无铅砷抗过度曝光玻璃
    51.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1120810C

    公开(公告)日:2003-09-10

    申请号:CN96103990.6

    申请日:1996-03-29

    IPC分类号: C03C3/076

    摘要: 本发明涉及一种电弧放电灯,它具有可在抗过度曝光的硼硅酸盐玻璃罩中发射可见光幅射和紫外线幅射的电弧放电光源。该玻璃罩是无铅无砷的,且其传输率在425nm波长处大于90%而在320nm波长处的紫外线幅射情况下不高于40%,在300nm处的紫外线幅射情况下为8%,而在290nm处的紫外线幅射情况下为0.5%。该玻璃罩的组分按重量百分比计包括至少约3.89%的Na2O,约1.5%的K2O,约0.15%的Li2O,约17%的B2O3,约1.4%的Al2O3,约0.6%的CaO,约0.35%的MgO,约0.15%的CeO2,约0.075%至0.30%的SnO2,而其余为SiO2。本发明还涉及一种具有上述组分的玻璃。

    特种中碱玻璃球
    56.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1228392A

    公开(公告)日:1999-09-15

    申请号:CN98111884.4

    申请日:1998-03-11

    IPC分类号: C03C3/076

    CPC分类号: C03C12/00

    摘要: 本发明公开了一种特种中碱玻璃球的制造方法,该玻璃球主要采用原矿粉及熟料作为原辅料,加入含氧化锂(Li2O)的强助熔剂,通过合理的配料等确保了玻璃球的化学成分和质量。本发明具有配方科学、合理、原辅料价格低且易得,延长熔窑寿命,提高拉丝产量等优点。

    磁盘用微晶玻璃基片
    60.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1167736A

    公开(公告)日:1997-12-17

    申请号:CN97104801.0

    申请日:1997-02-02

    发明人: 山口胜彦

    IPC分类号: C03C10/14 C03C3/076

    摘要: 本发明提供一种磁盘用微晶玻璃基片,适用于接触记录方式,具有10以下的表面粗糙度和较高的磨损性。基片的构成是,微晶玻璃的主结晶相为α-方晶石(α-SiO2)和二硅酸锂(Li2O·2SiO2),该结晶相的构成比α-方晶石/二硅酸锂为0.25-0.35,晶粒的粒径为0.1-1.0μm,磁盘基片的研磨表面粗糙度(Ra)为2-10,且,磨损度(Aa)为5-15之间。