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公开(公告)号：CN102447314B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201110291171.0
申请日：2011-09-19
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01F1/047
CPC classification number: H01F1/0596 , C21D8/1205 , C22C1/02 , C22C28/00 , C22C33/04 , C22C38/005 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/10 , C22C38/14 , C22C38/16 , C22C2202/02
Abstract: 本发明提供一种能使高性能的Sm2Co17类磁体在增磁时所需要的磁化电流降低的永磁体。实施方式的永磁体具有以组成式：R(FepMqCur(Co1-sAs)1-p-q-r)z(R：稀土类元素，M：Ti、Zr、Hf，A：Ni、V、Cr、Mn、Al、Si、Ga、Nb、Ta、W，0.05≤p≤0.6，0.005≤q≤0.1，0.01≤r≤0.15，0≤s≤0.2，4≤z≤9)来表示的组成，包括Th2Zn17型结晶相和富铜相的二相组织。在永磁体的包含Th2Zn17型结晶相的结晶c轴的截面上，富铜相间的平均距离在超过120nm、小于500nm的范围内。
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公开(公告)号：CN104718585A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201380045802.8
申请日：2013-09-13
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01F1/055 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C22C1/00 , C22C1/0441 , C22C1/0491 , C22C19/07 , C22C30/02 , H01F1/0557 , H01F1/0596 , H01F1/086 , H02K1/02 , B22F9/04 , B22F2009/041 , B22F9/08 , B22F3/02 , B22F3/10 , B22F2003/248 , B22F2202/05
Abstract: 实施方式的永磁体具备：以如下成分式所表示的成分：R(FepMqCurCol-p-q-r)z(R为从稀土类元素中选出的至少一种元素，M为从Zr、Ti以及Hf中选出的至少一种元素，0.3≦p≦0.4，0.01≦q≦0.05，0.01≦r≦0.1，7≦r≦8.5(原子比))；以及如下结构，该结构包括具有Th2Zn17型晶相的胞相和以包围胞相的方式存在的胞壁相。胞壁相的平均磁化在0.2T以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104662620A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201380045759.5
申请日：2013-09-24
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01F1/055 , B22F2003/248 , C22C1/0433 , C22C19/07 , C22C30/02 , C22C2202/02 , C22F1/10 , H01F1/0596 , H02K1/02 , H02K1/276 , H02K1/2766
Abstract: 本发明提供了高性能的永磁体。该永磁体具备：以下述成分分式所表示的成分：RpFeqMrCutCo100-p-q-r-t(式中，R为从稀土类元素中选出的至少一种元素，M为从Zr、Ti以及Hf中选出的至少一种元素，p为满足10.5≦p≦12.5原子％的数，q为满足23≦q≦40原子％的数，r为满足0.88≦r≦4.5原子％的数，t为满足4.5≦t≦10.7原子％的数)；以及如下的金属结构，该金属结构具有胞相，该胞相具有Th2Zn17型晶相；胞壁相，该胞壁相以分割Th2Zn17型晶相的方式形成；富M片状相，该富M片状相垂直于Th2Zn17型晶相的c轴而形成，M元素的浓度比胞相高；以及富Cu片状相,该富Cu片状相沿着富M片状相形成，Cu浓度比胞相高。
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公开(公告)号：CN104641429A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201380045774.X
申请日：2013-09-13
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01F1/055 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C22C19/07 , C22C30/00 , C22C30/02 , C22C38/00 , C22F1/10 , H01F1/0557 , H01F1/0596 , H01F1/086 , H02K1/02 , B22F9/04 , B22F1/0085 , B22F3/14 , B22F2202/06 , B22F2201/20 , B22F2201/11
Abstract: 本发明提供高性能的永磁体。该永磁体具备：以组成式RpFeqMrCutCo100-p-q-r-t(式中，R是从稀土类元素中选出的至少一种元素，M是从Zr、Ti和Hf中选出的至少一种元素，p是满足10.5≤p≤12.5原子％的数，q是满足23≤q≤40原子％的数，r是满足0.88≤r≤4.5原子％的数，t是满足4.5≤t≤10.7原子％的数)来表示的组成；以及金属组织，该金属组织包含Th2Zn17型晶相和Cu浓度比Th2Zn17型晶相要高的富Cu相。在Th2Zn17型晶相的包含c轴的截面中，存在于1μm见方的面积内的富Cu相彼此的交点数为10点以上。
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公开(公告)号：CN102821891B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201080065793.5
申请日：2010-03-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: B22F3/00
CPC classification number: H02K21/00 , C22C1/02 , C22C19/07 , C22C33/02 , C22C2202/02 , H01F1/0557 , H01F41/0266
Abstract: 永久磁石具有组成式：RFepMqCur(Co1-sAs)1-p-q-r)z所示的组成，这里，R是选自稀土类元素中的至少一种元素，M是选自Ti、Zr和Hf中的至少一种元素，A是选自Ni、V、Cr、Mn、Al、Si、Ga、Nb、Ta和W中的至少一种元素，p是0.05≦p≦0.6，q是0.005≦q≦0.1，r是0.01≦r≦0.15，s是0≦s≦0.2，z是4≦z≦9，具备Th2Zn17型晶相和富铜相的两相组织。包括永久磁石的Th2Zn17型晶相的结晶c軸的截面中，富铜相间的平均距离为120nm以下。
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公开(公告)号：CN103839652A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201310585251.6
申请日：2013-11-19
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01F1/01 , C22C38/005 , H01F1/0557
Abstract: 本发明提供了一种包括烧结体的永磁体，该烧结体具有由如下组成式所表示的成分：Rp1Feq1Mr1Cus1Co100-p1-q1-r1-s1（R是稀土元素，M是从Zr、Ti、及Hf中选出的至少一种元素，10原子%≤p1≤13.3原子%，25原子%≤q1≤40原子%，0.88原子%≤r1≤5.4原子%，及3.5原子%≤s1≤13.5原子%）。该烧结体包括：晶粒，每个晶粒由包括Th2Zn17晶相的主相组成；以及富Cu相，该富Cu相的成分中具有较高的Cu浓度，且厚度在0.05μm以上、2μm以下。
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公开(公告)号：CN102821891A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201080065793.5
申请日：2010-03-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: B22F3/00
CPC classification number: H02K21/00 , C22C1/02 , C22C19/07 , C22C33/02 , C22C2202/02 , H01F1/0557 , H01F41/0266
Abstract: 永久磁石具有组成式：RFepMqCur(Co1-sAs)1-p-q-r)z所示的组成，这里，R是选自稀土类元素中的至少一种元素，M是选自Ti、Zr和Hf中的至少一种元素，A是选自Ni、V、Cr、Mn、Al、Si、Ga、Nb、Ta和W中的至少一种元素，p是0.05≦p≦0.6，q是0.005≦q≦0.1，r是0.01≦r≦0.15，s是0≦s≦0.2，z是4≦z≦9，具备Th2Zn17型晶相和富铜相的两相组织。包括永久磁石的Th2Zn17型晶相的结晶c軸的截面中，富铜相间的平均距离为120nm以下。
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