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公开(公告)号：CN110479187A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910771949.4
申请日：2019-08-21
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种在高压力样品腔中产生局部剪切应力的方法，属于超硬材料技术领域。在样品内部随机位置放置1～10粒高硬度单晶，将包含高硬度单晶的样品粉压成圆柱状后放入叶腊石组装块中，由常压升压至3～5GPa，保压1.5min后卸至常压，随后将样品取出重新碾碎成粉末状，上述全部操作记为一次冷压操作，总共进行18～30次冷压操作，即可在样品中产生局部剪切应力。本发明操作简单，成本低，便于推广，实施过程中样品不易受到污染，与离心相结合可以得到粒径较为均匀的纳米样品。
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公开(公告)号：CN109928400A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910374280.5
申请日：2019-05-07
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B35/04
Abstract: 本发明的一种无粘接剂的纳米聚晶一硼化钛块体材料的制备方法属于硬质导体纳米块体材料制备的技术领域，以纳米c-TiB粉末为原料，首先对原料进行真空干燥处理，然后将原料在大于或等于3Gpa压力下1000K温度烧结30分钟，之后冷却卸压，得到纳米聚晶一硼化钛块体材。本发明在不使用粘接剂的情况下，利用高温高压烧结方法，制备出高性能的纳米聚晶块体材料，制备的材料致密高硬度高，本发明不仅对提高c-TiB的硬度有意义，而且对制备其他无粘接剂的高致密纳米体材料有重要参考价值。
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公开(公告)号：CN109704354A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201910170614.7
申请日：2019-03-07
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种单一相纳米立方一硼化钛的高温高压制备方法属于纳米二元硼化物制备的技术领域，以纳米钛粉、纳米硼粉为原料进行混合；经高温高压保持30分钟后冷却卸压，将所得样品研磨成粉末用热硫酸除去剩余的钛粉，再通过水洗烘干的工艺，制得单一相纳米立方一硼化钛。本发明利用纳米起始原料，有效降低反应能量，跨过o-TiB的生成区间，制备单一相的c-TiB，方法简单易操作，样品纯度高，粒径小且均一，适合后续工业应用。
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公开(公告)号：CN106517111B
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201610963363.4
申请日：2016-11-04
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B21/06
Abstract: 本发明的氮化铬的高温高压制备方法，属于半导体材料铬氮化物制备的技术领域。以三氯化铬、叠氮化钠以及用于降低反应速率的氯化钠为原料充分混合，冷压成圆柱状，装入压机的合成腔体；在压力为5GPa、温度为1700～2000℃的条件下保温保压15～60分钟，制得CrN和NaCl的混合块状产物；经碾碎研磨、水洗，干燥后得到高纯度的CrN粉末。本发明的方法不需要时刻监控反应腔的氧气和氮气浓度，不需要在高温下使用流通的氨气反应物。与传统制备方法相比大大缩短了制备时间，成本较低，反应可控，反应生成物清洗简单就得到高纯度的CrN；且属于新的反应机制。
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公开(公告)号：CN103741116B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410040025.4
申请日：2014-01-27
Applicant: 吉林大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/56 , B01D17/022
Abstract: 本发明的金刚石网及其分离油水混合物和转移液滴的应用，属于材料表面浸润性质应用的技术领域。金刚石网由金属网衬底与金刚石涂层构成；金刚石涂层是连续的CVD金刚石膜，并经过氢终止或氧终止表面处理；金属网衬底是微米孔径尺寸的铜网、钛网或不锈钢网。本发明金刚石涂层具有优良的耐强酸强碱的化学稳定性，并且当涂层表面为氢终止时体现为超疏水性，同时具有超亲油性，当涂层表面为氧终止时体现为亲水性，氢终止或氧终止表面能够相互转换，因此可以在任何酸碱度条件下实现高效油水分离和液滴转移；油水分离或液滴转移后的金刚石网经清水清洗后，可重复多次使用，性能没有任何变化，具备了自清洁性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105752949A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610077184.0
申请日：2016-02-03
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B21/06
Abstract: 本发明的一种层状铼氮化合物ReN2的合成方法，属于过渡金属化合物合成方法的技术领域，将铼粉和叠氮化钠以质量比1:2混合作为原料，放置于研钵中充分研磨，取研磨后的混合物装入DAC装置，向DAC装置充入液氩，然后将原料加压至30GPa，以20W的功率进行激光加热8～12分钟，得到层状结构的ReN2。本发明所用原料在空气中稳定，实验准备过程简单，合成安全性好并且可重复性高。
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公开(公告)号：CN103399044B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201310323217.1
申请日：2013-07-29
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的高温高压下原位测试导体物质输运性质的装置和方法，属于高压科学技术与材料科学技术的领域。装置是在高温高压合成组装块的侧面引进4条铜丝（4）作为测量电阻率的电极，引进两对热电偶（10）用于测量塞贝克系数，样品（5）与电极、热电偶（10）焊接点靠高温高压装置产生的压力固定。通过测得相对电阻值RA、RB和样品加压后的厚度d计算样品电阻率；通过测出两对热电偶的正极间的电势差Vef和负极间的电势差Vhg计算样品塞贝克系数。本发明方法简单，易于实施，成功率高，实验重复率好；解决了导线及热电偶在高压下容易断裂的问题；防止测量的电信号受加热电流的干扰，确保结果的准确性。
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公开(公告)号：CN102530974B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201210048073.9
申请日：2012-02-28
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B35/04
Abstract: 本发明的钼的硼化物的高温高压制备方法属于超硬材料制备的技术领域。以钼粉和硼粉为原料，经混料压块、组装、高温高压合成、冷却卸压的工艺过程制得钼的硼化物材料；所述的高温高压合成，是在压力为1.0～6.0GPa、温度为1500～2100K下保温保压10～120分钟；最后冷却卸压，得到钼的硼化物块状烧结体。本发明方法简单，易于实施；不采用任何助熔剂；通过优选的原料配比、合成温度、合成压力和保温保压时间，可以合成出单一相的Mo2B、MoB、MoB2或Mo2B5材料。
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公开(公告)号：CN101912749B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201010252545.3
申请日：2010-08-13
Applicant: 吉林大学
IPC: B01J3/06
Abstract: 本发明的一种产生大腔体超高静水压的装置属于超硬材料合成设备的技术领域。结构包括六面顶压机同步驱动的六个压砧(1)、用于组装六个压砧的钢环以及用于传递压力的垫块；压砧(1)的砧面(2)边长为1～6毫米；垫块是合金钢垫块(6)和碳化钨垫块(5)构成的二级垫块。本发明的装置可产生约50GPa、3000K的高温高压条件；提高了压强的转换效率；节省了设计、制造和安装的成本，节约了原材料；减少了能量的传递过程，可以节约能源；减少了设备的出错率，可以提高设备的运行稳定性、增加了设备的使用寿命、减少了维修人员的工作量。
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公开(公告)号：CN102517626A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110417939.4
申请日：2011-12-14
Applicant: 吉林大学
Abstract: Mg4Nb2O9单晶体的光学浮区生长方法属于化合物晶体生长技术领域。现有Mg4Nb2O9单晶体尺寸小质量差。本发明将MgO和Nb2O5混合，在1250～1400℃温度下烧结20～40小时，得到Mg4Nb2O9多晶粉体；将该多晶粉体制成棒状，之后在1400～1550℃温度下烧结10～40小时，得到Mg4Nb2O9多晶棒；将该多晶棒作为喂料棒，在光学浮区炉中，喂料棒在上，晶种在下，二者对接，对接处为熔区；在3～4小时内升温至熔区出现液相，之后在30～60rpm范围内调整喂料棒、晶种的转速，在熔区内喂料棒形状稳定10～20分钟，之后开始生长Mg4Nb2O9单晶，生长速率为2～6mm/h，直到得到直径为0.6～1.0cm的Mg4Nb2O9单晶棒；在Mg4Nb2O9单晶相变点以上降温时的降温速度为30～40℃/h，在该相变点以下降温时的降温速度为100～400℃/h，直到常温。
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