一种磁环工频饱和特性模拟方法

    公开(公告)号:CN113408232B

    公开(公告)日:2023-09-19

    申请号:CN202110681177.2

    申请日:2021-06-18

    Abstract: 本发明公开了一种磁环工频饱和特性模拟方法,将磁环的U‑I曲线转换成反映磁环磁通和瞬时电流的ψ‑i曲线;根据ψ‑i曲线拟合磁通和瞬时电流;用ψ=∫udt代替拟合的磁通,得到电压瞬时值和电流瞬时值的关系;利用电压瞬时值和电流瞬时值关系中的第一项表示线性阻抗,将高次幂项作为非线性阻抗特征;采用压控电流源模拟磁环的饱和特性,将高次幂项系数作为压控电流源的控制系数,实现单个实验磁环工频饱和特性模拟。实现反映磁环工频饱和特性的等效模型并进行仿真,从而有效模拟磁环在工频下的饱和特性。同时通过不同磁环尺寸和个数下模型参数的修正,可以实现不同尺寸和个数下磁环的建模仿真。

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