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公开(公告)号：CN118539507A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410633941.2
申请日：2024-05-21
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于阻抗模拟的负序有功无功自动解耦控制方法及系统，该方法将控制对象由基于绝对相角的负序电流转化为基于相对相角的负序模拟阻抗。该方法可以实现负序有功、无功自动解耦控制，从而消除对负序锁相环的依赖。为了应对不同的使用场景，该方法包含两种控制，即导纳电流控制和阻抗电压控制。两种控制在阻抗和导纳有限的场景下可以互相替换使用；在阻抗为0(即导纳无穷大)的场景下，阻抗电压控制优先；在导纳为0(即阻抗无穷大)的场景下，导纳电流控制优先。
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公开(公告)号：CN118074555A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410227334.6
申请日：2024-02-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: H02M7/483 , H02M7/487 , H02M7/5387 , H02M1/00
Abstract: 本发明公开了一种实现零中点电流的三相四桥臂三电平逆变器调制方法，属于电力电子变换与控制领域，方法包括：根据各相交流滤波电容电压和各相交流滤波电感电流，计算三相桥臂调制波的差模分量和共模电压补偿前的第四桥臂调制波；利用各相的负载不平衡度，结合现态三相桥臂的调制波，计算次态开关周期以恒定+1、‑1电平输出的所在相，以确定三相桥臂调制波的共模分量；根据三相桥臂调制波的共模分量计算三相桥臂与第四桥臂的调制波，确定每相桥臂实际输出的+1、‑1、0电平占空比；三相桥臂调制波与第四桥臂调制波分别与对应的载波交截，产生逆变器的驱动信号。本发明可实现全功率因数范围的中点电压均衡，并消除中点电压中的低频脉动分量。
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公开(公告)号：CN113507205B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202110851319.5
申请日：2021-07-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种抑制MMC共模传导EMI的控制方法、控制器及控制系统，所述控制方法包括：生成第一触发脉冲，以第一触发脉冲控制第一桥臂各子模块的投切状态；对第一触发脉冲取反，得到第二触发脉冲，以第二触发脉冲控制第二桥臂各子模块的切投状态；其中，所述第一桥臂和所述第二桥臂的其中一个桥臂为上桥臂，另一个桥臂为下桥臂。通过上述控制方法，能够使得一相对应的等效干扰源将不再受到子模块开关状态的影响，只和第一桥臂投入的子模块数量相关，从源头上抑制了MMC共模干扰源，降低了共模传导电流，抑制了共模传导EMI。
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公开(公告)号：CN113452272B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202110631491.X
申请日：2021-06-07
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种器件混合型MMC换流器及其控制方法、系统，属于电压变换器领域。MMC换流器包括：控制模块以及串联的上桥臂和下桥臂；所述上桥臂和下桥臂均包括N个相同的子模块，各子模块均包括一个Si半桥和一个SiC半桥，Si半桥采用Si IGBT功率器件，SiC半桥采用SiCMOSFET功率器件；所述控制模块的输出端与各子模块相连；在对子模块进行控制时，依据MMC桥臂电压是否大于0，决定电流导通路径；当桥臂电压大于0时，走上半路径；当桥臂电压小于等于0时，走下半路径；从而将大部分开关动作由Si子模块转移到SiC子模块，降低了Si IGBT的开关频率，充分利用SiC MOSFET低开关损耗与Si IGBT低成本以及低导通损耗的特点，降低了MMC的总损耗和成本，效率较高。
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公开(公告)号：CN112838601B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202110239142.3
申请日：2021-03-04
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于锁相优化的柔直输电系统高频振荡抑制方法及系统，属于柔性直流输电领域。本发明通过在锁相环比例支路投入包含一阶低通滤波、一阶高通滤波和增益调节系数的复合滤波环节，结合一定的参数配置原则实现柔性直流输电系统高频振荡的抑制。相比较现有的基于端电压前馈低通滤波和基于端电压前馈低通滤波附加基频电流比例支路低通滤波的抑制方案，本方案能够解决现有抑制方案无法改善特定高频振荡工况下系统稳定性的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113452272A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110631491.X
申请日：2021-06-07
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种器件混合型MMC换流器及其控制方法、系统，属于电压变换器领域。MMC换流器包括：控制模块以及串联的上桥臂和下桥臂；所述上桥臂和下桥臂均包括N个相同的子模块，各子模块均包括一个Si半桥和一个SiC半桥，Si半桥采用Si IGBT功率器件，SiC半桥采用SiCMOSFET功率器件；所述控制模块的输出端与各子模块相连；在对子模块进行控制时，依据MMC桥臂电压是否大于0，决定电流导通路径；当桥臂电压大于0时，走上半路径；当桥臂电压小于等于0时，走下半路径；从而将大部分开关动作由Si子模块转移到SiC子模块，降低了Si IGBT的开关频率，充分利用SiC MOSFET低开关损耗与Si IGBT低成本以及低导通损耗的特点，降低了MMC的总损耗和成本，效率较高。
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公开(公告)号：CN112152477A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202011129759.1
申请日：2020-10-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: H02M7/00 , H02M7/483 , H02M7/5387
Abstract: 本发明公开了一种改进型飞跨电容MMC拓扑及其调制策略，属于电压变换器领域。拓扑包括：控制模块、飞跨电容以及串联的上桥臂和下桥臂；上桥臂和下桥臂均包含偶数个子模块，由飞跨电容划分为上、下半桥臂，每个半桥臂均包括1个SiC子模块和N/2‑1个Si子模块；控制模块生成桥臂电压调制波，并将调制波分为整数部分与小数部分。通过提高SiC子模块开关频率来维持半桥臂电压中高频成分波形质量，从而将大部分开关动作由Si子模块转移到SiC子模块，在利用了飞跨电容MMC优势的同时，降低了Si IGBT的开关频率，充分利用SiC MOSFET低开关损耗与Si IGBT低成本、低导通损耗的特点，降低了飞跨电容MMC的总损耗和成本，效率较高。
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公开(公告)号：CN111313438A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010246922.6
申请日：2020-03-31
Applicant: 中国南方电网有限责任公司 , 华中科技大学
Abstract: 本发明是一种柔性直流输电系统高频振荡抑制方法及其系统。本发明通过在基频电流环的端电压前馈环节加入一阶低通滤波器环节进行高频振荡抑制，本发明抑制方案在其基础之上附加了一阶高通滤波环节及虚拟电阻调节环节调制通道，分离基频电流控制器电流前向通道中的高频分量并结合虚拟电阻进行幅值调制，用于抵消PI通道电流信号高频分量。相比于原有抑制措施，本发明能够极大程度降低系统发生高频振荡的风险，解决原有抑制方案在某些工况下无法完成抑制作用的问题。
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公开(公告)号：CN108306534A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810104441.4
申请日：2018-02-02
Applicant: 华中科技大学
IPC: H02M7/483
Abstract: 本发明公开了一种模块化多电平变换器及其子模块拓扑结构，包含左、右半桥，连接电路，其中，左半桥包括T1、T2、D1、D2、M1、DM1和C1，T1、T2、M1分别与D1、D2、DM1反并联，M1与电容串联且电容正极连接M1漏极，T1集电极连接M1源极，T2发射极连接电容负极。右半桥包括T3、T4、D3、D4、DM2、M2、C2、T3和T4，M2分别与D1、D2、DM2反并联，M2与电容串联且电容正极连接M2漏极，T3集电极连接M2源极，T4发射极与电容负极相连。左半桥与右半桥通过连接电路相连。本发明的拓扑结构有主动输出四种电平的能力，基于该拓扑结构的MMC系统可以实现直流故障穿越和提压运行。
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公开(公告)号：CN107342697A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710570378.9
申请日：2017-07-13
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: H02M7/219 , H02M7/003 , H02M2001/0067
Abstract: 本发明公开了一种稳态负电平输出下混合型MMC子模块电容参数的获取方法，包括根据混合型MMC桥臂电压调制波获得电压调制波的第一过零点、电压调制波的第二过零点、桥臂电流的第一过零点以及桥臂电流的第二过零点，并以桥臂电压调制波的第一过零点为起点确定周期终点；根据混合型MMC桥臂电压调制波、实际功率因数以及电压调制比分析两种子模块电容四个阶段电压波动情况，分析并判断子模块电容电压波动类型并计算子模块电容储能变化最大值；根据两种子模块电容额定电压、两种子模块电容储能变化最大值以及设计电容电压波动率获得两种子模块的电容设计值。本发明根据电容电压波动情况提出了全桥子模块和半桥子模块电容参数的量化获取方法。
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