公开(公告)号：CN104217928A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201310209010.1

申请日：2013-05-30

申请人： 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

发明人： 刘军库 ,  任梦昕 ,  张立辉 ,  陈墨 ,  李群庆 ,  范守善

IPC分类号： H01L21/033

CPC分类号： G03F7/2059 ,  G03F7/2037 ,  G03F7/40 ,  H01L21/20 ,  H01L29/06 ,  H01L21/0338 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明涉及一种纳米级微结构的制备方法，其包括以下步骤：提供一绝缘基底，在所述绝缘基底的一表面形成一导电层，所述导电层包括一石墨烯膜；在所述导电层上形成一掩模预制层；采用电子束曝光对所述掩模预制层进行图案化处理，形成一图形化的掩模层，所述图形化的掩模层包括多个凹部和多个凸部，位于凹部位置处的所述导电层暴露出来；通过干法刻蚀去除位于所述多个凹部位置处的所述导电层，暴露出所述绝缘基底的部分表面；形成一预制层至少覆盖所述暴露出来的绝缘基底表面；以及，去除所述掩模层以及所述导电层，在所述绝缘基底的表面形成纳米级微结构。

公开(公告)号：CN103329045A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201180065257.X

申请日：2011-12-22

申请人： 富士胶片株式会社

发明人： 土村智孝 ,  八尾忠辉

IPC分类号： G03F7/038 ,  C08F12/24 ,  G03F7/039

CPC分类号： G03F7/0382 ,  C08F12/24 ,  C08F212/14 ,  C08F257/00 ,  C08K5/19 ,  C09D125/18 ,  G03F1/20 ,  G03F1/22 ,  G03F1/56 ,  G03F1/76 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2037 ,  G03F7/2039 ,  C08F212/32 ,  C08L25/18 ,  C08F2220/185 ,  C08F220/42

摘要： 一种化学增幅型光阻组成物，含有：(A)具有酚羟基的氢原子经具有酸不可分解多环脂环族烃结构的基团置换的结构的聚合化合物；以及(B)能够在用光化射线或辐射照射后产生酸的化合物。

公开(公告)号：CN1209641A

公开(公告)日：1999-03-03

申请号：CN98117632.1

申请日：1998-08-24

申请人： 日本电气株式会社

发明人： 山崎浩

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： G03F1/20 ,  G03F1/40 ,  G03F7/2037 ,  H01J37/026 ,  H01J2237/0044 ,  H01J2237/2007 ,  H01J2237/3175 ,  Y10S430/143

摘要： 在用于包括导电光屏蔽层(32)的光掩模(3)的抗静电方法中,至少两个导电针插入光掩模,从而导电针与导电光屏蔽层接触。然后,光掩模被置于电子束曝光装置的暗盒(71)中。再通过导电板(72)使导电针与暗盒电连接。这样,在导电光屏蔽层被电子束充电的电子有效地从导电针向暗盒放电。