一种基于滤波效应的太赫兹波谱测量装置及测量方法

    公开(公告)号:CN106768338A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201611127508.3

    申请日:2016-12-09

    CPC classification number: G01J3/30 G01J3/0208 G01J3/0229 G01J3/027

    Abstract: 本发明涉及一种基于滤波效应的太赫兹波谱测量装置及测量方法,避开采用傅里叶变换的方法,因此无需先得到待测太赫兹波的时域谱,也不需要使用机械延迟装置,其结构和光路较为简单,因此整个装置的成本较低;而且对于各种预设滤波条件所对应的滤波单元来说,太赫兹波在滤波单元各个出射部位和出射的各个方向上,具有相同的透射波谱,它们都是经过相同的滤波作用,能够提高光谱测量的稳定性,并且所设计基于滤波效应的太赫兹波谱测量装置,通过解方程组复原太赫兹波谱的方法,使得光谱复原范围和分辨率不再受机械装置移动范围和飞秒激光器重复频率的限制,因此分辨率较高、光谱复原范围较宽。

    一种太赫兹波的光学调制器件、调制方法及装置

    公开(公告)号:CN104166249B

    公开(公告)日:2017-03-22

    申请号:CN201410349829.2

    申请日:2014-07-22

    Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波的光学调制器件,用于对太赫兹波进行调制。该光学调制器件包括由金属层以及附着于所述金属层一侧表面的本征半导体层所构成的复合层,该本征半导体在照射其表面的光强调制下的最大等离子体频率小于调制范围内的太赫兹波的频率;复合层上设置有亚波长孔阵列结构。本发明还公开了一种太赫兹波的光学调制方法,令太赫兹波由光学调制器件的本征半导体层一侧向另一侧发射;通过改变照射在光学调制器件的本征半导体层表面的光强,使得穿过光学调制器件后的太赫兹波的强度随之变化,实现太赫兹波的调制。本发明可在正常温度下实现太赫兹波的强度调制,且调制的频率和幅度范围大、调制速度快,实现成本低。

    基于衍射效应的太赫兹波谱测量装置及其测量方法

    公开(公告)号:CN105675131A

    公开(公告)日:2016-06-15

    申请号:CN201610020926.6

    申请日:2016-01-13

    Abstract: 本发明公开了一种基于衍射效应的太赫兹波谱测量装置及其测量方法。待测太赫兹波经由衍射器件后形成太赫兹频率的衍射波,衍射波在衍射控制器的不同控制条件作用下被探测器所接收;衍射器件可令不同频率的入射太赫兹波形成不同的衍射波强度角分布,衍射控制器用来改变透过衍射器件的太赫兹衍射波在探测器位置处的衍射场分布,使得固定频率的入射太赫兹波在衍射控制器不同控制条件作用下被探测器所接收到的衍射波强度互不相同;计算处理单元用来接收探测器的测量结果,并进行数据分析和处理。本发明的太赫兹波谱测量装置相比现有的太赫兹时域波谱测量装置具有体积较小、易于制作、成本相对低廉,且频率分辨率高、光谱测量范围宽等优点。

    一种基于声光调制的光谱测量装置及光谱测量方法

    公开(公告)号:CN103728019B

    公开(公告)日:2015-10-21

    申请号:CN201310706216.5

    申请日:2013-12-19

    Abstract: 本发明公开了一种基于声光调制的光谱测量装置,属于光学测量技术领域。本发明的光谱测量装置包括沿入射光方向依次设置的声光调制器、光探测器。本发明还公开了一种基于声光调制的光谱测量方法,首先测量不同声场强度下光探测器所检测到的光功率,并以得到的光功率数据作为增广矩阵,结合所述光探测器在不同声场强度下对不同频率入射光的探测率所组成的系数矩阵,建立线性方程组;对该线性方程组求解,得到待测入射光中各频率分量的光功率,然后对其进行线性拟合,并经光谱辐射定标,得到待测入射光的光谱。相比现有技术,本发明具有抗振动能力强、分辨率高、光谱测量范围宽等显著优点。

    一种光谱仪
    65.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103196557B

    公开(公告)日:2015-01-28

    申请号:CN201310092371.2

    申请日:2013-03-21

    Abstract: 本发明公开了一种光谱仪,属于光学测量技术领域。本发明的光谱仪包括沿光路入射方向依次设置的光学准直装置、分光器件、阵列式探测芯片,以及与所述阵列式探测芯片连接的数据采集与分析系统;所述分光器件包括透明基底,所述透明基底的至少一个表面上固着有至少一层透明涂层,所述透明涂层中包含有一组尺寸或形状不均匀分布的气泡。相比现有技术,本发明具有制作简单、实现成本低、便携性好,以及较高的分辨率和较宽的光谱测量范围的优点。

    一种光谱测量装置及测量方法

    公开(公告)号:CN103913226A

    公开(公告)日:2014-07-09

    申请号:CN201410113837.7

    申请日:2014-03-25

    Abstract: 本发明公开了一种光谱测量装置,属于光学测量技术领域。本发明的光谱测量装置,包括光学准直装置、光散射器件、阵列式探测芯片,以及与所述阵列式探测芯片连接的数据采集与分析系统;经由光学准直装置准直后的入射光经由光散射器件形成散射光,并被阵列式探测芯片接收;所述光散射器件可令不同频率的入射光形成不同的散射光强角分布,且相同频率的入射光在光散射器件的不同部位所产生的散射光强分布也不同。本发明还公开了一种采用上述装置的光谱测量方法。相比现有技术,本发明具有体积更小、结构复杂度及制作成本更低的优点,并提出了一种新的光谱测量技术途径。

    基于磁光调制的光谱测量装置及光谱测量方法

    公开(公告)号:CN103759829A

    公开(公告)日:2014-04-30

    申请号:CN201410000783.3

    申请日:2014-01-02

    Abstract: 本发明公开了一种基于磁光调制的光谱测量装置,属于光学测量技术领域。本发明光谱测量装置包括沿入射光方向依次设置的第一偏振片、磁光调制器件、第二偏振片、光探测器。本发明还公开了一种使用上述装置的光谱测量方法,首先测量在不同磁场强度下进行磁光调制时光探测器所检测到的光功率,并以得到的光功率数据作为增广矩阵,结合光谱测量装置在不同磁场强度下对不同频率入射光的探测率所组成的系数矩阵,建立线性方程组;对该线性方程组求解,得到待测入射光中各频率分量的光功率,然后对其进行线性拟合、光谱定标,得到待测入射光的光谱。本发明具有抗振动能力强、分辨率高、光谱测量范围宽等优点。

    一种基于电光效应的光谱测量装置及其光谱测量方法

    公开(公告)号:CN103728021A

    公开(公告)日:2014-04-16

    申请号:CN201310703202.8

    申请日:2013-12-19

    Abstract: 本发明公开了一种基于电光效应的光谱测量装置,包括沿入射光方向依次设置的第一偏振片、电光效应晶体、第二偏振片、光探测器;其中,第一偏振片的偏振方向与所述电光效应晶体在外加电场下的感应主轴方向不平行。本发明还公开了使用上述装置的光谱测量方法:首先测量对电光效应晶体施加不同外加电压下光探测器所检测到的光功率,并以得到的光功率数据作为增广矩阵,结合光谱测量装置在不同外加电压下对不同频率入射光的探测率所组成的系数矩阵,建立线性方程组;对该线性方程组求解,得到待测入射光中各频率分量的光功率,然后对其进行线性拟合、辐射定标,得到待测入射光的光谱。本发明具有抗振动能力强、分辨率高、光谱测量范围宽等优点。

    太赫兹表面等离子体波光学调制器及其调制方法

    公开(公告)号:CN102096269B

    公开(公告)日:2012-11-28

    申请号:CN201110009521.X

    申请日:2011-01-18

    Abstract: 本发明公布了一种太赫兹表面等离子体波光学调制器及其调制方法,所述调制器包括一个本征半导体晶片、两个平行放置的刀片或者光栅、连续波激光器和调制准直系统以及一个温度控制装置。所述方法采用连续波激光器和调制准直系统发出激光调制信号照射在本征半导体晶片从而改变该本征半导体晶片表面各处的光生载流子数量;通过改变激光调制信号的光强对本征半导体晶片表面所传输的太赫兹表面等离子体波进行调制;两个平行放置的刀片或光栅用于将太赫兹波耦合为太赫兹表面等离子体波以及将调制后的太赫兹表面等离子体波耦合为太赫兹波。本发明制作成本低、能量损耗小,调制频率范围宽,可以实现归零调制,可以实现快速调制。

    太赫兹表面等离子体波温度控制开关及其控制方法

    公开(公告)号:CN102176521A

    公开(公告)日:2011-09-07

    申请号:CN201010578297.1

    申请日:2010-12-08

    Abstract: 太赫兹表面等离子体波温度控制开关及控制方法涉及到一种太赫兹表面等离子体波温度控制装置,和利用本征半导体等离子体频率随温度变化的特性调制太赫兹表面等离子体波的一种方法。该开关包括一个等离子体频率在常温下处于太赫兹波段的本征半导体晶片(2)、两个平行放置的刀片(3)、以及一个温度控制器(5),两个刀片(3)垂直于本征半导体晶片(2),两个刀片(3)的刀口离本征半导体晶片(2)上表面的距离小于最大频率的太赫兹表面等离子体波(4)在空气中的衰减距离,采用刀片(3)将太赫兹波转化为太赫兹表面等离子体波,以及过程相反的转化,通过温度控制器(5)控制本征半导体晶片(2)温度,从而改变该本征半导体的载流子浓度。

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