公开(公告)号：CN1595679A

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN200410076870.3

申请日：2004-09-08

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 小西池勇 ,  山本鑑 ,  高田智雄 ,  川瀬贤一 ,  宫木幸夫

IPC: H01M4/02 ,  H01M10/40

CPC classification number: H01M4/662 ,  H01M4/0471 ,  H01M4/13 ,  H01M4/38 ,  H01M4/386 ,  H01M4/387 ,  H01M4/405 ,  H01M4/661 ,  H01M10/052 ,  H01M2004/021 ,  H01M2004/027 ,  H01M2220/30

Abstract: 本发明提供一种可以改善电池特性例如循环特性的阳极以及采用该阳极的电池。在阳极集电体上设置阳极活性材料层。阳极活性材料层含有至少一种能与Li形成合金的硅等单体、合金和化合物。另外，通过气相沉积法等形成阳极活性材料层，其与阳极集电体形成合金。另外，阳极容量的0.5％～40％的Li预先嵌入阳极活性材料层中。因此，当因与电解质反应而消耗Li时，Li可再被补充，在放电的最后阶段，阳极电位的上升得到抑制。

公开(公告)号：CN101060170B

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN200710109703.8

申请日：2007-03-20

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 广瀬贵一 ,  川瀬贤一 ,  小西池勇 ,  岩间正之

IPC: H01M4/02 ,  H01M4/36 ,  H01M4/58 ,  H01M10/40

CPC classification number: H01M10/0525 ,  H01M2/022 ,  H01M2/0222 ,  H01M4/0423 ,  H01M4/13 ,  H01M4/131 ,  H01M4/139 ,  H01M4/485 ,  H01M4/582 ,  H01M10/0431 ,  H01M2004/021 ,  H01M2220/30 ,  H01M2300/004 ,  Y02E60/122

Abstract: 提供一种能够防止负极活性材料层膨胀的负极和使用它的电池。该负极包括负极集电体和含有硅(Si)作为构成元素的负极活性材料层，其中该负极活性材料层中包含选自碱金属氟化物和碱土金属氟化物中的至少一种。

公开(公告)号：CN102013472B

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201010541888.1

申请日：2008-04-30

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 小西池勇 ,  川濑贤一

IPC: H01M4/134 ,  H01M4/38 ,  H01M4/66 ,  H01M10/0569 ,  H01M10/0568

CPC classification number: H01M4/134 ,  H01M4/38 ,  H01M4/661 ,  H01M4/70

Abstract: 提供一种适合于锂离子二次电池等的，高容量且充放电循环特性优异、不可逆容量的发生少的二次电池用负极。设置在负极集电体上的负极活性物质层中的硅具有局部有序性的程度低的非晶结构。在设因横波光学声子产生的散射而出现在偏移位置480cm-1附近上的散射峰的强度为TO、因纵波声学声子引起的散射而出现在偏移位置300cm-1附近的散射峰的强度为LA、因纵波光学声子产生的散射而出现在偏移位置400cm-1附近的散射峰的强度为LO时，该非晶结构的初次充放电后的拉曼光谱满足以下的关系：0.25≤LA/TO和/或0.45≤LO/TO。

公开(公告)号：CN101546823B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN200910130322.7

申请日：2009-03-30

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 足立百惠 ,  仓泽俊佑 ,  小西池勇 ,  川濑贤一

IPC: H01M4/02 ,  H01M4/36 ,  H01M10/36 ,  H01M10/40

CPC classification number: H01M4/386 ,  H01M4/04 ,  H01M4/13 ,  H01M4/134 ,  H01M4/139 ,  H01M4/38 ,  H01M4/387 ,  H01M10/052 ,  H01M2004/021

Abstract: 本发明提供了一种能够改善循环特性的负极和二次电池。该负极包括：在负极集电体上的负极活性物质层，该负极活性物质层包括多个负极活性物质颗粒，其中由该负极活性物质层的表面观察的多个负极活性物质颗粒的平均颗粒面积在1μm2～60μm2的范围内。

公开(公告)号：CN102013472A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN201010541888.1

申请日：2008-04-30

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 小西池勇 ,  川濑贤一

IPC: H01M4/134 ,  H01M4/38 ,  H01M4/66 ,  H01M10/0569 ,  H01M10/0568

CPC classification number: H01M4/134 ,  H01M4/38 ,  H01M4/661 ,  H01M4/70

Abstract: 提供一种适合于锂离子二次电池等的，高容量且充放电循环特性优异、不可逆容量的发生少的二次电池用负极。设置在负极集电体上的负极活性物质层中的硅具有局部有序性的程度低的非晶结构。在设因横波光学声子产生的散射而出现在偏移位置480cm-1附近上的散射峰的强度为TO、因纵波声学声子引起的散射而出现在偏移位置300cm-1附近的散射峰的强度为LA、因纵波光学声子产生的散射而出现在偏移位置400cm-1附近的散射峰的强度为LO时，该非晶结构的初次充放电后的拉曼光谱满足以下的关系：0.25≤LA/TO和/或0.45≤LO/TO。

公开(公告)号：CN101587947A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200910143040.0

申请日：2009-05-25

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 小西池勇 ,  佐鸟浩太郎 ,  川濑贤一 ,  仓泽俊佑 ,  松元浩一 ,  广濑贵一 ,  岩间正之 ,  藤永卓士

IPC: H01M4/02 ,  H01M4/36 ,  H01M4/58 ,  H01M4/48 ,  H01M10/36 ,  H01M10/40

CPC classification number: H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/386 ,  H01M4/5825 ,  H01M4/587 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0568 ,  H01M10/0569

Abstract: 本发明提供了具有高循环特性的负极以及包括该负极的二次电池。该二次电池包括正极、负极以及电解质。在该负极中，包含硅、碳以及氧作为负极活性物质的负极活性物质层设置在负极集电体上。在该负极活性物质中，碳的含量为0.2原子％～10原子％，并且氧的含量为0.5原子％～40原子％。包含在该负极活性物质中的0.1％～17.29％比率的硅以Si-C键存在。

公开(公告)号：CN100486001C

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200610135572.6

申请日：2006-10-18

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 小西池勇 ,  川瀬贤一

IPC: H01M4/02 ,  H01M4/66 ,  H01M2/26 ,  H01M4/04

CPC classification number: H01M10/052 ,  H01M2/22 ,  H01M2/32 ,  H01M4/134 ,  H01M4/661

Abstract: 提供了可改善活性材料层和负极引线之间的接触特性并可防止电阻增加的负极、制造该负极的方法、和包括该负极的电池。包含硅作为构成元素的活性材料层设置在集电体上。负极引线结合到该活性材料层。在该负极引线和该活性材料层之间的结合区域的至少部分是由铜或含铜合金制成。由此，即使该负极引线结合到该活性材料层，也可防止电阻增加。负极引线可由铜或含铜合金制成。另外，由铜或含铜合金制成的包覆层可设置在基材的表面上。

公开(公告)号：CN100470896C

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200510126878.0

申请日：2005-11-25

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 小西池勇 ,  川瀬贤一

IPC: H01M4/64 ,  H01M4/02 ,  H01M10/40

CPC classification number: H01M4/58 ,  H01M4/134 ,  H01M4/70 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0565

Abstract: 提供能够改善循环特性的负极和使用其的电池。在负极集电体上提供包含Si的负极活性材料层。通过在具有粗糙度分布十点高度Rz1为2.0μm或更小的基底材料上提供凸出部使负极集电体粗糙化。通过从负极集电体的粗糙度分布十点高度Rz2中减去基底材料的粗糙度分布十点高度Rz1得到的差的值Rz2-Rz1为0.2μm-5.1μm。从而，即使当负极活性材料层由于充电和放电而膨胀和收缩时，也可防止负极集电体的破裂、负极活性材料层的脱落等。

公开(公告)号：CN101355147A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200810135637.6

申请日：2008-07-07

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 广濑贵一 ,  川濑贤一 ,  小西池勇 ,  森田望 ,  藤井敬之

IPC: H01M4/02 ,  H01M10/40 ,  H01M10/04

CPC classification number: H01M10/0525 ,  H01M4/0404 ,  H01M4/134 ,  H01M4/621 ,  H01M4/624

Abstract: 提供了一种能够改进循环特性的负极以及电池。负极包括：在负极集流体上包括负极活性材料的负极活性材料层，负极活性材料包括硅(Si)并具有多孔，其中在电极反应之后，每单位重量硅的具有从3nm到200nm且包含两端点的直径范围的孔组的测定体积容量为0.3cm3/g或更少，侵入到多孔中的水银量的变化速率分布为在从200nm到15000nm且包含两端点的直径范围内具有峰值，通过水银空隙测定法测量侵入水银量的变化速率。

公开(公告)号：CN101212041A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200710161085.1

申请日：2007-12-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 足立百惠 ,  小西池勇 ,  川濑贤一

IPC: H01M4/02 ,  H01M4/36 ,  H01M4/66 ,  H01M4/04 ,  H01M10/40

CPC classification number: H01M10/052 ,  H01M4/0423 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/366 ,  H01M4/38 ,  H01M4/386 ,  H01M4/387 ,  H01M4/623 ,  H01M4/64 ,  H01M4/661 ,  H01M10/0565 ,  H01M10/0569 ,  H01M2004/021 ,  H01M2300/0085 ,  Y02E60/122 ,  Y02P70/54

Abstract: 一种二次电池电极，包括：活性物质层，被构造成设置在集电体上并且通过堆叠多层由活性物质构成的活性物质亚层而获得。其孔直径沿着该活性物质层的厚度方向为3nm到300nm的孔沿着活性物质亚层之间的边界被形成，并且在装配二次电池时这些孔的至少一部分被电解质和/或由该电解质还原产生的产物所填充。