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发明公开
表面声波装置失效

公开(公告)号：CN1518218A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN200410001364.8

申请日：2004-01-07

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 神藤始 , 门田道雄

IPC分类号： H03H9/64

CPC分类号： H03H9/25 , H03H9/02559

摘要： 一种利用其主要分量是纵波分量的第二代漏式表面声波的表面声波装置，该装置包括LiTaO3基底和形成在LiTaO3基底上的导电膜，导电膜的密度ρ是约2699kg/m3至约19300kg/m3。