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公开(公告)号：CN115678555A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211353515.0
申请日：2022-11-01
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种Eu3+‑Mn4+共掺杂的荧光温度探针材料及其制备方法和应用，其化学通式为：Ca2Sb2O7:xmol％Eu3+，ymol％Mn4+，其中0.005≤x≤0.05，0.0005≤y≤0.008。利用高温固相法制备所得的具有正交结构的Ca2Sb2O7:Eu3+，Mn4+荧光粉在紫外光的激发下，可以产生位于725纳米的宽峰发射和位于613纳米的窄峰发射。在310纳米紫外光激发下，Eu3+表现出罕见的反热猝灭行为。根据来自于Mn4+的宽发射峰与Eu3+的窄发射峰强度的比值可对周围环境的温度进行标定。该材料的灵敏度性能相较于已报道的其他荧光材料已有显著的提升。同时，Eu3+与Mn4+在紫外光激发下产生的位于725纳米的宽发射峰和位于613纳米的窄发射峰分别对应着植物生长所必需的叶绿素a和叶绿素f。
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公开(公告)号：CN115595152A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211288553.2
申请日：2022-10-20
Applicant: 杭州电子科技大学(CN)
IPC: C09K11/68
Abstract: 本发明公开一种近红外发射增强的Ga2O3：Cr3+发光材料及其制备方法，其化学式为Ga2‑x‑2yO3：xCr3+，yM+，yP5+，其中M为Li、Na、K中任意一种，0.01≤x≤0.1，0.1≤y≤0.5。其制备方法采用高温固相法。本发明的优点是：通过在原料中加入碱金属离子(Li、Na、K中任意一种)和磷离子(P5+)，能明显提高Ga2O3：Cr3+的发光强度。该发光材料是一种单基质荧光材料，在近紫外至蓝光激发下，发射光谱为峰值波长位于712纳米的近红外宽带光谱，可应用于宽带近红外光源光色转换材料，提高器件的光色转换效率。本发明的制备方法工艺简单、技术成熟、成本低廉，有益于实现工业化生成。
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公开(公告)号：CN115584258A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211366528.1
申请日：2022-11-01
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种Eu3+掺杂的荧光温度探针材料及其制备方法和应用，其化学通式为：Ca2Sb2O7:xmol％Eu3+，其中0.005≤x≤0.05。利用高温固相法制备所得的具有正交结构的Ca2Sb2O7:Eu3+在320纳米紫外光的激发下，可以产生位于440纳米的宽峰发射和位于592纳米的窄峰发射。根据两发射峰强度的比值可对周围环境的温度进行标定。在紫外灯照射下，该材料在30‑250℃范围内可发生颜色转变，即通过观察颜色变化可粗略标定周围环境的温度。同时，该材料表现出了优异的灵敏度性能。
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公开(公告)号：CN114315416B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202111671267.X
申请日：2021-12-31
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于纳米复合材料合成技术领域，具体涉及一种连环纳米锥周期性阵列制备方法。本发明通过将二氧化硅胶体球自组装技术、等离子刻蚀技术与物理沉积技术相结合，制备出一种新颖的连环纳米锥周期性阵列，该制备方法可以通过改变胶体球的尺寸、等离子刻蚀时间和沉积金属厚度得到不同尺寸的连环纳米锥周期性阵列，且此制备方法较为简单，制备出的连环纳米锥周期性阵列具有均匀性好、有序度高、可重复性强的优点，能够有效地被大规模复制应用。
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公开(公告)号：CN114249325A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111580591.0
申请日：2021-12-22
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C01B33/021 , B82Y40/00 , C23C14/16 , C23C14/35
Abstract: 本发明公开了一种制备硅纳米腔的方法，本发明采用自组装方法制备的高度有序的聚苯乙烯小球阵列，放入等离子体清洗机中刻蚀，利用磁控溅射在聚苯乙烯小球阵列表面溅射50～200nm的金属，取下聚苯乙烯小球阵列，将纳米孔阵列放入盛有NaOH溶液的烧杯中刻蚀；本发明与块状结构相比，硅纳米结构在性能上有其优越性，研究显示，硅在紫外光范围内同样具有局域表面等离子激元效应，能达到类似贵金属(金、银)纳米结构的增强效果，在光电器件的制备，表面增强拉曼检测等方面效果显著。本发明制备得到了一种图案化硅纳米结构。该制备方法的创新性在于可以对硅纳米结构的尺寸、间隙等方面进行很方便的控制。进而研究其光电效应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114231928A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111578765.X
申请日：2021-12-22
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种环状阶梯纳米结构的制备方法，本发明以有序聚苯乙烯小球阵列为基础，利用磁控溅射进行镀膜，最后用离子束对金属膜进行多次不同程度的轰击，由于相邻球的阴影效应最终可以得到具有环状热点的多级纳米结构。本发明采用了较为简单的离子束刻蚀技术制备具有高密度热点的环状阶梯纳米结构。本发明通过改变一次刻蚀和二次刻蚀的角度来形成具有高密度热点的环状阶梯纳米结构。
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公开(公告)号：CN113981371A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111218145.5
申请日：2021-10-20
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了高SERS强度的Ag/SiO2共溅射单层膜制备方法，包括以下步骤：(1)硅片亲水处理；(2)制备Ag/SiO2共溅射单层膜；(3)利用氢氟酸对Ag/SiO2共溅射单层膜进行腐蚀，得高SERS强度Ag/SiO2共溅射单层膜。本发明设计并制备得到了一种可实现比单层金属膜SERS增强效果更高的金属‑绝缘体共溅射膜(Ag/SiO2)，采用较为简单的磁控溅射，从而利用氢氟酸对二氧化硅的腐蚀性，使Ag/SiO2共溅射薄膜中的二氧化硅被不同程度腐蚀，从而留下不同颗粒大小和间隔的银纳米颗粒，提高其单层膜的SERS强度。
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公开(公告)号：CN110204209B
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN201910383945.9
申请日：2019-05-08
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种选择性稀土掺杂钪基氟化纳米晶的上转换玻璃陶瓷复合材料。玻璃陶瓷为SiO2:66‑x‑y mol％；Al2O3:6mol％；K2CO3:9mol％；KF:18.8mol％；ScF3:x mol％；LnF3:y mol％；ErF3:0.2％；16≤x≤20；当1.6≤y
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公开(公告)号：CN113201342A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110362464.7
申请日：2021-04-02
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开Ce3+激活的硅酸盐宽带绿色荧光粉及制备方法和应用。其化学通式为：K3GdSi2O7:xmol％Ce3+，其中x为掺杂的Ce3+离子的摩尔百分数，其值为0.5≤x≤20。通过调节Ce3+离子的掺杂浓度，可以实现宽带绿光发射。本发明提供的荧光粉在整个紫外光区域(300‑415nm)均拥有宽带激发光谱，可封装于高亮度的近紫外/紫外LED芯片上制备白光LED器件，应用于固态照明领域；在430～700nm波长范围内拥有宽带绿光发射光谱，半高宽达到了122nm。同时，本发明提供的荧光粉拥有发光效率高、化学稳定性好等优势，且制备方法简单，原料价格低廉，环保无污染。
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公开(公告)号：CN108559510B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201810553661.5
申请日：2018-05-31
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C09K11/81
Abstract: 本发明公开了一种高热稳定性磷酸盐荧光粉及其制备方法。该磷酸盐荧光粉的化学表示式为A1‑xRO(PO4)2：xEu3+，其中，A为Y或La，R为V、Nb或Ta，x＝0.001～0.1。本发明磷酸盐荧光粉的制备方法：按A1‑xRO(PO4)2：xEu3+的化学计量比称取相应的原料，所述原料分别为含A的氧化物、含R的氧化物、含[PO4]3‑的化合物和氧化铕，将所述原料的均匀混合物于空气气氛下在高温炉内高温烧结后缓慢冷却至室温，得到磷酸盐荧光粉。本发明此荧光粉具有高的热稳定性，612nm的发射强度从室温25℃到160℃基本维持不变或者高于室温发射强度，200℃发射强度基本能稳定保持在室温时的发射强度的90％以上。
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