-
公开(公告)号：CN105932170A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610428799.3
申请日：2012-02-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/50 , H01L51/54 , C07F15/00 , C09K11/06 , C07D209/86 , C07D239/26 , C07D241/12 , C07D333/76 , C07D409/10 , C07D471/04
CPC classification number: H01L51/0085 , C07D209/86 , C07D239/26 , C07D241/12 , C07D333/76 , C07D409/10 , C07D471/04 , C07F15/0033 , C09K11/025 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1074 , C09K2211/185 , H01L51/0052 , H01L51/0056 , H01L51/0058 , H01L51/0059 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/0074 , H01L51/5016 , H01L2251/5376 , H01L2251/5384 , H01L2251/552 , H01L51/50 , C07F15/00 , H01L51/0032 , H01L51/5012
Abstract: 本发明提供一种外部量子效率高的发光元件。本发明提供一种寿命长的发光元件。本发明提供一种发光元件，其包括：一对电极之间的包含磷光化合物、第一有机化合物以及第二有机化合物的发光层，其中，第一有机化合物和第二有机化合物的组合形成激基复合物。该发光元件由于利用激基复合物的发射光谱与磷光化合物的吸收光谱的重叠进行能量转移，所以能量转移效率高。因此，可以实现外部量子效率高的发光元件。
-
公开(公告)号：CN103081155B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201280002425.5
申请日：2012-02-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/50 , C07F15/00 , C09K11/06 , C07D209/86 , C07D239/26 , C07D241/12 , C07D333/76 , C07D409/10 , C07D471/04
CPC classification number: H01L51/0085 , C07D209/86 , C07D239/26 , C07D241/12 , C07D333/76 , C07D409/10 , C07D471/04 , C07F15/0033 , C09K11/025 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1074 , C09K2211/185 , H01L51/0052 , H01L51/0056 , H01L51/0058 , H01L51/0059 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/0074 , H01L51/5016 , H01L2251/5376 , H01L2251/5384 , H01L2251/552
Abstract: 本发明提供一种外部量子效率高的发光元件。本发明提供一种寿命长的发光元件。本发明提供一种发光元件，其包括：一对电极之间的包含磷光化合物、第一有机化合物以及第二有机化合物的发光层，其中，第一有机化合物和第二有机化合物的组合形成激基复合物。该发光元件由于利用激基复合物的发射光谱与磷光化合物的吸收光谱的重叠进行能量转移，所以能量转移效率高。因此，可以实现外部量子效率高的发光元件。
-
公开(公告)号：CN104011058A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201280063836.5
申请日：2012-12-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0085 , C07F15/0033 , C09K11/025 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1044 , C09K2211/1059 , C09K2211/185 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0074 , H01L51/5016 , H05B33/10
Abstract: 本发明的一个方式是作为具有新骨架的新颖物质提供一种发光效率高且由于发射光谱的半宽度变夹而其色纯度得到提高的有机金属配合物。本发明的一个方式是一种将包括配位原子的氮在内包含两个以上的氮的六元环的芳杂环和β-二酮用作配体的有机金属配合物。在通式(G1)中，X表示取代或未取代的包括配位原子的氮原子在内包含两个以上的氮原子的六元环的芳杂环。此外，R1至R4分别表示取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基。
-
公开(公告)号：CN101834140A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010139407.4
申请日：2010-03-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L29/36 , H01L27/12
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L27/1214 , H01L27/1288 , H01L29/66765 , H01L29/78669 , H01L29/78678 , H01L29/78696
Abstract: 不容易发生工作初期中的退化的薄膜晶体管和该薄膜晶体管的制造方法。制造一种薄膜晶体管，包括：至少最外表面为氮化硅层的栅极绝缘层；设置在该栅极绝缘层上的半导体层；以及在该半导体层上的缓冲层，其中该半导体层中的与栅极绝缘层的界面附近的氮浓度低于缓冲层及半导体层的其他部分的氮浓度。这种薄膜晶体管在形成半导体层之前将栅极绝缘层暴露于大气气氛，并且进行等离子体处理来制造。
-
-
-
Search Results
64
records
(took 0.036 seconds)
