-
公开(公告)号：CN110073499B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201680090769.4
申请日：2016-11-15
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068 , C08G73/10
Abstract: 本发明是一种太阳能电池，其特征在于具备：备有具有第1导电型的半导体基板、且在该半导体基板的第1主表面、有与前述第1导电型相反的导电型即第2导电型的发射领域，接在前述发射领域的射极电极，具有前述第1导电型的基极领域，接在前述基极领域的基极电极，与防止前述发射领域与前述基极领域的电性短路的绝缘膜的太阳能电池，前述绝缘膜是由聚酰亚胺所构成；前述绝缘膜在TOF‑SIMS(飞行式二次离子质谱)法将Bi5++离子以加速电压30kV被0.2pA照射时的C6H11O2检出计数为100以下。由此，可以提供耐天候性佳、具有高光电变换特性的太阳能电池。
-
公开(公告)号：CN117613134A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311207172.1
申请日：2016-10-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/068 , H01L31/0224
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池及其制造方法、太阳能电池模块和发电系统。该太阳能电池的制造方法具有：在具有第一导电型的半导体基板的两主表面形成凹凸的步骤，在半导体基板的第一主表面，形成基底层的步骤，在基底层上形成扩散屏蔽的步骤，将扩散屏蔽图案状地除去的步骤，在除去第一主表面的扩散屏蔽的处所，形成射极层的步骤，除去残存的扩散屏蔽的步骤，于第一主表面上形成介电体膜的步骤，于基底层上形成基底电极的步骤，以及在前述射极层上形成射极电极的步骤。由此，提供削减工序数目同时呈现高的光电变换效率的太阳能电池的制造方法。
-
公开(公告)号：CN115997277A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202180045966.5
申请日：2021-05-17
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 渡部武纪
IPC: H01L21/365
Abstract: 本发明是一种氧化镓半导体膜的制造方法，其使用雾化CVD法，包含以下工序：雾产生工序，在雾化部中雾化包含镓的原料溶液而产生雾；载气供给工序，向所述雾化部供给用于输送所述雾的载气；输送工序，经由连接所述雾化部与成膜室的供给管利用所述载气从所述雾化部向所述成膜室输送所述雾；整流工序，在所述成膜室中向基板的表面供给的所述雾及所述载气的流动被整流成沿着所述基板的表面的流动；成膜工序，对经过所述整流的雾进行热处理而在所述基板上进行成膜；以及排气工序，向所述基板的上方排出废气。由此，提供一种膜厚的面内均匀性、成膜速度优异的氧化镓半导体膜的制造方法。
-
公开(公告)号：CN109891599B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN201680090321.2
申请日：2016-10-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068
Abstract: 本发明是一种太阳能电池，在有第一导电型的半导体基板的第一主表面，具有有前述第一导电型的基极层，及邻接在前述基极层、有与前述第一导电型相反的导电型即第二导电型的射极层，且具有与前述基极层电性地连接的基极电极、及与前述射极层电性地连接的射极电极的太阳能电池，其特征在于，在前述第一主表面上，具有接在前述基极层及前述射极层的介电体膜；具有被配置成覆盖前述射极电极，而且位于前述介电体膜上、至少在前述基极层上有间隙的第一绝缘膜；具有至少位于前述第一绝缘膜上的基极用汇流条电极；前述第一绝缘膜的间隙的距离为40μm以上(W+110)μm以下(但是，W为间隙方向的基极层的宽幅)。由此，可以抑制绝缘材料的消耗，而且使基极用汇流条电极与基极电极的电性接触保持良好，同时可以使基极用汇流条电极与射极领域因接触所造成的并联电阻降低轻微，且使太阳能电池特性提升。
-
公开(公告)号：CN115038825A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202080095445.6
申请日：2020-12-17
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C30B29/16 , C23C16/01 , C23C16/40 , C23C16/56 , C30B25/18 , C30B33/00 , H01L21/365 , H01L21/368
Abstract: 本发明提供一种结晶性氧化物半导体膜的制造方法，该方法包括以下工序：在衬底上层叠结晶性氧化物半导体层及光吸收层，通过对该光吸收层照射光，使所述光吸收层分解，将所述结晶性氧化物半导体层与所述衬底分离，由此制造结晶性氧化物半导体膜的工序。由此，本发明提供一种能够有利于工业上制造结晶性氧化物半导体膜、例如能够用于半导体装置(特别是纵向型的元件)的结晶性氧化物半导体膜的方法。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109844961B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN201680090007.4
申请日：2016-10-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0224
Abstract: 本发明是一种太阳能电池的制造方法，具有：准备至少在第一主表面具有介电体膜的半导体基板的步骤、部分地去除该半导体基板的介电体膜的步骤、沿着介电体膜部分地被去除的领域形成电极的步骤的太阳能电池的制造方法，其特征是具有对于实施部分地去除介电体膜的步骤与形成电极的步骤之后的半导体基板，测定介电体膜部分地被去除的领域的位置与形成的电极的位置的相对的位置关系的步骤，基于被测定的位置关系，对于新准备的至少在第一主表面具有介电体膜的半导体基板，在调整部分地去除介电体膜的领域的位置后部分地去除介电体膜。由此，提供一种可以减低部分地去除介电体膜的领域与沿着该领域被形成的电极的位置偏移，且使太阳能电池的制造产出率提升的太阳能电池的制造方法。
-
-
公开(公告)号：CN113196458A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201980083078.5
申请日：2019-12-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/365 , H01L21/368 , C23C16/40 , C23C16/448
Abstract: 本发明为一种氧化镓膜的制造方法，其为使用载气搬运将原料溶液雾化或液滴化而生成的雾，并加热所述雾，使所述雾在基体上进行热反应从而进行成膜的氧化镓膜的制造方法，其中，使用至少包含氯化物离子与镓离子的原料溶液作为所述原料溶液，将加热所述雾的时间设为0.002秒以上6秒以下。由此，可提供一种低成本且成膜速度优异的α‑氧化镓膜的制造方法。
-
公开(公告)号：CN110785856A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201880042175.5
申请日：2018-04-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种能够提高光电转换效率的太阳能电池的制造方法。本发明为一种太阳能电池的制造方法，其包括：在硅半导体基板上形成pn结的工序、在硅半导体基板的至少一个主表面上制膜氧化铝膜的工序，所述太阳能电池的制造方法的特征在于，在制膜氧化铝膜的工序之前，包括在每1立方米的水蒸气量为20g以上、温度为60℃以上100℃以下的气氛下，对硅半导体基板进行加热处理的工序。由此，可提供一种能够提高光电转换效率的太阳能电池的制造方法。
-
公开(公告)号：CN110121788A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201680090735.5
申请日：2016-11-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/068 , H01L21/324 , H01L31/18 , H01L31/02 , H01L21/67 , C30B35/00
Abstract: 本发明为一种太阳能电池的制造方法，其是使用单结晶硅基板制造单结晶硅太阳能电池的太阳能电池的制造方法，并且包含将单结晶硅基板在800℃以上1200℃以下热处理的高温热处理步骤，该高温热处理步骤具有：将单结晶硅基板装填至热处理装置的搬运步骤；将单结晶硅基板加热的加热步骤；将单结晶硅基板保持在800℃以上1200℃以下的既定温度的保温步骤；及将单结晶硅基板冷却的冷却步骤，在高温热处理步骤之中，将通过搬运步骤及加热步骤使单结晶硅基板的温度成为400℃以上650℃以下的时间定为5分钟以内。由此可提供一种太阳能电池的制造方法，可制造出光电转换效率高、基板面内特性均匀的太阳能电池。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
117
records
(took 0.036 seconds)
