-
公开(公告)号：CN112582505A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011266318.6
申请日：2020-11-13
Applicant: 华灿光电(浙江)有限公司
Abstract: 本公开提供了一种发光二极管外延片的生长方法，属于半导体技术领域。生长方法包括：生长所述有源层的各层GaN量子垒层时，向反应腔内间断性地通入氢气，持续性地通入氮气，且每次停止通入所述氢气时，控制通入的所述氮气的流量增大，每次通入所述氢气时，控制通入的所述氮气的流量减小；每层所述GaN量子垒层在生长时的生长温度和五三比均由高至低变化多次，生长速率先逐渐升高、再逐渐降低、再保持不变、再逐渐升高。该生长方法可以提高量子阱层和量子垒层的界面晶体质量，进而提高发光二极管的发光效率。
-
公开(公告)号：CN112366259A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011061541.7
申请日：2020-09-30
Applicant: 华灿光电(浙江)有限公司
Abstract: 本公开提供了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。多量子阱层的垒层中，第一InGaN子层可实现与InGaN阱层之间的良好过渡，保证垒层在InGaN阱层上的生长基础，第一InN子层则作为过渡层，实现第一InGaN子层到SiN子层的良好过渡与生长，提高SiN子层的晶体质量。而SiN子层本身可起到阻挡位错延伸的作用，避免位错向上延伸，进一步提高在SiN子层上生长的外延结构的晶体质量。最后生长的非掺杂GaN子层则起到常规的GaN垒层作用，保证多量子阱层可正常发光。多量子阱层的晶体质量可得到大幅度提高，最终得到的发光二极管的发光效率也得到提高。
-
公开(公告)号：CN112366255A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011061495.0
申请日：2020-09-30
Applicant: 华灿光电(浙江)有限公司
Abstract: 本公开提供了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。在GaN缓冲层上依次层叠的成核层、GaN填平层及n型GaN层中均掺杂有n型杂质。成核层与GaN填平层中n型杂质的掺杂浓度是逐渐增加的，减少底层存在的缺陷，为后续生长的外延结构提供一个良好的生长基础来减少缺陷。而n型GaN层中n型杂质的掺杂浓度为2E8～6E18/cm3，n型GaN层中n型杂质的掺杂浓度相对传统n型GaN层大幅度减小，掺杂的Si源分散到GaN填平层及成核层中，缺陷的密度会减小，n型GaN层本身的质量可以得到提高，在n型GaN层上生长的有源层的质量也可以得到提高，最终得到的发光二极管外延片的质量得到提高。
-
公开(公告)号：CN111834496A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010462407.1
申请日：2020-05-27
Applicant: 华灿光电(浙江)有限公司
Abstract: 本公开提供了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。GaN成核层与GaN填平层之间的插入层包括依次层叠在GaN成核层上的SiN子层、InN子层与AlGaN子层。SiN子层的表面平整度相对较好。SiN子层上层叠的InN子层性质较为稳定，在SiN子层上生长时，不易由于高温而出现分解的情况，保证InN子层生长完毕时，InN子层整体表面较为均匀，AlGaN子层可以形成Ga原子占据较大面积的Ga性表面，Ga原子占据较大面积的Ga性表面则可以与GaN填平层进行良好接触，使得在AlGaN子层上生长的GaN填平层具有较好的晶体质量与表面平整度，最终提高发光二极管外延片的晶体质量。
-
公开(公告)号：CN109873063B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201910045276.4
申请日：2019-01-17
Applicant: 华灿光电(浙江)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管外延片及其生长方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、应力释放层、有源层和P型半导体层，缓冲层、N型半导体层、应力释放层、有源层和P型半导体层依次层叠在衬底上；应力释放层包括依次层叠的多个复合结构，每个复合结构包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层；第一子层的材料采用掺杂硅和铟的氮化镓，第二子层的材料采用掺杂硅的氮化镓，第三子层的材料采用掺杂铟的氮化镓；同一个复合结构中，第二子层中硅的掺杂浓度小于第一子层中硅的掺杂浓度，第三子层中铟的掺杂浓度大于第一子层中铟的掺杂浓度。本发明可提高LED的发光效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109873057B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201910085715.4
申请日：2019-01-29
Applicant: 华灿光电(浙江)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管外延片及其生长方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，有源层包括第一叠层结构、第二叠层结构、第三叠层结构和第四叠层结构，第一叠层结构的量子垒包括第一子层、第二子层和第三子层，第二叠层结构的量子垒包括第四子层和第五子层，第一子层、第三子层、第四子层、第四叠层结构的量子垒的材料均采用不掺杂的氮化镓，第二子层、第五子层、第三叠层结构的量子垒的材料均采用掺杂硅的氮化镓；第一叠层结构的量子垒中硅的平均掺杂浓度、第二叠层结构的量子垒中硅的平均掺杂浓度、第三叠层结构的量子垒中硅的掺杂浓度逐渐减小。本发明最终提高辐射复合效率。
-
公开(公告)号：CN108695415B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201810267216.2
申请日：2018-03-28
Applicant: 华灿光电(浙江)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管外延片及其生长方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、N型半导体层、有源层、低温P型半导体层、电子阻挡层和高温P型半导体层，所述低温P型半导体层包括依次层叠的第一单层结构、第二单层结构和超晶格结构，所述第一单层结构为掺杂铝的氮化镓层，所述第二单层结构为没有掺杂铝的氮化镓层，所述超晶格结构包括交替层叠的多个第一子层和多个第二子层，每个所述第一子层为掺杂铝的氮化镓层，每个所述第二子层为没有掺杂铝的氮化镓层。本发明通过第一单层结构阻挡缺陷的延伸，同时阻挡电子泄露，超晶格结构有效阻断低温P型半导体层低温生长带来的缺陷，并进一步阻挡电子泄露。
-
公开(公告)号：CN107068824B
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201710134805.9
申请日：2017-03-07
Applicant: 华灿光电(浙江)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述外延片包括衬底，低温氮化镓层、高温氮化镓层、N型氮化镓层、有源层、电子阻挡层和P型氮化镓层；有源层包括依次层叠的多个量子层，多个量子层中的每个量子层包括依次层叠的阱层、盖层和垒层，阱层为铟镓氮层，垒层为氮化镓层，多个量子层中与电子阻挡层的距离最近的至少一个量子层中的盖层为第一盖层，第一盖层包括多层铝镓氮层和多层氮化镓层，多层铝镓氮层和多层氮化镓层交替层叠设置，多层氮化镓层中与垒层的距离最近的至少一个氮化镓层为第一氮化镓层，第一氮化镓层中掺有低于设定浓度的硅。本发明提高了LED的晶体质量。
-
公开(公告)号：CN109873063A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201910045276.4
申请日：2019-01-17
Applicant: 华灿光电(浙江)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管外延片及其生长方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、应力释放层、有源层和P型半导体层，缓冲层、N型半导体层、应力释放层、有源层和P型半导体层依次层叠在衬底上；应力释放层包括依次层叠的多个复合结构，每个复合结构包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层；第一子层的材料采用掺杂硅和铟的氮化镓，第二子层的材料采用掺杂硅的氮化镓，第三子层的材料采用掺杂铟的氮化镓；同一个复合结构中，第二子层中硅的掺杂浓度小于第一子层中硅的掺杂浓度，第三子层中铟的掺杂浓度大于第一子层中铟的掺杂浓度。本发明可提高LED的发光效率。
-
公开(公告)号：CN107093654B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201710158091.5
申请日：2017-03-16
Applicant: 华灿光电(浙江)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管外延片的制造方法，属于半导体技术领域。包括：提供一衬底；在衬底上依次生长低温缓冲层、高温缓冲层、电子提供层、有源层、电子阻挡层、空穴提供层和P型接触层；空穴提供层包括(n+1)个掺杂镁的氮化镓层和n个铟镓氮层，n为正整数，空穴提供层中铟镓氮层的最高生长温度低于所述镁的氮化镓层的最低生长温度，空穴提供层中铟镓氮层的最大厚度小于所述掺杂镁的镓层的最小厚度。本发明利用低温的铟镓氮层缓解高温的掺杂镁的氮化镓层对有源层产生高温破坏，从而实现在避免有源层被高温破坏的情况下，提高掺杂镁的氮化镓层的生长温度促进镁的活化，进而增加空穴提供层提供的空穴数量，提高发光二极管的发光效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
102
records
(took 0.043 seconds)
