颈椎间盘假体、植入器械、颈椎间盘假体与植入器械组合装置及颈椎植入物植入颈椎的方法

    公开(公告)号:CN105266928A

    公开(公告)日:2016-01-27

    申请号:CN201510631812.0

    申请日:2015-09-29

    Abstract: 本发明涉及颈椎肩盘假体、植入器械、由颈椎肩盘假体与植入器械组成的装置及颈椎植入物植入颈椎的方法。所述装置包括颈椎肩盘假体和植入器械,所述颈椎间盘假体由上终板、髓核和下终板组成,上终板和髓核形成球窝关节,髓核和下终板过盈配合为柱筒嵌合结构;植入器械由夹持杆、套筒、旋转把手和止动销组成,夹持杆空套在套筒内,止动销防止夹持杆和套筒之间发生相对转动,旋转螺接在夹持杆末端的旋转把手促使夹持杆与末端嵌入在旋转把手嵌合槽内的套筒产生相对轴向运动,夹持杆的轴向运动时套筒挤压夹持杆的夹持头,通过夹持头的张合实现对假体放松与夹紧。

    人工颈椎间盘
    64.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102727329B

    公开(公告)日:2015-01-07

    申请号:CN201210217748.8

    申请日:2012-06-28

    CPC classification number: A61F2/44 A61F2002/30001

    Abstract: 本发明涉及一种人工颈椎间盘,包括:上底板、下底板和设于二者间的髓核,髓核由相互扣接在一起的带凸柱的上髓核和供所述凸柱嵌套的弧形燕尾槽的下髓核构成;上底板与上髓核配合,绕冠状轴旋转,模拟颈椎间盘的前屈后伸机能,允许上底板和上髓核发生前、后方向相对微平移;上髓核与下髓核配合,既可绕上髓核自身凸柱的旋转轴旋转,又可绕下髓核的弧形燕尾槽的旋转轨迹公转;下髓核与下底板配合,绕矢状轴旋转,承担左、右侧弯的运动机能,允许下底板和下髓核发生左、右方向相对微平移。该颈椎间盘假体允许其不同构件彼此相互运动,且运动过程中的旋转中心与颈椎节段生理运动的旋转中心相符合,以最大限度地恢复颈椎的自然生理状态。

    无线传输扭矩值的螺丝刀
    67.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102205527B

    公开(公告)日:2013-04-03

    申请号:CN201110142120.1

    申请日:2011-05-30

    Abstract: 本发明涉及一种无线传输扭矩值的螺丝刀。所述螺丝刀的刀头与手柄的结合部内置有对固紧器械进行扭矩数据采集的扭矩传感器,所述扭矩传感器将信号送信号处理电路,该信号处理电路集成了供电单元、DCDC变换单元、对接收扭矩传感器频率信号进行标度变换、控制显示和发送功能的第一CPU单元、接收并发送该扭矩信号的蓝牙无线发送模块,以及显示所述扭矩信号的数码管;所述螺丝刀本体外部的PC机上安装有与所述螺丝刀进行无线通讯的蓝牙无线接收模块,无线发送与接收模块之间传送扭矩传感器检测的扭矩信号,扭矩信号数据在PC机上实现扭矩螺丝刀工作状态实时自动记录。

    运动损伤护理用相变蓄能材料

    公开(公告)号:CN101455856B

    公开(公告)日:2012-07-25

    申请号:CN200810241704.2

    申请日:2008-12-26

    Abstract: 本发明提供了一种运动损伤护理用相变蓄能材料,其按重量份数计算包含:聚合物水凝胶1-10份,微胶囊化相变材料1份。本发明提供的相变蓄能材料系将微胶囊化相变材料与高聚物水凝胶相结合在一起而制备,既具有高聚物的柔软和缓慢释冷/热的特性,又兼具相变材料的储冷/热量大、使用时间长、使用温度可以精确控制的优点。

    烷基芳香族磺酸铁的制备方法

    公开(公告)号:CN101066941B

    公开(公告)日:2010-09-29

    申请号:CN200610156892.X

    申请日:2006-11-17

    Abstract: 一种烷基芳香族磺酸铁的制备方法,其是用无水三氯化铁或六水合三氯化铁和烷基芳香族磺酸在乙醇溶液中回流反应,然后在高温、减压条件下脱除溶剂和氯化氢气体,生成粗品,经乙醚洗涤除去多余的对甲苯磺酸,再经甲醇和乙腈的混合溶剂进行重结晶提纯制得烷基芳香族磺酸铁;或采用无水三氯化铁或六水合三氯化铁和长链烷基苯磺酸钠或长链烷基磺酸钠在水中反应一段时间,利用长链烷基苯磺酸铁和长链烷基磺酸铁在水中的不溶解性质,使得此反应向右进行。在水中析出的产物经过滤、清洗后烘干生成粗品,再经甲醇和乙腈的混合溶剂进行重结晶提纯得到长链烷基苯磺酸铁或长链烷基磺酸铁。本发明原材料成本低,产品纯度高、含水量低,能满足电子行业特殊要求。

    高比容阴极箔的制备方法

    公开(公告)号:CN101093751B

    公开(公告)日:2010-05-19

    申请号:CN200610156891.5

    申请日:2006-11-17

    Abstract: 一种高比容阴极箔的制备方法,其特征在于:选择光箔作为基材,先在其表面采用化成处理,使之在铝箔表面形成一层致密的、均匀的、具有单向导电性的氧化铝层,然后再采用磁控溅射方法在其表面形成一层钛金属膜。铝箔表面经过蒸镀处理后,还可再进行高温处理,使钛金属表面形成一层钝化膜。本发明由于提前对铝表面进行阳极氧化,与蒸镀金属直接接触的就是在氧化气氛下稳定的氧化铝层,对蒸镀金属的附着力无影响。在空气中进行高温炭化时,不会影响产品的阻抗和容量,大大简化了高比容固体电容的制备难度。另外,在磁控溅射过程中,通过连续地调节氮气浓度,可使铝箔表面金属钛成分呈梯度下降,氮化钛成分呈梯度增长,进一步提高了溅射层的稳定性。

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