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公开(公告)号：CN103366050B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201310258118.X
申请日：2013-06-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种高速电主轴力-热耦合建模方法，包括：分别获取轴承与主轴待结合的表面、以及主轴与轴承待结合的表面的工程参数，并利用分形接触理论以及赫兹接触理论计算轴承与主轴之间结合面的刚度和热传递系数与接触压力和接触间隙的映射模型，根据轴承的结构参数和材料参数并使用轴承力学模型和轴承热学模型获得轴承负载和温度与刚度、轴承外圈接触热阻、轴承内圈接触热阻和发热功率之间的映射模型，计算主轴的电机热源，计算主轴各表面散热系数，根据主轴的结构和上述结果构建有限元模型，读取主轴的运行参数，用有限元模型对运行参数进行处理。本方法能降低现有方法中结合面所引起误差、模型结合面及轴承力学和热学参数不更新导致的误差。
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公开(公告)号：CN105140164A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510536974.6
申请日：2015-08-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/68 , H01L21/673
CPC classification number: H01L21/68 , H01L21/673
Abstract: 本发明公开了一种基于LED芯片扫描的旋转中心标定方法，具体包括以下步骤：步骤一，芯片扫描，获取同一次装夹后不同旋转角度下的两组扫描坐标数据；步骤二，扫描数据预处理，去除两组数据中仅被识别一次的芯片坐标；步骤三，获取初步旋转中心；步骤四，以旋转中心为参考，规划两个的区域A、B，旋转前其芯片序列为PA、PB，旋转后为P′A、P′B；步骤五，求PAP′A，PBP′B的垂直平分线的交点序列，计算交点序列坐标X，Y的平均值，得到精确的旋转中心。本方法主要适用于芯片制造过程中对芯片定位平台旋转中心的精确标定，采用芯片扫描数据进行旋转中心的计算，能快速，准确的对芯片定位平台的旋转中心进行标定。
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公开(公告)号：CN104848969A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510262690.2
申请日：2015-05-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01L1/00
Abstract: 本发明公开了一种基于有限测试点的构件残余应力场的预测方法，包括：1、结构离散化；2、单元节点进行分类，建立位移形函数矩阵、单元应力函数矩阵，然后求解单元矩阵；3、根据单元矩阵，建立应力形质点残余应力向量列阵、整体节点载荷列阵、求解整体矩阵；4、根据整体矩阵的秩确定实验测试点个数、分布及测试；5、根据所测残余应力实验结果，作为残余应力边界条件，求得所有应力形质点残余应力；6、根据应力形质点残余应力和单元应力函数矩阵，求解到非应力形质点残余应力，从而可得构件的残余应力场。本发明可精确预测构件的残余应力，而且不受构件材料结构形状的限制，尤其在未知构件制造工艺以及复杂构件残余应力预测具有明显优势。
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公开(公告)号：CN103068136B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201210533905.6
申请日：2012-12-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: H05H1/00
Abstract: 本发明公开了一种放电等离子体电子密度测量装置及方法。装置包括探测光源、二象限探测器和信号处理器。将探测光源与二象限探测器分别放置在两个旋转平移台上，分置于放电装置的两端，使探测光源的激光对准二象限探测器的中心；重复多次将探测光源与二象限探测器在同一个维度上移动相同的距离，记录放电时不同位置二象限探测器两个光敏面的响应幅值比；再由信号处理器根据两个光敏面的响应幅值比计算出该维度上放电等离子体电子密度分布。本发明克服了传统测量装置系统结构复杂、设备昂贵的缺点，同时能够有效的提高测量精度，并且对放电等离子体不造成干扰，得到放电等离子体电子密度的空间分布。
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公开(公告)号：CN103752164B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201410019357.4
申请日：2014-01-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种石灰石—石膏湿法烟气脱硫装置，属于电站锅炉、工业锅炉或窑炉的烟气脱硫装置，解决现有烟气脱硫装置中存在的石灰石溶解度小的问题。本发明包括引风机、烟气换热器、吸收塔、浆液循环泵、氧化池、氧化风机、石灰石浆液罐、石灰石浆液泵、石灰石粉仓、石膏排出泵、石膏旋流器、皮带脱水机、滤液水箱和滤液水泵。本发明借助富氧燃烧所产生的高浓度CO2烟气对石灰石浆液进行活化，石灰石浆液溶解速率加快，溶解度增加，脱硫效率提高，液气比降低，水的用量减小，达到了节能减排的效果；并且不会产生二次污染，具有良好的经济和环境效益。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104711001A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201510127280.7
申请日：2015-03-23
Applicant: 华中科技大学
IPC: C10C5/00
Abstract: 本发明公开了一种木醋液蒸气冷凝脱水处理方法及设备，所述方法将木醋液蒸气与挟带剂液滴充分接触换热后冷凝成液体，挟带剂与木醋液中的水蒸气混合形成共沸物蒸气，其中该共沸物蒸气同时包含了挟带剂蒸气和木醋液中的水蒸气，所述共沸物蒸气经由虹吸作用被吸出，而木醋液中的其他成分以液态形式通过重力作用被收集，所述设备包括冷凝脱水同步处理装置、挟带剂供应源、共沸物分层装置和水箱，所述冷凝脱水同步处理装置设有排气口、喷淋单元和布气管，所述冷凝脱水同步处理装置与挟带剂供应源相连，通过共沸物分层装置将共沸物进行分离，通过上述方法和设备实现了木醋液蒸气的冷凝与脱水过程的一体化。
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公开(公告)号：CN104700085A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510104012.3
申请日：2015-03-10
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06K9/00
Abstract: 本发明公开了一种基于模板匹配的芯片定位方法，具体包括以下步骤：步骤一，制作模板；步骤二，对待定位图片进行预处理，增大背景与芯片基体的对比度；步骤三，对预处理后的图片进行图像分割，得到blob块，利用blob块的面积和blob块对应的最小外接矩形的边长信息排除存在连晶、缺损缺陷的芯片；获取剩下的blob块的最小外接矩形的中心位置坐标，以及短边与水平方向的夹角；步骤四，根据步骤三得出的中心位置坐标和夹角，在待定位图片上采用模板匹配芯片，定位出芯片的位置和角度。本方法主要适用于芯片制造过程中对芯片的定位，采用先筛选再匹配的方法能快速准确定位出合格芯片的位置，排除掉带有连晶、缺损缺陷的芯片。
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公开(公告)号：CN104677914A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510104034.X
申请日：2015-03-10
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N21/88
Abstract: 本发明公开了一种芯片连晶缺陷识别方法，该发明主要用于在芯片制造过程中识别含连晶缺陷的不合格芯片；包括三个步骤：步骤一，对采集到的芯片图片进行模板匹配，定位出芯片的位置，根据芯片的位置，对图片进行截取；步骤二，对截取获得的图片进行预处理，增大芯片基体与背景的差别；步骤三、对经过预处理的图片进行分割，获取blob块，对blob块进行特征分析：首先以面积为基准判断出是否含连晶缺陷；对面积正常的blob块，获取其blob块最小外接矩形的中心点以及四边中点的位置，以中心点以及四边中点位置信息为基准识别blob块对应的芯片是否含连晶缺陷；本发明提供的芯片连晶缺陷方法在的识别率上有很大的提高。
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公开(公告)号：CN103659430B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201310616636.4
申请日：2013-11-27
Applicant: 武汉法利莱切割系统工程有限责任公司 , 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种用于激光管材切割机的翻转上料机构，包括滑动平台(1)，驱动电机(2)，与驱动电机连接的传动方管平台(3)，以及布置在传动方管平台及滑动平台上的三个机械手臂(4)，布置在滑动平台(1)的自动测长机构(5)。通过本发明，可以实现不同尺寸及形状的管材从倾斜料架到主轴箱卡盘的快速、简易的输送，提高了钢管切割机的全面自动化和高效率。
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公开(公告)号：CN104363048A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410580040.8
申请日：2014-10-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: H04B10/079
Abstract: 本发明涉及通信领域，公开了一种基于相干混频的带内光信噪比监测方法及光信噪比计算系统，该方法应用于光信噪比计算系统中，系统包括：偏振控制器，偏振控制器的输入端接入信号光；本征激光器；耦合器；平衡探测器；电功率计；光信噪比计算器；方法包括：控制待测信道的信号光的波长与本征激光器所产生的本征光的波长相同；通过电功率计检测获得第一功率值和第二功率值，并将第一功率值和第二功率值发送至光信噪比计算器，其中，第一功率值为信号光与本征光的偏振态相同时电功率计所检测的功率值，第二功率值为信号光与本征光的偏振态垂直时，电功率计所检测的功率值；光信噪比计算器通过第一功率值和第二功率值计算获得待测信道内的光信噪比。
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