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公开(公告)号：CN117732372A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311739118.1
申请日：2023-12-17
Applicant: 吉林大学
IPC: B01J3/06 , C01B21/064 , C22C30/02 , B22F9/04 , B01J23/86
Abstract: 本发明涉及一种以复合触媒合成立方氮化硼的方法。该方法选用粒径适宜的六方氮化硼h‑BN为原料，高熵合金FeCoNiCrCu及单质金属Al的混合物作为复合触媒，充分混合压片后，在高温高压的条件下合成立方氮化硼c‑BN，经酸碱提纯可得到黄色c‑BN晶体。本发明中复合触媒适合规模化生产，可有效降低c‑BN合成条件，作为新型触媒在高质量c‑BN的合成方面具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN117718487A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311739085.0
申请日：2023-12-17
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明为一种CuNiFeCoCr高熵合金纳米粉末的制备方法。将各金属按照等摩尔比称量，以10:1的球料比球磨12h，取出后压制成片，将其置于阳极石墨锅中心，配以钨棒作为阴极，将阴阳极放入水平式直流电弧等离子体放电装置反应腔内。利用氩气进行两次以上洗气，洗气结束后向装置中通入氮气。待装置内气压升至20‑60kPa，设置电流为80‑150A，进行引弧，直至反应完全，在循环冷却水和氮气气氛保护下，冷却钝化6h。收集阳极石墨锅和水冷套表面可得到黑色粉末，即为CuNiFeCoCr高熵合金纳米材料。
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公开(公告)号：CN117718486A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311739075.7
申请日：2023-12-17
Applicant: 吉林大学
IPC: B22F9/14 , B22F9/04 , B22F3/02 , B22F1/054 , B22F1/16 , B82Y30/00 , C25B1/04 , C25B11/089 , C22C30/00
Abstract: 本发明提供了氮掺杂碳包覆镍铁钴中熵合金纳米球可控制备方法及其应用。先采用球磨法将摩尔比等比的镍粉、铁粉和钴粉与不锈钢小球放入球磨罐中，在氮气氛围下以600‑900rpm的转速球磨6‑8小时。再采用直流电弧等离子体法将球磨后的合金粉末压块放入直流电弧放电装置反应室内的阳极石墨锅中，在氮气氛围下，以气压为30‑50kPa，电流为100‑140A的条件起弧，反应后经冷却钝化在石墨锅表面收集到的黑色粉末为氮掺杂碳包覆镍铁钴中熵合金纳米球。纳米球直径约为10‑20nm，表面的壳层层数在30kPa，100A的反应条件下为2‑3层，在50kPa，140A的反应条件下为6‑7层。本发明还公开了其在电催化析氢方面的理论计算，计算表明氮掺杂碳包覆壳层有效提升了镍铁钴中熵合金的析氢性能。
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公开(公告)号：CN117510930A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311611153.5
申请日：2023-11-29
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明提供了一种柔性紫外线荧光防伪复合薄膜的制备方法和应用，其制备步骤包括：合成前驱物；将前驱物经高温热解、洗涤、干燥制备成六方氮化硼荧光粉；将六方氮化硼荧光粉与高分子聚合物复合得到一种柔性紫外线荧光防伪复合薄膜。本发明制备过程简单，成本低，安全绿色环保，无需复杂的处理，可快速实现大批量的制备。所得的柔性紫外线荧光防伪复合薄膜化学稳定性、柔性、延展性、隐蔽性、贴合性均良好，能够实现在日光下很好的隐藏，但在紫外光下可明亮地显示出制作的图案，可应用于光学防伪和光学信息加密等方面，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN117080250A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311200794.1
申请日：2023-09-15
IPC: H01L29/20 , H01L21/329 , H01L29/872 , H01L29/861 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种横向肖特基二极管器件及其制备方法，器件包括：高阻硅衬底层、六方氮化硼势垒层、阳极、阴极和钝化层；六方氮化硼势垒层位于高阻硅衬底层的上表面；高阻硅衬底层和六方氮化硼势垒层的接触界面形成异质结，异质结界面存在二维电子气沟道；阳极、阴极位于六方氮化硼势垒层的上表面；阳极和高阻硅衬底层形成肖特基接触；阴极和二维电子气沟道形成欧姆接触；钝化层，一部分位于阳极和阴极之间，另一部分延伸至阳极的部分上表面和阴极的部分上表面。通过高阻硅衬底层和六方氮化硼势垒层在异质结界面处的二维电子气，获得高载流子浓度、高迁移率的导电沟道，进而使器件获得更高的电流密度和更好的高频特性。
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公开(公告)号：CN116613467A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310633566.7
申请日：2023-05-31
Applicant: 吉林大学
IPC: H01M50/403 , H01M50/449 , H01M50/431 , H01M50/409
Abstract: 本发明涉及一种纳米片层状二硒化钨在锂硫电池中的应用方法。该应用方法采用直流电弧等离子体放电法制备的纳米片层状WSe2，工艺简单、耗材少、重复性高，同时保证样品产率与纯净度。将其作为锂硫电池中隔膜的修饰材料，能有效提升电池的循环稳定性和倍率性能。本发明适合规模化工业化生产，同时作为新型隔膜修饰材料在锂硫电池领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN116534808A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310633490.8
申请日：2023-05-31
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及一种二硒化钨纳米材料的制备方法及应用。该方法采用直流电弧等离子体放电法，将钨粉和硒粉按照一定物质摩尔比混合均匀压制成块，置于反应腔室的阳极石墨锅中，阴极钨棒与阳极石墨锅水平相对放置。在水冷系统和氩气气氛保护中进行放电反应，冷却钝化后，在冷凝壁套筒和石墨锅处获得WSe2纳米材料。同时，本发明还将WSe2纳米材料用于Li2S6溶液的吸附能力测试。本发明制备工艺简单、耗材少、重复性高，同时保证样品产率与纯净度，适合规模化工业化生产。此外，作为多硫化物的强吸附材料，WSe2纳米材料在电池领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN116288680A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310269252.3
申请日：2023-03-20
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于半导体材料科学技术领域，具体涉及一种蓝宝石衬底上大面积六方氮化硼异质外延膜及其制备方法。该技术方案提出一种蓝宝石衬底上直接生长的大面积六方氮化硼外延膜，所述的制备方法采用离子束辅助溅射方法，在生长过程中主辅离子源分别给予高能量的离子溅射，使高能B/N原子跨越其与衬底表面的优势取向能量势垒，与衬底表面形成共价结合，诱导六方氮化硼六角网格平面沿着纵向垂直于衬底表面进行外延，从而获得大面积垂直取向的六方氮化硼外延膜。相比于常见的范德华外延生长方式，本发明外延方式可以有效释放应力，使得六方氮化硼膜与衬底表面的结合力更强，稳固性更好，适宜做光电子器件和电子器件的模板、过渡层、散热层等。
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公开(公告)号：CN116216656A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310125554.3
申请日：2023-02-16
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B19/04 , C25B11/075 , C25B1/02
Abstract: 本发明为一种类椭球状三硒化二铌的制备方法及应用。将铌粉、硒粉以摩尔比为0.2:1‑0.5:1的比例均匀混合后压制成片，放入直流电弧等离子体放电装置内水平放置的阴阳极之间。在水冷系统和氩气氛围的保护下，将气压升至20‑60kPa、反应电流为120‑140A，阴阳两极起弧放电，反应完全后冷却钝化至室温。在石墨锅内收集到灰黑色粉末，其微观形貌为类椭球状Nb2Se3，长轴范围为0.5‑2μm。将含类椭球状Nb2Se3的硒化铌材料作为析氢反应催化剂，在5mV·s‑1的扫速下，类椭球状Nb2Se3在‑10mA·cm‑2的电流密度下可实现304mV的过电势，表明含类椭球状Nb2Se3的硒化铌材料具有一定的析氢催化活性。
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