一种R-T-B磁体及其制备方法
    61.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112992463A

    公开(公告)日:2021-06-18

    申请号:CN202110287768.1

    申请日:2021-03-17

    Abstract: 本发明公开了一种R‑T‑B磁体及其制备方法。该R‑T‑B磁体包括以下组分:R:≥30.5wt.%,R为稀土元素;Nb:0.2~0.6wt.%;Ti:0.05~0.5wt.%;B:≥0.955wt.%;Fe:58~69wt.%,wt.%为各组分的质量占各组分总质量的百分比;所述R‑T‑B磁体中还含有Cu;所述R‑T‑B磁体中,所述Cu的质量含量与“所述Nb和所述Ti”的总质量含量的比值为0.5~3.5。本发明中的R‑T‑B磁体的配方,在制备成钕铁硼磁体材料过程中,充分发挥了Cu降低富钕相与主相之间的界面能的作用,进而显著提升了磁性能。

Patent Agency Ranking