一种Au纳米颗粒改性Nd掺杂BiFeO3薄膜光电极及其制备方法

    公开(公告)号:CN106939415B

    公开(公告)日:2019-04-02

    申请号:CN201710255044.2

    申请日:2017-04-14

    Abstract: 本发明属于半导体薄膜领域,具体涉及一种Au纳米颗粒改性Nd掺杂BiFeO3薄膜光电极及其制备方法。本发明提供了一种Au纳米颗粒改性Nd掺杂BiFeO3(BFO)薄膜光电极及其制备方法,其特点在于,通过光致还原法在溶胶凝胶法制备的Nd掺杂BFO薄膜表面上负载Au纳米颗粒,其中Nd掺杂BFO薄膜是由颗粒尺寸约300~500nm的纳米颗粒堆叠而成,而Au纳米颗粒比较均匀地分布在Nd掺杂BFO薄膜光电极表面。通过Au纳米颗粒修饰和Nd元素掺杂的修饰改性后,能够提高BFO薄膜的光吸收能力、促进光生载流子的迁移和分离效率,大大改善了BFO薄膜光电极的光电化学性能。

    一种使表面未抛光蓝宝石增透的玻璃化处理方法

    公开(公告)号:CN108863439A

    公开(公告)日:2018-11-23

    申请号:CN201710331960.X

    申请日:2017-05-09

    Abstract: 本发明公开了一种使表面未抛光蓝宝石增透的玻璃化处理方法及其生产工艺,玻璃化处理时所用的外加玻璃成分按摩尔百分比分别为10‑30%RE2O3(RE=Y,La,Gd,Ce)和90%‑70%SiO2,选用的是未抛光或者单面抛光的蓝宝石。将稀土RE2O3和SiO2原料充分混合后均匀置于未抛光的蓝宝石表面,厚度1mm以上,在高温炉中1400℃‑1600℃之间,保温2小时以上,然后炉内降温至室温,出炉,检验,最后获得所需的透明度明显增加的蓝宝石,是用于红外光学、LED基板,光电显示、军工、透镜等行业领域。

    一种Au纳米颗粒改性Nd掺杂BiFeO<base:Sub>3</base:Sub>薄膜光电极及其制备方法

    公开(公告)号:CN106939415A

    公开(公告)日:2017-07-11

    申请号:CN201710255044.2

    申请日:2017-04-14

    CPC classification number: C23C18/1254 B82Y30/00 C01P2002/72

    Abstract: 本发明属于半导体薄膜领域,具体涉及一种Au纳米颗粒改性Nd掺杂BiFeO3薄膜光电极及其制备方法。本发明提供了一种Au纳米颗粒改性Nd掺杂BiFeO3(BFO)薄膜光电极及其制备方法,其特点在于,通过光致还原法在溶胶凝胶法制备的Nd掺杂BFO薄膜表面上负载Au纳米颗粒,其中Nd掺杂BFO薄膜是由颗粒尺寸约300~500nm的纳米颗粒堆叠而成,而Au纳米颗粒比较均匀地分布在Nd掺杂BFO薄膜光电极表面。通过Au纳米颗粒修饰和Nd元素掺杂的修饰改性后,能够提高BFO薄膜的光吸收能力、促进光生载流子的迁移和分离效率,大大改善了BFO薄膜光电极的光电化学性能。

    一种苯并咪唑基喹啉亚铜配合物发光材料

    公开(公告)号:CN105694868B

    公开(公告)日:2017-04-26

    申请号:CN201610259853.6

    申请日:2016-04-18

    Abstract: 本发明公开了一种晶型的基于苯并咪唑基喹啉的亚铜配合物黄色磷光材料及其制备方法。本发明的磷光配合物,由一价铜盐与配体络合得到,其分子结构为[Cu(2‑QBI)(m‑Tol3P)2]PF6,式中2‑QBI和m‑Tol3P为电中性杂环配体苯并咪唑基喹啉和三(间甲基苯基)膦。所述配合物既具备小分子易提纯和发光效率高的优点,而且具有高的热稳定性。该材料是由Cu(CH3CN)4PF6与配体的二氯甲烷溶液直接混合反应得到,具有工艺简便、设备简单、原料易得且成本低等优点。该材料可作为光致发光黄光磷光材料,也可用作多层有机材料组成的电致发光器件中的发光层磷光材料。

    一种稀土金属有机框架结构的红外发光材料

    公开(公告)号:CN105860961A

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201610307136.6

    申请日:2016-05-05

    Abstract: 本发明公开了一种稀土金属有机框架结构的红外发光材料及其制备方法。所述红外发光材料,其分子结构式为[Nd(SnL3)2(H2O)3]n·n[(H2O)4(H3O)],式中L为带两个单位负电荷的硫代乙醇酸根阴离子,n为高聚物结构的重复单元数;材料结构式中[Nd(SnL3)2(H2O)3]n部分为金属有机框架部分,n[(H2O)4(H3O)]部分为框架结构中的填充物,其中硫代乙醇酸锡阴离子与稀土钕离子聚合构成含有较大孔道结构的金属有机框架结构。通过硫代乙醇酸锡阴离子(SnL32?)与稀土离子的溶液发生配位聚合反应得到,方便且廉价地制备获得了孔道结构、发光性能和热稳定性能良好的稀土金属有机框架结构红外发光材料,其孔道结构中空腔体积较大、热稳定性好,可将其各种小分子等荧光传感检测材料技术领域。

    一种银碘阴离子高聚螺旋链基有机无机杂化半导体材料

    公开(公告)号:CN105837834A

    公开(公告)日:2016-08-10

    申请号:CN201610307140.2

    申请日:2016-05-05

    CPC classification number: C08G83/00

    Abstract: 本发明公开了一种有机无机杂化的银碘阴离子高聚螺旋链基宽禁带半导体材料及其制备方法。所述有机无机杂化宽禁带半导体材料,其分子结构式为(MV)n(Ag2I4)n,式中MV为带两个单位正电荷的有机阳离子甲基紫精,n为高聚物结构的重复单元数,该材料中的(Ag2I4)n高聚阴离子呈独特的螺旋链结构。通过硝酸银、碱金属碘化物与甲基紫精碘化物的溶液发生配位聚合反应和杂化置换反应,方便且廉价地制备获得了半导体性能和热稳定性能良好的有机无机杂化宽禁带半导体材料,其禁带宽度适中、热稳定性好,可将其应用于光电子材料技术领域。

    一种有机无机杂化亚铜碘阴离子高聚链基半导体材料

    公开(公告)号:CN105801877A

    公开(公告)日:2016-07-27

    申请号:CN201610307195.3

    申请日:2016-05-05

    Abstract: 本发明公开了一种有机无机杂化的亚铜碘阴离子高聚链基半导体材料及其制备方法。所述有机无机杂化宽禁带半导体材料,其分子结构式为(MV)n(Cu2I4)n,式中MV为带两个单位正电荷的有机阳离子甲基紫精,n为高聚物结构的重复单元数,该材料中的(Cu2I4)n高聚阴离子呈直线型链状结构。通过碘化亚铜与甲基紫精碘化物的溶液发生配位聚合反应反应,方便且廉价地制备获得了半导体性能和热稳定性能良好的有机无机杂化半导体材料,其禁带宽度适中、热稳定性好,可将其应用于光电子材料技术领域。

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