振荡器、频率合成器和用于在电信网络中使用的网络节点

    公开(公告)号:CN102577098A

    公开(公告)日:2012-07-11

    申请号:CN200980161686.X

    申请日:2009-09-29

    CPC classification number: H03B5/1243 H03B5/1847

    Abstract: 本公开涉及用于在频率综合器频率合成器产生频率中使用的振荡器,该振荡器包括:形成具有至少一匝的金属线圈的第一电感器元件,以及第一电容性电路,第一电容性电路被布置为与第一电感器元件形成第一谐振电路,并通过至少一个第一连接端子连接到第一电感器元件,其中,第一电容性电路包括至少一个电容性元件和布置来建立和维持振荡的电子元件装置。振荡器的特征在于第二电容性电路,第二电容性电路包括至少一个电容性元件和电子元件装置,第二电容性电路被布置为与第一电感器元件形成第二谐振电路,并通过至少一个第二连接端子连接到第一电感器元件,该至少一个第二连接端子位于第一电感器元件上的与第一电容性电路的第一连接端子相对的一侧上,其中,第一和第二谐振电路被调谐到基本相同的频率。本发明还涉及频率综合器频率合成器和用于在电信网络中使用网络节点。

    压控振荡器及其控制方法
    53.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101162889A

    公开(公告)日:2008-04-16

    申请号:CN200710163628.3

    申请日:2007-10-15

    Inventor: 伊藤诚一

    Abstract: 本发明的一个目的是提供一种压控振荡器及其控制方法。微波频带的压控振荡器不缩小可变频率范围并具有改善的相位噪声特性。本发明是通过变容二极管电路控制振荡频率的微波频带压控振荡器,在变容二极管电路中,多个串联电路被并联连接,这些串联连接电路具有串联连接的变容二极管和电容,并且变容二极管包括至少一个或多个超突变型GaAs变容二极管和至少一个或多个突变型Si变容二极管。

    频率可调振荡器
    54.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101151797A

    公开(公告)日:2008-03-26

    申请号:CN200680010024.9

    申请日:2006-03-27

    CPC classification number: H03B5/1847 H01P7/088 H03B7/143 H03B2200/0022

    Abstract: 本发明提供一种频率可调振荡器,具有较小的由寄生电抗分量等引起的振荡特性恶化,而无需在其中安装诸如可变电容元件之类的集总常数元件。该频率可调振荡器包括共同形成反馈电路的负阻抗元件和共振器。该频率可调振荡器在所述反馈电路的至少一部分上,还包括:分布常数材料,其被配置为具有分布常数从而使得共振器的电气长度被调制;和修正单元,其用于外部地修正所述分布常数材料,其中,可以通过所述修正单元的外部修正改变所述振荡频率。

    振荡器
    55.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1619942A

    公开(公告)日:2005-05-25

    申请号:CN200410091318.1

    申请日:2004-11-19

    CPC classification number: H03B5/1847 H03B5/1203 H03B5/1231

    Abstract: 一种振荡器,其包括:晶体管,具有用于接收电源电压的集电极;第一电容器,其连接在所述晶体管的基极和发射极之间;第二电容器,其连接在所述第一电容器和地之间;电阻器,其连接在所述晶体管的集电极和基极之间;第一电感器,其耦接在晶体管的基极和地之间;以及第二电感器,其耦接在所述晶体管的发射极与所述第一电感器或地之间。

    电压控制振荡器
    59.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1405974A

    公开(公告)日:2003-03-26

    申请号:CN02142823.9

    申请日:2002-09-18

    CPC classification number: H03B5/1847 H03B2201/0208 H03B2201/0258

    Abstract: 本发明提供的电压控制振荡器,用于提高振荡频率相对于变容二极管上所施加的控制电压的变化灵敏度,其具有振荡晶体管(1)和变容二极管(3),同时包括与振荡晶体管(1)连接的谐振电路(2)、和切换谐振电路(2)的谐振频率的开关二极管,谐振电路(2)由第一片状导体(4)和第二片状导体(5)构成,第一片状导体使变容二极管(3)的阳极直流接地,第二片状导体使变容二极管(3)的阴极与振荡晶体管结合,开关二极管(7)与第一片状导体(4)高频并联连接,同时阴极接地,通过扼流圈电感器(11)把改变变容二极管(3)的电容值的控制电压施加到变容二极管(3)的阴极与第二片状导体(5)的连接点。

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