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公开(公告)号：CN111355457A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201811564972.8
申请日：2018-12-20
Applicant: 西安智盛锐芯半导体科技有限公司
IPC: H03F3/68
Abstract: 本发明涉及一种用于电子设备的放大电路，包括：运算放大器A1、运算放大器A2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电容C1、电容C2、电容C3和电容C。本发明的放大电路通过设置两个运算放大器，其中前级运算放大器和后级运算放大器均配置有用于反馈的反馈电阻，且实现了低通滤波，并该放大电路实现了放大的功能，该放大电路的性能稳定且放大倍数可调，适合于稳定性要求较高的电子设备。
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公开(公告)号：CN111355125A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201811570737.1
申请日：2018-12-21
Applicant: 西安智盛锐芯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种GaAs/AIAs/AIAs布拉格反射镜激光器，其结构自下而上依次包括：衬底层；第一分布式布拉格反射镜层；n型Ge半导体层；n型Ge掺杂层；量子阱发光层；电子阻挡层；p型Ge掺杂层；p型Ge半导体层；第二分布式布拉格反射镜层；本发明的激光器采用GaAs/AIAs超晶格材料作为高折射率材料层、采用AIAs材料作为低折射率材料层，形成的分布式布拉格反射镜，代替传统的FB谐振腔，使得加工简单、激光的单色性更好，而且可以降低工艺难度，也不容易脱落；且通过在量子阱发光层依次层叠第一电子阻挡层和第二电子阻挡层能够有效阻止多于的电子从量子阱发光层跃迁至p型Ge半导体层，改善激光器的发光效率。
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公开(公告)号：CN111341845A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201811548786.5
申请日：2018-12-18
Applicant: 西安智盛锐芯半导体科技有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/207 , H01L29/10
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，其结构自下而上依次包括：衬底层、第一缓冲层，第二缓冲层，第三缓冲层，团簇层，外延层，沟道层，第四缓冲层和电极层；本发明In原子在GaN型主层的表面形成多个随机分布的团簇。由于In原子半径大于Ga原子半径，因此通过In原子将错位定住，使位错密度因In团簇的存在而大幅降低，使表面形貌更为光滑；此外，本发明通过采用多层缓冲层结构，并且在形成多层缓冲层结构的上层使用In，使上层的表面形貌得到大幅改善，进而提升外延层的结构质量。
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公开(公告)号：CN111326629A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201811525644.7
申请日：2018-12-13
Applicant: 西安智盛锐芯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种发光二极管，包括衬底层；缓冲层，位于所述衬底层上；低温氮化镓层，位于所述缓冲层上；非故意掺杂氮化镓层，位于所述低温氮化镓层上；超晶格层，位于所述非故意掺杂氮化镓层上；N型半导体层，位于所述超晶格层上；N型掺杂层，位于所述N型半导体层上；量子阱发光层，位于所述N型掺杂层上；电子阻挡层，位于所述量子阱发光层上；P型掺杂层，位于所述电子阻挡层上；P型半导体层，位于所述P型掺杂层上。本发明的发光二极管中设置有低温氮化镓层、非故意掺杂氮化镓层、氮化镓超晶格层和超晶格插入层，从而提高了发光二极管的发光质量。
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公开(公告)号：CN111326627A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201811525607.6
申请日：2018-12-13
Applicant: 西安智盛锐芯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种能够改善发光效率的半导体发光器件，包括衬底层；缓冲层，位于所述衬底层上；N型半导体层，位于所述缓冲层上；N型掺杂层，位于所述N型半导体层上；量子阱发光层，位于所述N型掺杂层上；电子阻挡层，位于所述量子阱发光层上；空穴调整层，位于所述电子阻挡层上，所述空穴调整层包括依次层叠于电子阻挡层上的第一非掺杂层、第二非掺杂层和P型掺杂层；P型半导体层，位于所述空穴调整层上。本发明通过设置有空穴调整层，能够改善空穴迁移至量子阱发光层的空穴浓度，从改善发光二极管的发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111326617A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201811525580.0
申请日：2018-12-13
Applicant: 西安智盛锐芯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种能够改善发光质量的发光二极管，包括：衬底层；缓冲层，位于衬底层上；N型半导体层，位于缓冲层上；N型掺杂层，位于N型半导体层上；量子阱发光层，位于N型掺杂层上；电子阻挡层，位于量子阱发光层上；P型掺杂层，位于电子阻挡层上；P型半导体层，位于P型掺杂层上。本发明通过在N型半导体层和量子阱发光层之间加入一层掺杂浓度低于N型半导体层的N型掺杂层，能够有效较低LED器件的电压，从而提高LED器件的发光效率，并在电子阻挡层和P型半导体层之间加入一层掺杂浓度高于P型半导体层的P型掺杂层，使得P型掺杂层能够协助P型半导体层将P型半导体层产生的空穴有效地注入多量子阱发光层，从而进一步提高LED器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN111274170A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201811382135.3
申请日：2018-11-20
Applicant: 西安智盛锐芯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种驱动电路，包括串行接口模块、电平转换芯片和通信总线，所述串行接口模块通过电平转换芯片与通信总线连接，电平转换芯片的第二管脚和第三管脚短接，采用半双工工作方式，当串行接口模块的发送端处于高电平时，第三管脚使能即发送器使能，电平转换芯片处于发送状态；当串行接口模块的接收端处于低电平时，第二管脚使能即接收器使能，电平转换芯片处于接收状态；为了保证电路的稳定性，在第一电源端和第二电源端分别增加响应的滤波电容，同时在通信总线上设置两个单向的稳压管，保护电平转换芯片不受损坏。
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公开(公告)号：CN111257428A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201811466671.1
申请日：2018-12-03
Applicant: 西安智盛锐芯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种工程中超声波检测零部件系统，包括中央处理器、电源、超声波检测传感器，所述中央处理器与开关电源保护电路、缺陷报警电路、信号处理电路、示波器连接，所述信号处理电路还与所述超声波检测传感器连接，所述开关电源保护电路还与所述超声波检测传感器、所述电源、所述缺陷报警电路连接，其中，所述信号处理电路包括信号滤波电路与信号增益放大电路。本发明通过信号滤波电路对超声波检测传感器检测的零部件缺陷信号进行滤波处理，可以减少零部件检测过程中噪声对零部件缺陷检测信号的干扰，提高了传输过程检测信号的质量。
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公开(公告)号：CN111248897A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201811466627.0
申请日：2018-12-03
Applicant: 西安智盛锐芯半导体科技有限公司
IPC: A61B5/0402
Abstract: 本发明涉及一种用于ECG信号采集的采集器，包括ECG信号采集电路，信号滤波电路，信号增益放大电路，其中，所述ECG信号采集电路，连接所述信号滤波电路，用于采集ECG信号；所述信号滤波电路，连接所述信号增益放大电路，用于对采集的所述ECG信号进行滤波处理；所述信号增益放大电路，用于对所述滤波后的ECG信号进行增益放大处理。本发明通过信号滤波电路对ECG信号采集电路采集的信号进行滤波处理，可以减少ECG信号采集过程中噪声等对ECG信号采集的干扰，提高了ECG信号采集的质量。
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公开(公告)号：CN111243111A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201811336396.1
申请日：2018-11-12
Applicant: 西安智盛锐芯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种停车场收费系统，包括计费装置，所述计费装置包括预定收费模块和停车收费模块；信息源装置，所述信息源装置连接所述计费装置，所述信息源装置包括停车场管理处理器、计时装置，所述计时装置连接所述停车场管理处理器，所述停车场管理处理器连接所述计费装置；发送装置，所述发送装置连接所述计费装置；所述预定收费模块包括预定计价模块，所述预定计价模块连接所述信息源装置；所述停车收费模块包括停车计价模块，所述停车计价模块连接所述信息源装置。本发明通过对车辆预定车位后到达车位前的时间段和开始停车后的时间段采取不同的收费标准，做到收费合理化，还避免了部分车辆预定时间过长造成车位的浪费。
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