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公开(公告)号：CN206834196U
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201720628206.8
申请日：2017-06-01
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本实用新型公开一种微米尺寸倒装LED芯片，特点是制备LED的GaN外延层是台型结构，台型结构的台基和台面都呈圆台型，台基上分布有n-电极圆环，台面顶部的边缘分布有电流扩展圆环，电流扩展材料在300℃的温度下不会发生离子扩散，电流扩展圆环顶部的边缘和台型结构的侧壁是钝化层，钝化层采用化学气相沉积介质绝缘层和周期数不小于1的分布布拉格反射镜层，台面顶部和钝化层侧壁覆盖p-反射电极层。本实用新型可提高反射镜的反射率，同时避免反射电极层中的金属扩散导致的漏电现象，并且在光刻工艺中具有较大的对准容差。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206422087U
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201621427730.0
申请日：2016-12-23
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本实用新型公开了一种基于表面等离子体效应的宽带高效GaN基LED芯片。该宽带高效GaN基LED芯片为倒装结构，由下至上依次包括衬底、缓冲层、非故意掺杂GaN层、n‑GaN层、量子阱层、电子阻挡层、p‑GaN层、金属反射镜层、钝化层、p‑电极层、n‑电极层、p‑电极孔和n‑电极孔；所述金属反射镜层的底面连接p‑GaN层的表面处具有微米‑纳米复合金属结构。微米金属结构包含交替出现的凸起部分和凹槽部分；凸起部分延伸至量子阱附近，实现高效SP‑MQW耦合；凹槽部分覆盖在p‑GaN表面，使p‑GaN层具有足够的厚度注入空穴；纳米金属结构分布在微米金属结构与p‑GaN的分界面上。
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公开(公告)号：CN202948966U
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201220620995.8
申请日：2012-11-22
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本实用新型公开具有导光柱的高压LED芯片，特点是在高压芯片每颗晶粒单元的侧面形成具有倾斜角度的导光柱，导光柱的横截面形状是波浪形、三角形或半圆形的周期性结构。本实用新型的导光柱能够改变光束由GaN基发光二极管材料传播至空气时的入射角以避免全反射，同时能够避免光束在该GaN基发光二极管内部重复反射而造成的损耗，提高高压LED芯片的侧面出光效率。同时具有正梯形侧面角度能够保证蒸镀连接桥时不出现短路，侧壁出光能够增大每颗晶粒的发光面积，同时能够减少晶粒侧面发出的光线在晶粒与晶粒之间、晶粒与衬底之间以及晶粒内部发生来回折反射造成的损耗。
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公开(公告)号：CN209947839U
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201821607940.7
申请日：2018-09-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本实用新型公开了倒装结构微尺寸光子晶体LED阵列芯片。本实用新型的LED阵列芯片，四个发光单元并联，正电极金属连接线与半导体材料之间由介质绝缘层隔离，负电极直接覆盖在半导体材料上表面；发光单元的有源区域具有周期分布的光子晶体，光子晶体的深度超过有源层的深度；除电极焊盘外，整个芯片表面都分布有介质DBR；金属电极构成金属反射镜。本实用新型的制备方法，采用先制备欧姆接触层和电极、后刻蚀光子晶体的方案，无需平坦化等传统工艺流程；采用较厚的条状介质绝缘层隔离电极与半导体材料，较薄的介质掩膜层与胶掩膜层共同刻蚀的方案，有利于DBR的沉积以及光子模式的快速逸出；本实用新型的工艺流程简单、可靠。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207217535U
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201721100295.5
申请日：2017-08-30
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L27/115 , F21S8/00 , G09G3/32 , G09G3/38
Abstract: 本实用新型提供一种GaN基微米尺寸LED阵列芯片及集成模块。集成模块由GaN基微米尺寸LED阵列芯片、偏置树电路、MOS开关阵列和现场可编程门阵列（FPGA）组成。LED阵列芯片由高速通信发光单元和低速通信发光单元构成，高速通信发光单元工作在较大电流密度下；低速通信发光单元工作在较小电流密度下。高速通信发光单元直接与信号源连接，传输高频交流信号；低速通信发光单元与MOS开关阵列连接，受FPGA控制选择导通一路以上的发光单元，实现照明、显示功能，并传输低频交流信号。本实用新型可以实现两通道的高速通信和多通道的低速通信，而且低频通信发光单元还具有照明和显示功能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN203218311U
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201220694808.0
申请日：2012-12-14
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本实用新型属于半导体光电子器件制造技术领域，具体涉及到一种N型透明电极结构的功率型LED芯片，其具体结构包括：衬底、缓冲层、缓冲层上的本征层、本征层上的N型层、N型层上的发光层、发光层上的P型层、P型层上的电流阻挡层、P型层和电流阻挡层上的透明导电层、P电极和形成于N型台面上的N型透明电极以及N型焊点处电极。本实用新型制作的N型透明电极能够有效地改善传统功率型芯片中大面积N电极金属对光的阻挡和吸收，提高了芯片的发光亮度。同时该实用新型还具有工艺制作简单，用透明电极取代价格昂贵的金属电极，极大地降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN203162833U
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201220332890.2
申请日：2012-07-10
Applicant: 华南理工大学
IPC: F21V5/04 , F21W101/027 , F21W101/10 , F21Y101/02
Abstract: 本实用新型公开了用于LED摩托车近光灯的自由曲面光学透镜，所述透镜的内侧是一具有空腔，使用时LED从该开口端进入并安装于该空腔内；透镜包括入射面及出射面，透镜的内侧为所述入射面，入射面由所述空腔顶部的自由曲面和腔壁的柱面构成；而透镜外侧的顶部平面即为所述出射面，透镜外侧的侧面为外围自由曲面；所述透镜分为上、下两部分，透镜上部分主要用于将LED光源射向水平面以上的光照向水平面以下的照明面上；透镜下部分则主要用于将LED光源向水平面以下扩散的光会聚到水平面以下的照明面上。本实用新型结构简单，体积小，不需要其它的辅助装置进行配光，提高了光能利用率，眩光效应低，达到GB5948-1998的配光要求。
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公开(公告)号：CN209766421U
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201821607904.0
申请日：2018-09-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本实用新型公开了具有增透钝化层的纳米孔LED阵列芯片。本实用新型的LED阵列芯片，由N×N个发光单元组成，其中N≥2，每个发光单元的阳极单独引出，所有发光单元共阴极；发光单元的有源区具有较深的纳米孔，纳米孔的深度超过量子阱层；GaN材料表面的介质薄膜层也分布有较浅的纳米孔，纳米孔的底部有介质薄膜。本实用新型通过有源区域上介质钝化层开槽，结合软膜纳米压印技术，使得有源区域的深纳米孔和钝化层的浅纳米孔可同时制备完成，有源区域的深纳米孔提高了辐射复合速率，钝化层的浅纳米孔构成了增透的钝化层，都有利于提高光子模式的逸出，提高出光效率和调制带宽。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208861987U
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201821607889.X
申请日：2018-09-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本实用新型公开了一种表面粗化的纳米孔LED阵列芯片，包括四个发光单元通过金属线连接实现串联，金属线与半导体材料之间由介质绝缘层隔离；发光单元的有源区的直径是100μm至200μm之间；整个芯片表面都具有纳米孔，纳米孔的直径是300nm至1000nm之间。本实用新型使用负胶光刻和电子束蒸发沉积制备电极时，沉积四层金属薄膜之后，新增一层介质薄膜；同时，采用条状介质绝缘层隔离金属电极与半导体材料，在金属电极以外的其它区域没有介质薄膜；其中有源区域的纳米孔提高了辐射复合速率，整个芯片表面的纳米孔构成了表面粗化，都有利于光子模式的逸出，提高出光效率和调制带宽。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207217575U
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201721105813.2
申请日：2017-08-30
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本实用新型公开了一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片。本实用新型的LED芯片为倒装薄膜结构，外延薄膜仅包含p-GaN层、量子阱层和n-GaN层，在p-GaN层下面是高反射率的金属反射电极，在n-GaN层上面是介质分布布拉格反射镜，金属反射电极和介质DBR构成谐振腔的反射镜，谐振腔的腔长是波长数量级。本实用新型制备方法将LED外延片的衬底通过第一次光电辅助化学腐蚀和第二次化学腐蚀去除，再通过金属键合使LED外延片分布在导热基板上，得到所述化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片。本实用新型不需要引入额外的材料，因此不会造成外延生长设备真空腔室的污染，同时有利于降低谐振腔的长度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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