半导体装置
    61.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107527954B

    公开(公告)日:2021-02-02

    申请号:CN201710324502.3

    申请日:2017-05-10

    Abstract: 提供一种可靠性较高的半导体装置。半导体装置具有:氧化物半导体层;氧化物半导体层的上方的栅极电极;氧化物半导体层与栅极电极之间的栅极绝缘层;第1绝缘层,处于氧化物半导体层的上方,设有第1开口部;布线,处于第1绝缘层上,包含铝层,经由第1开口部电连接于氧化物半导体层;阻挡层,将第1绝缘层上、布线上及布线的侧面覆盖,包含氧化铝;以及阻挡层上的有机绝缘层。

    半导体装置
    62.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107204362B

    公开(公告)日:2021-01-29

    申请号:CN201611203902.0

    申请日:2016-12-23

    Inventor: 佐佐木俊成

    Abstract: 本发明提供能够提高导通电流的半导体装置。半导体装置具有:第一电极;第一电极上的第一绝缘层;第一绝缘层上的第二电极;第二电极上的第二绝缘层;被设置在第一绝缘层、第二电极以及第二绝缘层,到达第一电极的第一开口部;被配置在第一开口部的内部,与第一电极以及第二电极连接的第一氧化物半导体层;与第一氧化物半导体层对置的第一栅极电极;以及第一氧化物半导体层与第一栅极电极之间的第一栅极绝缘层。

    半导体装置
    63.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106328658A

    公开(公告)日:2017-01-11

    申请号:CN201610425528.2

    申请日:2016-06-15

    Inventor: 佐佐木俊成

    Abstract: 提供一种形成了导通电流不同的多个构造的晶体管的半导体装置。半导体装置具有第1晶体管和第2晶体管,上述第1晶体管具有:第1电极、具有第1侧壁的第1绝缘层、第1侧壁上的与第1电极连接的第1氧化物半导体层、与第1氧化物半导体层对置的第1栅极电极、第1氧化物半导体层与第1栅极电极之间的第1栅极绝缘层、以及第1绝缘层的上方的与第1氧化物半导体层连接的第2电极,上述第2晶体管具有:第3电极、从第3电极离开的第4电极、第3电极与第4电极之间的与第1氧化物半导体层同一层的第2氧化物半导体层、与第2氧化物半导体层对置的第2栅极电极、以及第2氧化物半导体层与第2栅极电极之间的第2栅极绝缘层。

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