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公开(公告)号：CN105119604A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510604425.8
申请日：2015-09-21
Applicant: 东南大学
IPC: H03M1/54
Abstract: 本发明提出了一种应用于模数转换器采样的改进型自举开关电路，该电路适用于低电源电压的应用场合，采用两个电容来稳定自举开关管的栅源电压，当自举开关管关断保持时，两个电容并联充电，其中一个电容可充电至电源电压，另一个电容由于开关管的提前断开，最终充电电压距离电源电压会有一个阈值电压的损耗；自举开关管闭合采样时，两个电容串联接到自举开关管的栅极和源极之间，使自举开关管的栅源电压稳定在一个高于电源电压的电位，使自举开关管导通电阻更低，线性度提高，开关充电速度提升，驱动能力提高。
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公开(公告)号：CN104702219A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510119931.8
申请日：2015-03-18
Applicant: 东南大学
IPC: H03D7/16
CPC classification number: H03D7/16
Abstract: 本发明公开了一种单端输入双平衡无源混频器，包括巴伦跨导级、无源本振开关以及跨阻放大器；所述巴伦跨导级采用单路偏置电流实现双路差分电流输出的跨导级电路，该跨导级利用无源本振开关的阻抗搬移作用，在本振频率处拉低跨导级输出阻抗并构造类似交流虚地；当输入电压变化时，跨导管分别从差分输出端抽拉电流，实现单路偏置电流实现双路差分电流输出的功能。本发明节约了一半的跨导级电流，实现了同样的等效跨导、显著降低功耗，同时适用于单端输入，差分输出应用场合的无源混频器。
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公开(公告)号：CN104660216A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510093340.8
申请日：2015-03-02
Applicant: 东南大学
IPC: H03H17/02
CPC classification number: H03H17/02
Abstract: 本发明公开了一种低功耗和高校准精度的Gm-C滤波器频率校准电路，该频率校准电路包括了时钟产生电路、采样保持电路、主跨导放大器和误差放大器四个模块。主从结构控制校准电路中的主跨导放大器与Gm-C滤波器中的从跨导放大器相匹配，由相同的偏置电压控制。Gm-C滤波器的频率特性的误差主要受跨导放大器的跨导值、电容的工艺偏差以及温度等因素的影响，考虑到Gm-C滤波器的频率特性主要由其时间常数Gm/C决定，通过将跨导放大器的跨导值Gm转化成一个与电容C成精确正比关系的变量，从而消除了电容的工艺偏差对时间常数Gm/C的影响，可以实现很高的校准精度。相比于传统的校准电路，本发明具有结构简单、功耗低和芯片面积小的特点，同时稳定性更高。
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公开(公告)号：CN104639270A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510069711.9
申请日：2015-02-10
Applicant: 东南大学
IPC: H04B17/318
Abstract: 本发明公开了一种具有工艺稳定性的CMOS集成接收信号强度指示器，该接收信号强度指示器包含五个限幅放大器组成的限幅放大器链、六个偏置电流受控的全波整流器、电流源产生器以及第一至第二电阻和第一至第二N型金属氧化物晶体管组成的二阶低通网络；电流源控制器给电流受控的全波整流器提供与第一电阻成反比的偏置电流；使得在输入未饱和的情况下整流器的输出电流也与第一电阻成反比；所以最终在第一电阻上的电压不受电阻变化的影响；第一至第二N型金属氧化物晶体管的漏极和源极同时接地作为电容使用；在CMOS工艺中电阻往往受工艺变化影响很大，但是该CMOS集成接收信号强度指示器的输出对工艺变化具有较强的抑制能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104639167A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510059167.X
申请日：2015-02-04
Applicant: 东南大学
IPC: H03M1/12
Abstract: 本发明公开了一种应用于低功耗Pipeline ADC的比较器，相对于传统AB类和传统动态四输入比较器，在不增加额外版图面积的前提下，增加了控制比较器预放大电路偏置电压的辅助电路，所述辅助电路由两个NMOS开关组成，在两相非交叠时钟信号控制下工作。该辅助电路的目的在于，通过控制比较器预放大电路的偏置电压，控制预比较器在复位相和比较相的电流，使得比较器预放大电路在复位相无电流通过，而在比较相加以适当的偏置电压正常工作，从而减小比较器工作周期的平均电流。相比于传统的比较器，本案提出的比较器具有功耗低，特别适用于低功耗Pipeline ADC。
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公开(公告)号：CN104617970A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510066420.4
申请日：2015-02-10
Applicant: 东南大学
IPC: H04B1/16
CPC classification number: H04B1/16
Abstract: 本发明公开一种全集成抗阻塞射频接收前端架构，包括阻塞信号滤波级和下混频级。其中阻塞信号滤波级是一个前馈结构，主支路和前馈支路采用电路结构相同的低噪声放大器以实现匹配。此外，前馈支路利用无源混频器对阻抗具有在频域的搬移特性，在射频本振处产生一个带阻滤波器以滤除有用信号，然后将得到的阻塞信号与主支路的阻塞信号相减，得到射频有用信号。因为在两个低噪声放大器之后直接将阻塞信号滤除，不会对其他电路造成影响，所以避免了带来其他的非理想因素。其后接无源混频器实现下混频，得到中频有用信号。
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公开(公告)号：CN104617904A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510061730.7
申请日：2015-02-05
Applicant: 东南大学
IPC: H03G3/20
Abstract: 本发明公开了一种基于数字RSSI检测的自动增益控制电路及其控制方法，输入信号首先经过模拟的可编程增益放大器以一定的增益模式放大，放大后的模拟信号经过模数转换器转换为数字信号，再经过RSSI检测模块检测得到当前输出信号的强度Yout，然后通过增益控制模块确定增益模式并反馈到可编程增益放大器的增益控制端，实现增益的调节。采用此种RSSI检测方式，能够在输入信号发生变化的时候做出快速响应，另外对数字硬件电路的资源消耗少；自动增益控制的实现是根据当前的增益模式、检测到的RSSI信号进行，能够较快速调整到合适的增益模式；本发明的基于数字RSSI检测的自动增益控制电路响应快速、增益控制准确。
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公开(公告)号：CN103078593B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201210591261.6
申请日：2012-12-31
Applicant: 东南大学
IPC: H03D7/16
Abstract: 本发明公开了一种低电源电压下高转换增益无源混频器，该混频器包含输入跨导放大级、开关混频级和输出跨阻放大级。输入跨导级采用推挽跨导结构，为了满足0.6V电源电压的要求，提出了一种基于两级共源放大器的共模负反馈电路，使得跨导级共模偏置电压等于一个固定的栅源电压。开关混频级对跨导放大级输出的射频电流进行调制，经过低通滤波输出中频电流信号；输出跨阻放大级吸收开关混频级输出的中频电流并进行镜像输出，最终在负载电阻上得到中频输出电压。同时提出了低电源电压下的跨阻放大器，该跨阻放大器基于负反馈结构，实现输出中频频段内的低输入阻抗，提高了电流利用效率和端口隔离度。该混频器结构功耗低、转换增益高、端口隔离度好。
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公开(公告)号：CN102522951B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201110427541.9
申请日：2011-12-20
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开一种电流复用低噪放和混频器的融合结构，该结构的低噪放的输入管和下混频器跨导级复用静态偏置电流，使用电感电容并联网络来实现对来自低噪声放大器射频信号往混频器的隔离，使用电感电容网络和共栅极晶体管的高输出阻抗实现对来自混频器跨导级射频信号往低噪声放大器的隔离，对混频器中频信号往低噪声放大器方向的信号隔离是通过电流复用支路共栅极晶体管N5、N6的高输出阻抗和工作在饱和区的双平衡开关管的高输出阻抗一起实现的。低噪放和混频器复用电流大大提高了电流利用效率从而降低了功耗。同时由于本发明中的电流复用方式具有较高的信号隔离能力，在降低功耗的同时保证了电路的性能。
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