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公开(公告)号：CN103457852A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310419298.5
申请日：2013-09-13
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H04L12/733 , H04L12/753 , H04L12/761
Abstract: 本发明公开了一种多播虚拟网络的抗毁性映射方法，根据多播虚拟网络中各叶子节点可接入的底层数据中心的区域要求得到每个底层数据中心可覆盖的叶子节点集合，采用最小集合覆盖算法得到以最小集合数覆盖所有叶子节点的集合方案，以对应的底层数据中心进行叶子节点的映射，同一个底层数据中心覆盖的叶子节点共享节点保护资源；将根节点可接入的底层数据中心作为备选底层数据中心，对于每个备选底层数据中心进行一次链路映射，同一个底层数据中心覆盖的叶子节点共享保护路径，链路映射完成后选择每个备选底层数据中心对应的链路映射方案中总资源消耗量最小的作为最佳链路映射方案。本发明针对多播虚拟网络实现了低成本的抗毁性映射。
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公开(公告)号：CN102291876B
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201110116127.6
申请日：2011-05-06
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
Abstract: 一种发光二极管的开路保护器，属于电子技术领域。包括分立或集成的IGBT器件、齐纳二极管和电阻；所述齐纳二极管的阳极与IGBT器件的阳极电位相连，齐纳二极管的阴极与IGBT器件的栅极相连，电阻连接于IGBT器件的栅极和阴极之间。当发光二极管正常工作时，与之并联的开路保护器两端的电压较低，IGBT的MOS沟道关断，整个开路保护器处于关断状态；当发光二极管开路时，与之并联的开路保护器两端电压迅速升高，IGBT的MOS沟道开启，IGBT导通，流过P-基区的正向电流使寄生的晶闸管开启并进入闩锁状态，从而为发光二极管提供开路保护。开路保护结构进入闩锁状态后，开路保护结构两端的电压迅速降低，即使没有栅控电压也能维持闩锁状态。本发明具有启动快、功耗低的特点。
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公开(公告)号：CN103312060A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310234076.6
申请日：2013-06-13
Applicant: 东莞电子科技大学电子信息工程研究院 , 东莞市天楠光电科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种汽车驱动电机的转子结构，包括第一环体、第二环体与主体，第二环体与第一环体之间连接有多个由非导磁材料制成的连接杆，主体由多个圆形的具有中通孔的压片叠压而成，压片沿其圆周方向均匀设置有多个槽口，槽口中嵌置有磁块，磁块与槽口的两端之间填充有数量与连接杆数量一致的用于隔离磁场的隔离块，各连接杆穿过对应的隔离块而将主体与第一环体、第二环体固定连接在一起，连接杆与隔离块之间的余隙中填充有胶体。本发明的主体采用压片叠压而成，能减小运转时的耗损，并且通过连接杆穿过隔离块，加之在两者之间的余隙中填充胶体，从而将主体与第一环体、第二环体牢牢地连接在一起，使得本发明的转子结构性能相当稳定。
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公开(公告)号：CN103295083A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201210045048.5
申请日：2012-02-27
Applicant: 东莞市智盟信息技术有限公司 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
Abstract: 本发明公开了一种窗口行业办事大厅实时互动式业务快速办理方法，包括领取业务办理终端，选择想要业务类型，提示客户办理该业务必须出示的证件，通过业务办理终端填写电子业务申请表格，服务器审核客户填写的电子业务申请表格，将电子业务申请表格提交至办事大厅综合系统，同时产生排队号，客户提交相关证件和签名确认打印的业务申请表格，供窗口操作人员审核确认，即完成业务办理，该方法具有业务办理快速、提高窗口操作人员办理效率、降低窗口操作人员劳动强度等特点，因此，本发明可广泛适用于银行、电信、政府相关部门办事大厅等各种窗口服务行业。本发明还公开一种窗口行业办事大厅实时互动式业务快速办理系统。
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公开(公告)号：CN102186084B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201110154629.8
申请日：2011-06-07
Applicant: 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H04N7/26
Abstract: 本发明公开了一种可伸缩视频编码的空间增强层码率控制实现方法，包括以下步骤：自适应对第一个编码的I、P、B帧设定初始量化参数QP值；根据实际编码比特数计算各帧的编码复杂度以及各帧的MAD值；编码完一个图像组GOP之后，根据整个GOP的实际编码比特数和各帧的编码复杂度及各帧所处的时间等级和空间等级，计算该时空等级上图像帧所占的权重；对关键帧，利用分配的比特数和二次R-D模型，计算量化参数，进行编码，对非关键帧，由离此非关键帧最近的两个关键帧的QP及其所属的时域等级决定其QP。本发明可伸缩视频编码的空间增强层码率控制实现方法可以实现可伸缩视频编码的空域增强层的码率控制，弥补其只有基本层码率控制的缺陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101840240B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201010134831.X
申请日：2010-03-26
Applicant: 东莞电子科技大学电子信息工程研究院 , 电子科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种可调式多值输出的基准电压源，包括基准产生电路和基准电压输出电路，在基准产生电路和基准电压输出电路之间连接有启动电路和镜像电流源负反馈环路，所述的启动电路一端与基准产生电路连接，另一端与镜像电流源负反馈环路连接，镜像电流源负反馈环路的另一端与基准电压输出电路连接。本发明可调式多值输出的基准电压源具有电路功耗小、温漂小、电源抑制能力强的优点。本发明可调式多值输出的基准电压源使用镜像电流源负反馈环路取代高电压增益运放，使电路结构更简单，将由镜像电流源负反馈环路输出端接的源极跟随器提供双极型晶体管偏置电压的同时产生带隙基准电压，同时可以获得较小温度系数的输出电压值。
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公开(公告)号：CN102739578A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201110085560.8
申请日：2011-03-31
Applicant: 广东明家科技股份有限公司 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院 , 电子科技大学电子工程学院
Abstract: 本发明适用于无线通信领域，提供了一种回波干扰抑制方法、装置及终端，所述方法包括下述步骤：根据输入的抽头系数和数字基带参考信号，得到回波干扰信号估计；获取数字基带信号与所述回波干扰信号估计的误差信号；提取所述误差信号的符号，并根据输入的所述数字基带参考信号，对所述抽头系数进行更新；对所述误差信号进行延迟处理，并作为更新的数字基带参考信号再次送入所述自适应FIR滤波器。本发明采用简化数据符号LMS算法对自适应FIR滤波器的抽头系数进行更新，通过提取回波干扰抑制信号的符号，确定回波信道估计的自适应更新方向，进而获得抽头系数更新值和回波干扰信号估计，实现回波消除。
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公开(公告)号：CN102103910B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201010604825.6
申请日：2010-12-24
Applicant: 东莞市民兴电缆有限公司 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01B13/02
Abstract: 本发明涉及管绞机设备技术领域，特别是涉及一种管绞机滚筒。一种管绞机滚筒，包括筒体，筒体上设置有多个通孔，所述通孔均布于筒体的外壁上，所述通孔两侧的筒体的内管壁上设置有降噪结构，所述降噪机构是由两根轴向筋条和两根竖向筋条构成的框形体，所述竖向筋条沿筒体的轴线方向分别设置于通孔的两侧的内管壁上，所述横向钢筋条沿与筒体轴线垂直方向布置，并且与竖向筋条的端部连接。本发明中沿滚筒轴线方向的竖向筋条和与之垂直方向设置的横向钢条的组合可以显著改善滚筒旋转运动至不同角度时抗弯刚度，可以减小相同工作条件下筒体的弯曲变形，进而减小机械噪声。
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公开(公告)号：CN102087099B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201010555193.9
申请日：2010-11-23
Applicant: 东莞市日新传导科技股份有限公司 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: G01B11/08
Abstract: 本发明公开了一种基于FPGA的激光测径系统，用于实时检测线缆的直径，包括光学装置、光电传感器、放大单元、波形处理单元、模数转换单元、FPGA处理器及显示单元，光电传感器获取待测线缆在光学装置的光路中的光学影像并转换成模拟电信号，通过放大、波形处理及模数转换后转换成数字信号传送至FPGA处理器，并在显示单元显示出待测线缆的直径数据，所述FPGA处理器包括驱动模块、信号提取模块及数据显示模块，信号提取模块提取并转换模数转换单元转换输出的数字信号，并将转换后的数据传送至数据显示模块，数据显示模块与显示单元电连接，驱动模块驱动信号提取模块及数据显示模块，本发明的基于FPGA的激光测径系统能够高速可靠的、高精度的在线检测线缆直径。
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公开(公告)号：CN102623492A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210098651.X
申请日：2012-04-06
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01L29/745 , H01L29/749 , H01L29/06
Abstract: 一种MOS场控晶闸管(MCT)，属于功率半导体器件技术领域。本发明将普通MCT的P型体区向下延伸、延伸区插入N-型漂移区，以增大P型体区与N-漂移区的接触面积，增加少数载流子的抽取通道，进而加快少数载流子的抽取速度，缩短关断时间，减小关断损耗。当P型延展区与N-型漂移区恰好达到电荷平衡时，电荷平衡的P型延展区与N-型漂移区恰好形成超结结构(SuperJunction)，这种情况下的MOS场控晶闸管能进一步优化反向耐压特性，降低器件的导通压降。本发明快速关断的特性，可显著提高器件的工作频率，使器件比常规MCT有更广的应用范围，更适合应用于高压开关电路中。
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