAlON陶瓷,它以高纯含镁化合物、含铝化合物及AlN为原料,采用放电等离子烧结技术,经反应烧结直接制备出一定组成和规格的透明MgAlON陶瓷。本方法工艺简单、高效。所制备的透明MgAlON陶瓷N元素的质量百分含量为0.5~5%,可见光波段透过率60~80%,在3.0~5.0μm红外波段透过率为60~85%,可广泛应用于各种高温窗口及国防科技等领域中的各种透波部件。
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公开(公告)号:CN1189426C
公开(公告)日:2005-02-16
申请号:CN02125213.0
申请日:2002-07-17
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/632
Abstract: 本发明公开了属于陶瓷片材料的制备领域。以水作为流延工艺中的溶剂,加入陶瓷粉体,以丙烯酸酯类乳胶为粘结剂并加入适量的一种或两种增塑剂、成膜助剂,经搅拌、球磨、混合均匀,配成浆料在流延机上流延加工。本发明提出的流延工艺很容易实现,不仅浆料固体含量高、流延后干燥速度快、流延片强度高、韧性好等优点;而且适用范围广,可用于多种氧化物陶瓷和非氧化物陶瓷的流延成膜。
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公开(公告)号:CN1557769A
公开(公告)日:2004-12-29
申请号:CN200410039112.4
申请日:2004-02-06
Applicant: 清华大学
IPC: C04B33/28
Abstract: 本发明公开了属于陶瓷成型技术的一种利用加入阻聚剂以保证浆料在抽真空时不会固化的凝胶注模成型陶瓷浆料真空除气泡的新方法。在浆料中加入引发剂、催化剂和以吩噻嗪和邻苯二酚复合使用作为阻聚剂,搅拌均匀后,抽真空除气10-15分钟除气泡,得到流动性良好且基本无气泡的浆料,可直接用于注模。加入的阻聚剂延长浆料固化所需的时间,从而保证真空除气有足够的操作时间,同时适当的加入量又保证了后续工艺中浆料的顺利固化。
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公开(公告)号:CN1547263A
公开(公告)日:2004-11-17
申请号:CN200310117093.8
申请日:2003-12-09
Applicant: 清华大学
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了属于太阳能电池材料制备范围的一种薄膜太阳能电池衬底制备工艺。将Si和SiC粉混合,通过烧结,使硅熔融将SiC粘合成型,制成表面平整致密的薄片,在上面可以沉积高质量的多晶硅薄膜。避免了常规陶瓷衬底需要的高温烧结过程,既利于形成大晶粒高质量的多晶硅薄膜,又可以有效的避免在冷却过程中的开裂问题;进一步的降低薄膜电池的成本,为多晶硅薄膜太阳能电池的产业化打下坚实的基础。
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