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公开(公告)号：CN115020053A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210619526.2
申请日：2022-06-02
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于稀土磁性功能材料技术领域，本发明提供的应用于磁制冷的R2TiNiO6稀土氧化物，其中R为Gd，Tb和Dy中的一种或两种，所述R2TiNiO6氧化物为单斜型晶体结构，属于P21c空间群；所述R2TiNiO6氧化物在0T～5T的磁场变化下，等温磁熵变最大值为11.8J/kgK～32.5J/kgK，在0T～7T的磁场变化下，等温磁熵变最大值为15.9J/kgK～43.8J/kgK。本发明具有原材料成本低廉、制备方法简单、以及良好的磁、热可逆性质。该方法工艺简单、适用于工业化。
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公开(公告)号：CN114974772A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210786146.8
申请日：2022-07-04
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有单斜结构的稀土磁性材料，所述稀土磁性材料的化学式为RESr2TaO6，RE为Gd，Dy，Ho，Er中的一种或两种。RESr2TaO6具有单斜晶系，属于P21/c空间群。本发明还公开了一种具有单斜结构的稀土磁性材料的制备方法。采用上述方法制备的稀土磁性材料在0～2T的磁场变化下，等温磁熵变为1.8‑19.2J/kg K；在0～5T的磁场变化下，等温磁熵变为5.1‑27.2J/kg K；在0～7T的磁场变化下，等温磁熵变为6.9‑29.7J/kg K。上述具有单斜结构的稀土磁性材料应用在磁制冷中。本发明采用上述具有单斜结构的稀土磁性材料及其制备方法，能够解决现有的磁制冷材料制备困难的问题。
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公开(公告)号：CN114566341A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210204602.3
申请日：2022-03-03
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种应用于液氮至液氢温区的磁制冷材料，其组成式为(DyxHoyEr1‑x‑y)(CoαNi2‑α)，0≤x≤0.85、0≤y≤0.85、0.7≤α≤1.3，具有Laves相立方型结构，属于Fd‑3m空间群。本发明还公开了一种应用于液氮至液氢温区的磁制冷材料的制备方法。采用本发明所述的应用于液氮至液氢温区的磁制冷材料的制备方法制备的磁制冷材料，具有磁热性能大、制冷温区宽的特点；并且居里温度在10‑80K之间变化，覆盖了氢气至氦气的液化区间，形成一系列中温区磁熵变较大且平缓变化的新型磁制冷材料。
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公开(公告)号：CN114540029A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210253849.4
申请日：2022-03-15
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种稀土钨酸盐晶体，晶体的化学式为A2R4(MO4)7，其中A为Na、K中的至少一种；当A为Na时，R为Gd，M为W；当A为K时，R为Y、Gd的至少一种；M为W和Mo中的至少一种。A2R4(MO4)7材料为四方结构，属于I 41/a空间群。本发明还公开了稀土钨酸盐光致发光材料及其制备方法，化学式为A2R4‑xR'x(MO4)7，0＜x≤0.4，其中A为Na、K中的至少一种；当A为Na时，R为Gd，M为W；当A为K时，R为Y、Gd的至少一种；R'为Ce、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb中的至少一种，M为W和Mo中的至少一种。本发明采用上述稀土钨酸盐光致发光材料及其制备方法，能够制备出性能稳定可靠的纳米荧光粉材料，制备方法简单，易操作，原料低廉易得，可作为工业化生产方法应用。
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公开(公告)号：CN114318262A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111491076.5
申请日：2021-12-08
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种制备多级微纳米褶皱结构的方法：首先在硬质支撑材料上覆盖一层液态的有机聚合物材料，接着利用磁控溅射仪沉积一层金属薄膜。由于液态有机聚合物在溅射过程中力学性质会发生连续变化，同时柔性基底与刚性金属薄膜构成的双层体系中力学性能差别非常大，因而薄膜表面在制备过程中会自发形成多级的微纳米褶皱结构。本发明利用材料的自组装效应一步完成多级微纳米褶皱的制备，该制备方法简单、成本低、周期短、产率高且易于控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113929446A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111114584.1
申请日：2021-09-23
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/40 , C04B35/45 , C04B35/453 , C04B35/622 , H01F1/01 , H01F41/02
Abstract: 本发明公开了一种稀土钙钛矿高熵氧化物材料及其制备方法与应用，其中RE为稀土Gd，Tb，Dy，Ho，Er中的二种或三种且各组成元素摩尔含量范围为25％‑55％、总含量为100％，TM为Mn，Fe，Co，Cu，Ni，Zn，Al，Cr中的三种或四种且各组成元素摩尔含量范围为20％‑35％、总含量为100％；RETMO3材料为单相正交钙钛矿结构，属于Pnma空间群。RETMO3高熵氧化物材料在0～5T的外场变化下，其等温磁熵变为13.6‑18.2J/kg K。本发明制备的RETMO3高熵氧化物材料应用于低温区磁制冷领域，所需设备简单，工艺简洁可靠，所得产物纯度高稳定性好，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN113363376A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110413399.6
申请日：2021-04-16
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及二维磁性材料领域，针对目前二维铁磁材料通过离子栅调控等优化磁性的方法存在磁性弱，可重复性、可逆性差的缺点，公开一种二维铁磁材料的磁性可控调节方法，包括将二维铁磁材料薄片放置在硬质衬底上；制备包覆二维铁磁材料的高模量的高分子致密膜；在高分子致密膜表面粘附高分子柔性衬底，然后将高分子柔性衬底连带高分子致密膜、二维铁磁材料整体从硬质衬底上剥离得到柔性基板；在高分子柔性衬底侧对柔性基板施加弯曲应力，调控柔性基板的弯曲半径对二维铁磁材料磁性进行连续可控调节。本发明的方法可实现二维铁磁材料的可控、可逆且连续磁性调节，二维铁磁材料的磁性强度高，同时还能提升居里温度。
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公开(公告)号：CN112760535A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202011530302.1
申请日：2020-12-22
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C22C22/00 , C22C1/02 , B22D11/06 , C22F1/02 , C22F1/16 , C21D9/52 , C22C30/00 , C22F1/00 , C09K5/06 , H01F1/01
Abstract: 本发明涉及一种磁制冷材料及其制备方法，使用高丰度稀土元素R替代Ni、Co、Mn、Ti，能够有效调控相变温度。该材料制备方法如下：按照化学式的化学计量比称取高纯原料并混合均匀；然后采用电弧熔炼或提拉法或定向凝固法将所述原料制备为磁相变材料；将高纯原料进行氩气保护地电弧熔炼，获得块体样品；最后将电弧熔炼得到的部分块体样品进行真空熔体快淬得到薄带或者真空退火。使得相变温度随着高丰度稀土元含量增加在100～350K宽温度范围内调控，并且获得增强的磁热效应。在室温磁致冷，高温热泵等生产生活中将具有广泛的应用前景。高效开发和利用高丰度稀土，有利于稀土资源的平衡利用。
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公开(公告)号：CN112410630A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011191275.X
申请日：2020-10-30
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及磁相变合金材料技术领域，为解决现有磁相变材料元素掺杂调控方式对磁性的改变不可控，实效可行性较差的问题，提供了一种柔性MnNiTi基磁相变合金材料及其制备方法、调控方法和应用，所述柔性MnNiTi基磁相变合金材料的化学式为Mn50Ni50‑a‑bCobTia，其中，9≤a≤12，8≤b≤10。本发明的柔性MnNiTi基磁相变合金材料通过将Co元素掺杂到MnNiTi基Heusler合金体系中，得到的合金能够在室温条件下表现出较大的磁熵变效应；调控方法基于弯曲和旋转，有效调控柔性MnNiTi基磁相变合金材料的磁各向异性，有利于获得较大的旋转磁热效应，使得磁化强度和磁热效应都有所增强，获得应变可调控的旋卡效应。
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公开(公告)号：CN111074130B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201911343061.7
申请日：2019-12-23
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明一种应用于低温磁制冷的轻稀土REZnSi材料及制备方法，RE为轻稀土Ce，Pr，Nd中的一者或多者之间的混合；所述的REZnSi材料具有六方型晶体结构，属于P6/mmm空间群；在0～2T的磁场变化下，等温磁熵变为2.5‑7.2J/kgK，在0～5T的磁场变化下，等温磁熵变为5.8‑13.8J/kgK；在0～7T的磁场变化下，等温磁熵变为9.4‑12.4J/kgK。首先将稀土和硅按一定加热融化制备出均匀合金锭子，破碎成粉末与锌粉按比例混合，利用热压的方法制备出致密的合金块，对合金块热处理后获得成品。本发明材料可应用于低温区磁制冷领域。原料价格低廉，制备方法工艺简单、适用于工业化。
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