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公开(公告)号：CN100347756C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200510059290.8
申请日：2005-03-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/65 , G11B5/7325
Abstract: 本发明涉及磁记录介质和磁记录设备。在衬底上形成一个大粒径底层，其包括选自Cu、Ni或者Rh中的至少一种，具有大于或等于50nm的较大的平均直径的晶粒，(100)晶面的取向平行于衬底表面。然后，在该底层上淀积磁记录层。带有这种结构的磁记录介质在磁性层中表现出了非常小的磁性晶粒，在高纪录密度下具有优良的重写性能和信噪比。
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公开(公告)号：CN1333387C
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200510059299.9
申请日：2005-03-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/65 , G11B5/7325
Abstract: 提供一种磁记录媒体、记录媒体的制造方法和磁记录装置。在包含Cu晶粒层和Cu晶粒层表面上的淀积氮原子层的垫层上形成磁记录层。从而得到具有非常小的平均晶粒直径和非常窄的晶粒直径分布的磁记录层。包含上述磁记录层的磁记录媒体在高密度记录的条件下表现出优异的信噪比特性。
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公开(公告)号：CN1329887C
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200510059498.X
申请日：2005-03-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/65 , G11B5/7325
Abstract: 提供一种磁记录媒体、记录媒体的制造方法和磁记录装置。在衬底上形成包含基本上选自Cu、Ni、Rh和Pt中的金属晶粒的晶粒直径控制结晶层。然后，在上述晶粒直径控制层的表面上形成选自氧和碳中的至少一种元素的淀积原子层。在淀积原子的晶粒直径控制结晶层上淀积磁记录层。从而，得到其中磁性晶粒具有较小的晶粒直径和较小的晶粒直径分布的磁记录媒体，且该磁记录媒体在高记录密度的条件下表现出改进的信噪比特性。
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公开(公告)号：CN1856823A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200480027438.3
申请日：2004-09-22
Abstract: 通过使垂直磁记录层的结构更加精细，而使得可以进行高密度记录。垂直磁记录介质10包括在非磁性基底1上层叠的至少非磁性下层2、垂直磁性层3以及保护层，其中垂直磁性层包括铁磁性晶粒和非磁性晶粒间界区域，其中晶粒间界区域包括至少两种氧化物。
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公开(公告)号：CN1822111A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200510134190.7
申请日：2005-12-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/7325
Abstract: 提供一种垂直磁记录介质和磁记录/再现装置。在衬底(1)和磁记录层(6)之间形成至少三个底层，即，包含选自Ag、Ir、Ni、Pd、Pt、Rh、Hf、Re、Ru、Ti、Ta、Zr、Mg和Al的至少一种元素作为主要成分的第一底层(3)、包含Mg或Al和Si的第二底层(4)和包含选自Pt、Pd、Ru、Rh、Co和Ti的至少一种元素作为主要成分的第三底层(5)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1674106A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510059498.X
申请日：2005-03-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/65 , G11B5/7325
Abstract: 提供一种磁记录媒体、记录媒体的制造方法和磁记录装置。在衬底上形成包含基本上选自Cu、Ni、Rh和Pt中的金属晶粒的晶粒直径控制结晶层。然后，在上述晶粒直径控制层的表面上形成选自氧和碳中的至少一种元素的淀积原子层。在淀积原子的晶粒直径控制结晶层上淀积磁记录层。从而，得到其中磁性晶粒具有较小的晶粒直径和较小的晶粒直径分布的磁记录媒体，且该磁记录媒体在高记录密度的条件下表现出改进的信噪比特性。
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公开(公告)号：CN1674104A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510059472.5
申请日：2005-03-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y25/00 , G11B5/656 , G11B5/667 , G11B5/7325 , H01F10/007 , Y10T428/25
Abstract: 获得适于达到低噪声高磁记录密度的垂直磁记录介质。该介质具有小平均磁颗粒直径，小磁颗粒直径分布，高垂直结晶磁颗粒取向和高规则性磁颗粒排列。垂直磁记录介质包括衬底上的软磁层，颗粒底层和垂直磁记录层。在金属底层上形成颗粒底层。颗粒层中的金属颗粒被非磁性颗粒间材料分隔，并且部分穿入到金属底层中。在颗粒层上形成垂直磁记录层。于是垂直磁记录介质表现出高信噪比和极好的高密度记录特性。
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公开(公告)号：CN1674101A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510059290.8
申请日：2005-03-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/65 , G11B5/7325
Abstract: 本发明涉及磁记录介质和磁记录设备。在衬底上形成一个大粒径底层，其包括选自Cu、Ni或者Rh中的至少一种，具有大于或等于50nm的较大的平均直径的晶粒，(100)晶面的取向平行于衬底表面。然后，在该底层上淀积磁记录层。带有这种结构的磁记录介质在磁性层中表现出了非常小的磁性晶粒，在高纪录密度下具有优良的重写性能和信噪比。
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公开(公告)号：CN114974318B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202110857056.9
申请日：2021-07-28
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明的实施方式提供能提高记录密度的磁头和磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1、第2磁极和层叠体。层叠体包括第1磁性层、设置于第2磁极与第1磁性层之间的第2磁性层、设置于第2磁极与第2磁性层之间的第3磁性层、设置于第2磁极与第3磁性层之间的第4磁性层、设置于第1磁性层与第1磁极之间的第1非磁性层、设置于第2磁性层与第1磁性层之间的第2非磁性层、设置于第3磁性层与第2磁性层之间的第3非磁性层、设置于第4磁性层与第3磁性层之间的第4非磁性层、以及设置于第2磁极与第4磁性层之间的第5非磁性层。第2非磁性层与第2、第1磁性层相接。第3非磁性层与第3、第2磁性层相接。第4非磁性层与第4、第3磁性层相接。
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公开(公告)号：CN118782105A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410182976.9
申请日：2024-02-19
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B5/66
Abstract: 提供能提高记录密度的磁记录介质及磁记录装置。根据实施方式，磁记录介质包括第1～第5磁性区域。所述第1磁性区域中的第1Pt原子浓度相对于所述第1磁性区域中的第1Co原子浓度的第1组成比高于所述第2磁性区域中的第2Pt原子浓度相对于所述第2磁性区域中的第2Co原子浓度的第2组成比。所述第3磁性区域中的第3Pt原子浓度相对于所述第3磁性区域中的第3Co原子浓度的第3组成比高于所述第2组成比，且高于所述第4磁性区域中的第4Pt原子浓度相对于所述第4磁性区域中的第4Co原子浓度的第4组成比。所述第5磁性区域中的第5Pt原子浓度相对于所述第5磁性区域中的第5Co原子浓度的第5组成比高于所述第4组成比。
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