公开(公告)号：CN103503079A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201180070035.7

申请日：2011-04-28

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 足立修一郎 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  岩室光则 ,  木泽桂子 ,  青柳拓也 ,  山本浩贵 ,  内藤孝 ,  加藤隆彦

IPC: H01B1/22 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01B1/22 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/02245 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明提供一种电极用糊剂组合物，其包含含有磷-锡的铜合金粒子、玻璃粒子、溶剂和树脂。另外，本发明还提供具有使用该电极用糊剂组合物而形成的电极的太阳能电池元件以及太阳能电池。

公开(公告)号：CN103299399A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201180064911.5

申请日：2011-07-14

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 织田明博 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  町井洋一 ,  岩室光则 ,  木泽桂子 ,  足立修一郎 ,  佐藤铁也

IPC: H01L21/225 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/228 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 含有从氮化硼和碳化硼中选择的至少1种的硼化合物和分散介质而构成p型扩散层形成用组合物。通过将该p型扩散层形成用组合物涂布于半导体基板上，实施热扩散处理，从而制造p型扩散层和具有p型扩散层的太阳能电池元件。

公开(公告)号：CN103201849A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201180054497.X

申请日：2011-11-15

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 町井洋一 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  冈庭香 ,  岩室光则 ,  足立修一郎 ,  织田明博 ,  佐藤铁也 ,  木泽桂子

IPC: H01L31/04 ,  H01L21/225

CPC classification number: H01L31/068 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/2255 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/186 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，其包含以下工序：对半导体基板一个面上的第1区域给予含有包含n型杂质的玻璃粉末和分散介质的用于形成n型扩散层的组合物的工序；对位于所述半导体基板的设有所述第1区域的面上且为所述第1区域以外的第2区域给予含有包含p型杂质的玻璃粉末和分散介质的用于形成p型扩散层的组合物的工序；对给予了所述用于形成n型扩散层的组合物和用于形成p型扩散层的组合物的半导体基板进行热处理而形成n型扩散层和p型扩散层的热扩散工序；和在形成了所述n型扩散层的第1区域和形成了p型扩散层的第2区域分别形成电极的工序。

公开(公告)号：CN103155164A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201180048863.0

申请日：2011-11-15

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 町井洋一 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  冈庭香 ,  岩室光则 ,  足立修一郎 ,  织田明博 ,  佐藤铁也 ,  木泽桂子

IPC: H01L31/04 ,  H01L21/225

CPC classification number: H01L31/186 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/2255 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，其具有以下工序：对半导体基板的一个面上的部分区域给予含有含p型杂质的玻璃粉末及分散介质的第一用于形成p型扩散层的组合物的工序；对上述半导体基板的给予了上述第一用于形成p型扩散层的组合物的面上的、至少上述部分区域以外的区域，给予含有含p型杂质的玻璃粉末及分散介质、且p型杂质浓度比上述第一用于形成p型扩散层的组合物低的第二用于形成p型扩散层的组合物的工序；以及对给予了上述第一用于形成p型扩散层的组合物及第二用于形成p型扩散层的组合物的半导体基板进行热处理而形成p型扩散层的工序；在上述部分区域上形成电极的工序。

公开(公告)号：CN203910815U

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201320843990.6

申请日：2013-12-19

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 足立修一郎 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  仓田靖 ,  栗原祥晃

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/048

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 本实用新型提供一种太阳能电池以及含有所述太阳能电池的太阳能电池模块，所述太阳能电池，其具备布线连接部，所述布线连接部依次层叠有具有pn结的半导体基板、导电层以及布线构件，所述导电层具有包含金属部和玻璃部的电极部、以及树脂部，所述布线连接部中，所述导电层含有：所述电极部与所述布线构件接触的部分、和所述树脂部与所述布线构件接触的部分。