本公开提供了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。在GaN缓冲层上依次层叠的成核层、GaN填平层及n型GaN层中均掺杂有n型杂质。成核层与GaN填平层中n型杂质的掺杂浓度是逐渐增加的，减少底层存在的缺陷，为后续生长的外延结构提供一个良好的生长基础来减少缺陷。而n型GaN层中n型杂质的掺杂浓度为2E8～6E18/cm3，n型GaN层中n型杂质的掺杂浓度相对传统n型GaN层大幅度减小，掺杂的Si源分散到GaN填平层及成核层中，缺陷的密度会减小，n型GaN层本身的质量可以得到提高，在n型GaN层上生长的有源层的质量也可以得到提高，最终得到的发光二极管外延片的质量得到提高。