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公开(公告)号：CN111271311B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010105440.9
申请日：2020-02-20
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: F04D27/00
Abstract: 本发明公开了一种电风扇防止过凉控制装置。目前的温控型电风扇均没有考虑深夜谷电期间电网电压升高导致电风扇转速增加等因素。本发明包括设置在电风扇的前防护罩中心、且面向叶片方向的金属圆盘，金属圆盘内设有加热器和温度传感器。加热器由恒流源供电，对金属圆盘加热。温度传感器通过测温与比较电路接驱动电路，驱动电路接继电器，继电器的输出触点串接在电风扇电机回路中。本发明中电风扇吹出的风直接吹在前网罩中心的圆盘上，室温过低及电网电压过高均使得圆盘温度下降，由此判断是否断开电风扇电机，以避免人员受凉。本发明结构简单，实用性强，只要把控制装置的继电器的输出串接在电机上即可，适用性广。
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公开(公告)号：CN111075980A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911253226.1
申请日：2019-12-09
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种带有手动控制功能的双稳态电磁阀。现有的双稳态电磁阀利用弹簧维持电磁阀处于一个状态，或通过机械机构实现，内部结构复杂。本发明包括设置在圆筒内的活塞，圆筒一侧开有流体入口，另一侧开有流体出口。活塞的上底开设有导流孔，下底套置有密封圈，活塞下底的底面固定设置有活塞磁钢。圆筒下方水平设置有铁芯棒，铁芯棒上设置设置有手动操纵杆；两个移动磁钢作为移动磁钢对设置在铁芯棒上，两个移动磁钢并列水平放置，且竖直方向上极性相反；铁芯棒的两端分别设置有电磁线圈，电磁线圈与铁芯棒同轴设置。本发明结构简单，工作稳定性高，电磁阀处于两个状态时均不需施加维持电流，且在停电的紧急情况下，可手动开关，安全可靠。
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公开(公告)号：CN110164698A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910355079.2
申请日：2019-04-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01G9/20
Abstract: 本发明公开一种PET-ITO/TiO2/P(VDF/TrFE)透明柔性复合光阳极。依次包括PET-ITO衬底、TiO2薄膜、P(VDF/TrFE)薄膜；TiO2薄膜的厚度为30～100nm，P(VDF/TrFE)薄膜的厚度为40～100nm。通过施加正反向电压对P(VDF/TrFE)薄膜进行铁电极化，外加正反向极化电压范围为3～8V。本发明通过对P(VDF/TrFE)薄膜本身的铁电效应来改变其内建电场，从而有效的调控P(VDF/TrFE)/TiO2界面的能带结构，以期有效对载流子进行分离，从而提高光阳极的光电化学性能。
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公开(公告)号：CN106876520B
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201710046206.1
申请日：2017-01-22
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236 , C23F1/08 , C23F1/24 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种控制硅纳米线走向的装置，包括反应釜体、可调电源、控制单元、盛放蚀刻溶液器皿和泵，反应釜体的中部设有硅片架，反应釜体由硅片架及硅片平分为左右两个腔室，盛放蚀刻溶液器皿通过管道分别连接至两个腔室，泵设于管道的前端，反应釜体的顶部设有端盖，端盖上设有环形导轨和滑块，滑块与环形导轨相匹配，两个腔室分别设有惰性电极，惰性电极与硅片架相对面为平面，惰性电极通过穿设于端盖及滑块的长螺栓与可调电源电连接，两个长螺栓通过连杆连接，惰性电极与可调电源电连接，可调电源和泵分别受控制单元的控制。本发明制备可控硅表面纳米结构的装置具有操作简单、生产效率高、产品质量高等特点，适合大规模产业化应用。
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公开(公告)号：CN105244362B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201510687944.5
申请日：2015-10-21
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于ZnO压电效应的低功耗柔性阻变存储器及其制备方法。本发明低功耗柔性ReRAM从上至下依次包括TE层、ZnO层、ITO/PET层，其中TE层为功函数大于ZnO功函数的Pt、Cu或Au。该方法是ITO/PET柔性衬底作为下电极，通过溅射法制备ZnO薄膜，得到ZnO/ITO/PET；将ZnO/ITO/PET基体放于沉积室内，用掩模法通过电子束蒸发金属上电极，使得ZnO薄膜上沉积金属薄膜电极，最终得到柔性TE/ZnO/ITO/PET器件。本发明通过ZnO薄膜本身的压电效应来调控其set和reset电压，以期减小器件的操作电压，降低器件的功耗，从而延长器件的寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106927421A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710046177.9
申请日：2017-01-22
Applicant: 杭州电子科技大学
CPC classification number: B82B3/0009 , B82B3/0066 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种制造可控走向的硅纳米线的方法，包括如下步骤：(一)对硅片进行清洗；(二)对硅片进行表面处理，在硅片表面镀一层贵金属涂层；(三)在电场方向可调的反应釜内采用刻蚀溶液对镀银后的硅片进行刻蚀；(四)去除硅片表面金属颗粒，干燥。本发明提出添加外电场来驱动贵金属离子，通过调整外加电场的方向来制备不同硅纳米线走向的方法。
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公开(公告)号：CN102680435B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201210170003.0
申请日：2012-05-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01N21/63
Abstract: 本发明公开了一种激光诱导击穿光谱无标样定量分析元素组成的方法。本发明方法利用控制脉冲激光器的能量使得每次测量时等离子体的温度相同，由此保证每次测量时各元素的基态和激发态强度的比值保持不变，通过对比不同元素基态峰强度来确定混合物中的各元素原子个数比，实现定量分析。本发明通过控制等离子体的温度，相当于确定了元素基态峰和激发态峰的比例。由此可保持每次测量结果的可比性，得到精确的可以重复的元素成分分析结果。
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公开(公告)号：CN103808745A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201410034067.7
申请日：2014-01-24
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01N23/207
Abstract: 本发明公开了一种实现小角X射线衍射功能的装置及方法，本发明一种实现小角X射线衍射功能的装置包括X射线光源、X射线出射狭缝、样品台、X射线接收狭缝、X射线探测器、涡轮蜗杆升降装置和步进马达；所述的X射线光源、样品台、X射线探测器设置在同一平面内，X射线光源上设有X射线出射狭缝，X射线探测器上设有X射线接收狭缝，样品台的下底面连接涡轮蜗杆升降装置，涡轮蜗杆升降装置通过步进马达驱动。本发明通过改造普通XRD衍射仪装置，配以我们提出的样品台、X光源和探测器的调节方法，即可以极低的成本在普通XRD衍射仪上实现SAXRD的功能。
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公开(公告)号：CN102492419B
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201110354863.5
申请日：2011-11-10
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C09K11/64
Abstract: 本发明涉及一种绿光激发的暖色长余辉发光材料制备方法。目前各类红色发光材料不是发光强度不高、就是余辉时间太短，或者对环境有污染，均不能达到实用要求。本发明将可用绿光激发的Ba2Zn1-xS3:xMn2+红色发光材料包裹在SrAl2O4:Eu2+,Dy3+绿色长余辉发光粉表面，控制包裹层的厚度，实现“绿-黄绿-黄-橙-红”高效暖色长余辉发光的目的。该方法避免了目前直接制备的红色发光材料余辉时间短的问题，是暖色长余辉材料制备的新途径。
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公开(公告)号：CN102323284B
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201110260339.1
申请日：2011-09-05
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01N23/223
Abstract: 本发明公开了一种X射线荧光光谱定量分析的装置及方法。现有技术数学校正法和实验校正法的理论计算和标样比较过程复杂。本发明从高能脉冲激光器发出的激光束通过反光镜后由激光导入窗口入射到真空腔体内的固体样品上，固体样品表面受热释放出成分与其相同的粒子。从固体样品上释放出来的粒子沉积在位于固体样品上方的石墨沉积台上形成薄膜。X光管发出的X射线照射到该薄膜上，薄膜发出的X射线荧光由位于其下方的X射线荧光探测器进行探测。本发明提出的方法通过薄膜沉积技术从源头上消除了产生基体效应的因素，简化了XRF定量分析中基体效应影响的消除过程，提高了检测效率和测试精度。
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