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公开(公告)号：CN115225833A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210258247.8
申请日：2022-03-16
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 陈暎究
IPC: H04N5/347 , H04N5/345 , H04N9/04 , H04N13/271 , H01L27/146
Abstract: 提供了一种像素阵列和包括该像素阵列的图像传感器。像素阵列包括：多个子像素，该多个子像素彼此相邻；以及读出电路，通过浮动扩散节点连接到多个子像素。子像素中的每一个包括：光电转换元件；溢出晶体管，连接到光电转换元件；光电晶体管，连接到光电转换元件和溢出晶体管；以及存储元件，连接到光电晶体管。
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公开(公告)号：CN115117103A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210285566.8
申请日：2022-03-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器。该图像传感器包括包含彼此相反的第一表面和第二表面的半导体基板。半导体图案设置在半导体基板的第一表面上，并且其在垂直于第一表面的第一方向上延伸。掩埋传输栅电极设置在从半导体基板的第一表面延伸到半导体基板的内部的传输栅极沟槽中。第一栅电极至少部分地围绕半导体图案的侧壁并具有环形的水平截面。滤色器设置在半导体基板的第二表面上。
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公开(公告)号：CN114545372A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202111421858.1
申请日：2021-11-26
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 陈暎究
IPC: G01S7/4865 , G01S7/4861 , G01S17/894
Abstract: 提供了一种深度像素和飞行时间传感器。所述深度像素包括第一光电二极管、第二光电二极管和共微透镜。第一抽头和第二抽头设置在第一光电二极管在第一水平方向上的两侧，以对存储在第一光电二极管中的光电荷采样。第二光电二极管设置在第一光电二极管在垂直于第一水平方向的第二水平方向上的一侧。第三抽头和第四抽头设置在第二光电二极管在第一水平方向上的两侧，以对存储在第二光电二极管中的光电荷采样。共微透镜设置在半导体衬底上方或下方。共微透镜覆盖第一光电二极管和第二光电二极管二者，以将入射光聚焦至第一光电二极管和第二光电二极管。
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公开(公告)号：CN114089345A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202110886269.4
申请日：2021-08-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01S17/08 , G01S17/26 , G01S17/32 , G01S17/894
Abstract: 一种方法基于交叉时间偏移来测量飞行时间(ToF)传感器和对象之间的距离。ToF传感器包括至少一个深度像素和用于将发射光引导到对象的光源。深度像素可以具有多抽头结构并且可以基于接收光和具有不同相位的解调信号来生成采样数据。接收光与从对象反射的发射光相对应。该方法包括：在发射光和解调信号之间生成时间偏移；执行采样操作以生成与时间偏移相对应的采样数据；基于第一参考抽头的采样数据基本上等于第二参考抽头的采样数据来确定交叉时间偏移；以及基于交叉时间偏移来确定ToF传感器和对象之间的距离。
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公开(公告)号：CN114019527A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202110668998.2
申请日：2021-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种飞行时间(ToF)传感器的深度像素，包括：公共光电门，设置在所述深度像素的中心区域中；多个浮置扩散区域，设置在围绕所述中心区域的外围区域中；多个解调传输门，设置在所述外围区域中；以及多个溢流门，设置在所述外围区域中。所述解调传输门将由所述公共光电门收集的光电荷传输到所述多个浮置扩散区域。所述解调传输门关于穿过所述深度像素的中心且基本上彼此垂直的水平线和竖直线中的每条线对称。所述溢流门排出由所述公共光电门收集的所述光电荷，并且关于所述水平线和所述竖直线中的每条线对称。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113050065A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011110840.5
申请日：2020-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01S7/481
Abstract: 提供了包括光源和飞行时间传感器的电子装置、和光检测和测距系统。电子装置包括：飞行时间(ToF)传感器，其包括像素阵列；光源，其发射光信号；和光学装置，其将光信号投射到对象的分别与包括像素阵列的像素的多个像素块相对应的区域。每个像素包括多个抽头，每个抽头包括光电晶体管、与光电晶体管连接的第一传输晶体管、与第一传输晶体管连接的存储元件、与存储元件连接的第二传输晶体管、与第二传输晶体管连接的浮置扩散区和与浮置扩散区连接的读出电路。溢出晶体管与光电晶体管相邻设置并与电源电压连接。
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公开(公告)号：CN112118404A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010277632.8
申请日：2020-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/369
Abstract: 一种深度传感器包括：第一像素，包括多个第一光电晶体管，每第一光电晶体管接收第一光电栅极信号；第二像素，包括多个第二光电晶体管，每个第二光电晶体管接收第二光电栅极信号；第三像素，包括多个第三光电晶体管，每个第三光电晶体管接收第三光电栅极信号；第四像素，包括多个第四光电晶体管，每个第四光电晶体管接收第四光电栅极信号；以及光电转换元件，由多个第一至第四光电晶体管中的第一至第四光电晶体管共享。
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公开(公告)号：CN112083439A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010221083.2
申请日：2020-03-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01S17/894
Abstract: 公开了一种包括像素的深度传感器。所述像素包括：光电晶体管；第一转移晶体管，连接到所述光电晶体管；第一浮动扩散区域，连接到所述第一转移晶体管；第二转移晶体管，连接到所述光电晶体管；存储元件，连接到所述第二转移晶体管；第三转移晶体管，连接到所述存储元件；以及第二浮动扩散区域，连接到所述第三转移晶体管。
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公开(公告)号：CN111010516A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201910664816.7
申请日：2019-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/369
Abstract: 一种图像传感器，包括：光源，被配置为向目标对象发射光信号；和像素阵列，包括第一像素，第一像素被配置为基于从目标对象反射的光信号产生像素信号，其中，第一像素包括第一光栅极组和第二光栅极组，第一光栅极组包括被配置用于接收在时间间隔内与光信号具有第一相位差的第一栅极信号的至少两个光栅极，第二光栅极组包括被配置用于接收在时间间隔内与光信号具有第二相位差的第二栅极信号的至少两个光栅极。
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公开(公告)号：CN110708483A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910178164.6
申请日：2019-03-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/369 , G01S17/08 , H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：单元像素，在单元像素中，彼此相邻的第一单元像素和第二单元像素均包括：第一抽头，具有第一光栅极，第一抽头施加有相对于光学信号具有第一相位差的第一信号；以及第二抽头，具有第二光栅极，第二抽头施加有相对于所述光学信号具有第二相位差的第二信号。第一单元像素中的第一抽头的位置和第二单元像素中的第一抽头的位置以及第一单元像素中的第二抽头的位置和第二单元像素中的第二抽头的位置基于第一单元像素与第二单元像素之间的一点或一条直线彼此对称。
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