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公开(公告)号：CN102417220A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110383611.5
申请日：2011-11-28
Applicant: 南京大学
CPC classification number: Y02W10/37
Abstract: 本发明公开了钽掺杂氧化锌纳米粉末光催化剂在水处理抗菌中的应用。上述菌种包括革兰氏阳性菌枯草芽孢杆菌、金黄色葡萄球菌、革兰氏阴性菌大肠杆菌和铜绿假单胞杆菌。首次表明钽掺杂氧化锌纳米粉末能在暗环境及可见光下抑制细菌生长，而且抗菌性优于纯氧化锌纳米粉末。且光催化可以有效降低暗环境下的MIC，更小的加入量就可以达到较高的抑菌效果。
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公开(公告)号：CN101716503B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200910234581.4
申请日：2009-11-23
Applicant: 南京大学
IPC: B01J23/20 , B01J37/08 , A62D3/10 , C02F1/30 , A62D101/26 , C02F101/38
Abstract: 本发明公开了一种可见光催化剂BiNbO4、其制备方法及应用，催化剂制备方法是：将铌前体和可溶性铋盐混合，搅拌后形成透明溶液；在60～80℃条件下搅拌，调节pH值到7～8；将调节好的溶液在80～250℃的烘箱中烘3～10小时，得到黄棕色的前体粉末；将前体粉末进行550～1050℃退火1～24h小时，得到BiNbO4粉末。本发明首次发现了各种晶型的BiNbO4粉末能在可见光下催化分解有机物染料，而且该催化剂的合成方法简单，且合成的BiNbO4粉末具有高的催化活性，在可见光下1.5小时可以将甲基紫降解完全，其可用于工业污水的治理，染料废水的降解等，应用范围较广。
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公开(公告)号：CN102097105A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010567810.7
申请日：2010-12-01
Applicant: 南京大学
IPC: G11B5/84
Abstract: 本发明公开了一种FePt/CoPt-非磁氧化物磁性复合薄膜的制备方法，首先制备FePt/CoPt超顺磁纳米颗粒，再将颗粒做水溶性处理，制备非磁氧化物前体溶胶，将水溶性FePt/CoPt颗粒和非磁氧化物前体溶胶进行复合，在非磁性衬底上，采用甩胶法或滴注法制备复合薄膜，最后将制备的复合薄膜在650～750℃高温退火，即获得复合薄膜。该方法利用溶胶凝胶成膜工艺与FePt/CoPt纳米颗粒自组装的结合优势，制备出有序的FePt/CoPt纳米颗粒与无机非磁体复合结构薄膜，有效地保证了FePt/CoPt纳米颗粒在高温相变过程中的不发生团聚，以获得具有高矫顽力、可用于磁存储记录的薄膜复合材料。
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公开(公告)号：CN102024707A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010530165.1
申请日：2010-11-03
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/283
Abstract: 本发明公开了一种GaAs基MOS器件的制备方法，首先对衬底进行清洗，之后用8~40%体积比的(NH4)2S水溶液浸泡10~40分钟进行钝化。然后用MOCVD沉积薄层Gd2O3控制层，最后用ALD沉积高k栅介质层。本发明通过引入薄层Gd2O3控制层，能够有效抑制界面处As氧化物和Ga氧化物的形成，改善了栅介质与GaAs衬底之间的界面质量，并且有效地调节了n-GaAs和栅介质薄膜之间的能带补偿，改进了栅介质薄膜的电学性能，GaAs基MOS器件表现出较高的积累态电容、较小的电容回滞和较低的漏电流密度。此方法工艺简单，在GaAs基MOSFET器件的制备上具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN101962758A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN201010276921.2
申请日：2010-09-09
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/02 , C23C16/06
Abstract: 本发明公开了一种在锗衬底上低温原子层沉积Hf基栅介质薄膜的方法，首先对锗衬底进行清洗、钝化；将钝化好的衬底放入ALD反应室中，温度为140-170℃，以三甲基铝Al(CH3)3和硝酸铪Hf(NO3)4为前躯体，先通入金属源TMA脉冲，接着通入清洗脉冲；再通入金属源Hf(NO3)4脉冲，最后再通入清洗脉冲，即为一个原子层沉积循环周期；根据欲沉积的Hf基栅介质薄膜厚度，重复循环周期，即得到在锗衬底上低温原子层沉积Hf基栅介质薄膜。本发明通过在低温下沉积栅介质氧化物，有效地减少了表面的锗氧化物，防止了Ge的扩散和GeOx的生成，明显地改进了电学性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101787522A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010137810.3
申请日：2010-04-02
Applicant: 南京大学
CPC classification number: C23C16/0281 , C23C16/45525
Abstract: 本发明公开了一种超高密度有序的磁性纳米颗粒复合薄膜的制备方法，其步骤是首先制备FePt/CoPt超顺磁纳米颗粒；自组装含有的FePt/CoPt超顺磁纳米颗粒的非磁性衬底，采用原子层沉积技术在包含单层FePt/CoPt纳米颗粒点阵的衬底表面生长10～30纳米的无机非磁性基体薄膜保护层；将沉积后的衬底放于管式扩散炉，在90～97％Ar和10～3％H2的还原性气氛中，于600～750℃高温条件下，退火30～90分钟，获得FePt/CoPt铁磁纳米颗粒与氧化物的复合薄膜。本发明可以获得了具有L10相和较好磁性能的有序FePt/CoPt纳米颗粒复合薄膜，其磁矫顽场达到Hc＝5.9kOe。
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公开(公告)号：CN100358626C
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200410041816.5
申请日：2004-08-30
Applicant: 南京大学
Abstract: 高比表面的钽酸盐和铌酸盐光催化剂的制备方法，先使用钽或铌的五氧化物为原料，得到水溶性的铌前体或钽的草酸盐水溶液；用上述方法获得稳定的水溶性的钽或铌的前体再用以制备钽酸盐和铌酸盐光催化剂，即制备含碱金属和碱土金属的钽酸盐和铌酸盐，根据配方的组分将碳酸锶、碳酸钡、碳酸锂、或稀土硝酸盐加入水溶性的草酸钽或草酸铌的前体溶液，溶于螯合剂EDTA，再加入柠檬酸，让金属离子与柠檬酸的摩尔比在1.4～10之间，加入适量乙二醇作为络合剂，在60—80℃加热并搅拌，获得钽酸盐和铌酸盐光催化剂的前体溶液，聚酯化、灼烧2—4小时后并在600—900℃热处理，得到钽酸盐和铌酸盐光催化剂。
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公开(公告)号：CN1315733C
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200410014962.9
申请日：2004-05-21
Applicant: 南京大学
Abstract: 稳定的水溶性的铌和钽前体的制备方法，便用钽或铌的五氧化物为原料，将五氧化铌或五氧化钽与氢氧化钾或氢氧化钠按摩尔比混合研磨均匀，在400-550℃灼烧反应2-4小时，获得铌酸钾(钠)或钽酸钾(钠)的熔体；将熔体溶于去离子水，过滤后的清液，使溶液呈强酸性(pH＜2)，使溶液中的铌或钽以铌酸或钽酸形式完全沉淀出来；将铌酸沉淀加入适量的柠檬酸的水溶液或钽酸沉淀加入适量的草酸的水溶液，得到水溶性的铌前体或钽的草酸盐水溶液。本发明用于制备SBN等铁电体前体溶液，利用廉价、稳定的原料，通过一种简便可行的合成路径，获得极其稳定的水溶性的钽或铌的前体。
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公开(公告)号：CN1597097A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410041816.5
申请日：2004-08-30
Applicant: 南京大学
Abstract: 高比表面的钽酸盐和铌酸盐光催化剂的制备方法，先使用钽或铌的五氧化物为原料，得到水溶性的铌前体或钽的草酸盐水溶液；用上述方法获得稳定的水溶性的钽或铌的前体再用以制备钽酸盐和铌酸盐光催化剂，即制备含碱金属和碱土金属的钽酸盐和铌酸盐，根据配方的组分将碳酸锶、碳酸钡、碳酸锂、或稀土硝酸盐加入水溶性的草酸钽或草酸铌的前体溶液，溶于螯合剂EDTA，再加入柠檬酸，让金属离子与柠檬酸的摩尔比在1∶4～10之间，加入适量乙二醇作为络合剂，在60－80℃加热并搅拌，获得钽酸盐和铌酸盐光催化剂的前体溶液，聚酯化、灼烧2－4后并在600－900℃热处理，得到钽酸盐和铌酸盐光催化剂。
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公开(公告)号：CN120015745A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510109523.8
申请日：2025-01-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有非晶高熵氧化物保护层的锌负极及其制备方法和应用，属于水系锌离子电池负极技术领域，本发明利用ALD技术制备了一种具有长循环寿命的非晶高熵氧化物保护层的锌离子电池锌负极材料；ALD改性的高熵氧化物保护层抑制了锌负极表面的锌枝晶和副产物；高熵氧化物电极由于各种元素的混合效应，其具有丰富的亲锌位点，促进了均匀的锌沉积，而且高熵氧化物改性的电极增强了锌离子的迁移动力学，促进了锌离子的脱溶剂化过程，降低了锌沉积能垒，取得出色与稳定的锌负极电化学性能。
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