针对电荷型SAR-ADC寄生电容的校准方法

    公开(公告)号:CN108365847A

    公开(公告)日:2018-08-03

    申请号:CN201711483390.2

    申请日:2017-12-29

    IPC分类号: H03M1/14

    摘要: 本发明公开了一种针对电荷型SAR-ADC寄生电容的校准方法,所述电荷型SAR-ADC包括LSB电容阵列,将LSB电容阵列的所有上极板与第一补偿电路的一端相连,第一补偿电路的另一端接任意恒定电位,第一补偿电路由第一固定电容Cdl和第一可调电容Cd'l并联组成,通过调节第一补偿电路来调节SAR-ADC的非线性误差。LSB电容阵列中单位电容值为Cu,共L位,从低位到高位分别以2倍的关系递增,最高位电容值为2L-1Cu。当LSB电容阵列的总电容值为CLt时,则如下关系式成立:CLt=(2L-1)·Cu+Cdl+Cd'l。所述针对电荷型SAR-ADC寄生电容的校准方法能达到很高的线性和增益的调节精度,特别适合高精度ADC的设计。

    芯片保护电路、芯片、电子设备及芯片保护方法

    公开(公告)号:CN118336653A

    公开(公告)日:2024-07-12

    申请号:CN202410281016.8

    申请日:2024-03-12

    IPC分类号: H02H7/20 H02H7/10

    摘要: 本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种芯片保护电路、芯片、电子设备及芯片保护方法。该电路包括:驱动器保护电路以及接收器保护电路;其中,所述驱动器保护电路与所述芯片的驱动器的第一使能端连接;所述接收器保护电路与所述芯片的接收器的第二使能端连接;所述驱动器保护电路,用于控制所述第一使能端的电平,以对所述驱动器进行保护;所述接收器保护电路,用于控制所述第二使能端的电平,以对所述接收器进行保护。本发明能够降低成本且提高电路响应速度。

    高低边死区时间控制电路及方法、开关电路、芯片

    公开(公告)号:CN117614293A

    公开(公告)日:2024-02-27

    申请号:CN202311308658.4

    申请日:2023-10-10

    IPC分类号: H02M7/219 H02M1/088 H02M1/00

    摘要: 本发明涉及集成电路领域,提供一种高低边死区时间控制电路及方法、开关电路、芯片。所述高低边死区时间控制电路包括:低边驱动电路,用于根据低边PWM控制信号控制下臂功率管的开关动作;高边驱动电路,用于将低边PWM控制信号转换为高边PWM控制信号,根据高边PWM控制信号控制上臂功率管的开关动作;死区时间控制电路,用于控制下臂功率管由导通变为关断到上臂功率管由关断变为导通以及上臂功率管由导通变为关断到下臂功率管由关断变为导通的死区时间。本发明的死区时间控制电路的开关管采用电阻负载,降低了高低边开关互锁信号的切换时间。

    驱动芯片死区时间的测量装置、系统和方法

    公开(公告)号:CN117097112A

    公开(公告)日:2023-11-21

    申请号:CN202311069828.8

    申请日:2023-08-23

    摘要: 本发明公开了一种驱动芯片死区时间的测量装置、系统和方法,驱动芯片死区时间的测量装置包括:可调电阻电路,与驱动桥臂的中点连接,用于在上桥臂导通、下桥臂关断时,为当前通路提供第一预设阻值的电阻,以及在上桥臂关断、下桥臂导通时,为当前通路提供第二预设阻值的电阻,其中,中点为上桥臂与下桥臂之间的连接点;第一直流电源,连接在可调电阻电路与地之间,第一直流电源用于提供第一直流电压;波形采集器,与中点连接,用于采集中点输出的波形。本发明实施例的驱动芯片死区时间的测量装置,操作简单,测量结果直观,并且,能够灵活调整上升/下降沿幅值以及内部控制开关流过的电流,便于全面的评估死区时间。