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公开(公告)号：CN116781126A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310479211.7
申请日：2023-04-28
Applicant: 电子科技大学(深圳)高等研究院
IPC: H04B7/08
Abstract: 本申请实施例公开了一种相位调制移相阵列接收机及方法，包括N个接收机基本单元，所述接收机基本单元的接收端与低躁放大器输出端电连接，所述接收机基本单元的输出端与数字波束赋形模块电连接，所述接收机基本单元接收所述低躁放大器低躁放大后的信号，将所述信号进行幅度和相位拆分获得幅度信息和相位信息。将阵列接收机中各个通道接收到信号的调幅、调相信息分别采样运算，实现波束赋形，字波束赋形时可以很容易提取出来自不同方向的接收信息。并且模数采样频率只需要满足基带信号的奈奎斯特采样定律，可以大幅度降低对模数转换器采样速率的要求，且时数转换器只需要获得信号的幅度信息，可以大幅降低其精度要求，从而降低整个系统的功耗。
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公开(公告)号：CN114826206B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202210264506.8
申请日：2022-03-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种移相器相位校准电路及其校准方法，主要解决现有移相器电路相位控制系统复杂，导致系统额外开销大的问题。该校准电路包括移相器电路，对移相器电路输出端口进行信号采样并对相位进行检测判断并生成反馈信号的相位检测电路，以及用于接收相位检测电路的反馈信号并用于调整控制编码至移相器电路的控制编码生成电路。本发明相较于数字预失真方案，无需对移相器电路进行测试，也不需要查找表等复杂的存储电路；相较于相位补偿性方案，片上实现了信号反馈与相位检测，也不需要额外的相位补偿电路。因此，本发明适宜推广应用。
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公开(公告)号：CN116451633A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310318118.8
申请日：2023-03-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F30/373 , G06N3/006 , G06N3/126
Abstract: 本发明公开了基于混合遗传粒子群优化的自适应无反射滤波器设计方法，包括：将目标滤波器设置为初始拓扑图；通过混合遗传粒子群优化算法动态的调整初始拓扑图的拓扑结构和每个支路的参数至损失值最小，形成最终拓扑图；根据最终拓扑图进行电路版图设计，并对电路版图中的寄生效应进行精调形成最终电路版图作为目标滤波器的最终设计方案。本发明可以根据所需滤波器响应和元件可用范围自动选择合适拓扑结构，并产生拓扑中每个元件的值；通过对拓扑结构施加平面拓扑地限定条件，可以使综合得到的拓扑结构为平面结构，在设计实际滤波器时，信号线通路上无需过孔和长连接线，降低了滤波器版图的寄生参数对无反射性能的影响。
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公开(公告)号：CN116260399A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310183313.4
申请日：2023-02-20
Applicant: 电子科技大学(深圳)高等研究院
Abstract: 本发明公开了一种深度噪声抵消的低噪声放大器，主要解决现有低噪声放大器高频下单级增益低，后级电路的噪声占比高的问题。该低噪声放大器包括非对称补偿共栅‑共源噪声抵消级：信号从射频输入端输入共栅‑共源噪声抵消级，对信号进行放大后降噪输出。全差分电阻反馈噪声抵消级：接收共栅‑共源噪声抵消级的差分输出信号作为低噪声放大器的第二级，并抵消第二级晶体管噪声；增益级：对电阻反馈噪声抵消级输出的信号进行放大。本发明与传统的无噪声抵消架构，单级噪声抵消架构的低噪声放大器相比，深度噪声抵消架构低噪声放大器可以有效抵消放大器的第一级与第二级噪声，从而降低电路在输出端产生的噪声占比，降低噪声系数。因此，适宜推广应用。
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公开(公告)号：CN112968674B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202110120958.4
申请日：2021-01-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种低噪声放大器的双路噪声抵消电路，主要解决现有噪声消除电路难以在高频段实现的问题。该电路包括CG共栅放大器，与CG共栅放大器相连的幅噪调整变压器T，输入端与CG共栅放大器一端相连电容C1，与电容C1的另一端相连的CS共源放大器，分别与CG共栅放大器的另一端、CS共源放大器的输出端对应相连的相位调整电路P1、P2，以及分别与相位调整电路P1、P2的输出端对应相连的幅度调整电路A1、A2。通过上述设计，本发明实现了宽频范围内的低噪声系数，并可降低电路寄生对噪声抵消电路性能的影响，将噪声抵消原理实现在毫米波段。因此，适宜推广应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115173018A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210677498.X
申请日：2022-06-15
Applicant: 电子科技大学(深圳)高等研究院
Abstract: 本发明公开了一种适用于毫米波段无源滤波器的谐振器结构及集成结构，包括馈线层，包括第一馈线和第二馈线；谐振层，设置在馈线层下，且所述谐振层包括与所述第一馈线耦合的第一谐振器、与所述第二馈线耦合的第二谐振器；所述第一谐振器和所述第二谐振器之间设置有第三谐振器，且所述第三谐振器分别与所述第一谐振器和所述第二谐振器耦合；其中，所述第三谐振器具有与所述第一谐振器和第二谐振器不同的高次谐波；衬底层，设置在所述谐振层下，包括金属屏蔽层，且所述金属屏蔽层通过金属过孔与谐振层相连；采用所述结构的滤波器具有宽阻带、宽通带、占用版图面积小、对外电磁辐射低的优点。
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公开(公告)号：CN114978160A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210539837.8
申请日：2022-05-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种快速锁定的亚采样锁相环及锁相方法，通过采用正交亚采样鉴相器，自动识别相位误差区域，以实现自动控制死区单元的开闭，结合了低抖动亚采样环路的低相噪优势和快速锁定环路的快锁优势，最终实现了低相位噪声和快速锁定的锁相环；且通过自动控制死区单元的开闭适用于模拟锁相环，数字锁相环等不同频率的多种锁相环形式，通过对低抖动亚采样环路和带死区的快速锁定环路的自动切换，消除了传统亚采样锁相环中等待死区跨越的时间，从而同时实现锁相环的低抖动和快速锁定高性能。
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公开(公告)号：CN111628255B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202010496272.0
申请日：2020-06-03
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本申请公开了一种基于封装缺陷地结构的紧凑型宽阻带带通滤波器，信号层上设置有SIR谐振器、非对称阶跃短截线和馈电线路，所述信号层与所述第一金属层耦合连接，所述第一金属层为缺陷结构金属层，所述第二金属层为接地金属层，所述第一金属层与所述第二金属层组成封装缺陷地结构PDGS。第一金属层和第二金属层构成PDGS结构，该结构相对于传统的DGS结构增加了一层额外的地层，可以将电磁场限制在一个准腔体中，故而可以减小辐射损耗，从而降低滤波器的插入损耗。相对于传统的DGS结构而言，增加的额外一层地层使得传输线的分布电容增大，从而同样尺寸的情况下谐振频率左移，更容易实现小型化。
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公开(公告)号：CN112953399A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110108881.9
申请日：2021-01-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本申请公开了一种高回退效率功率放大器，包括：多个功率放大器子单元，所述功率放大器子单元包括第一电容，每个所述第一电容的第一端均与输出端电连接，所述第一电容的第二端连接一堆叠式反相器电路，所述堆叠式反相器电路在所述功率放大器子单元关闭时，控制所述第一电容的第二端浮空。当堆叠式反相器电路中包含PMOS管和NMOS管，功率放大器子单元工作时，堆叠式反相器电路导通，控制第一电容的第二端在VDD和GND之间切换。当功率放大器子单元关闭时，堆叠式反相器电路截止，呈现高阻状态，使得第一电容的第二端浮空，进而提高了回退效率。
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公开(公告)号：CN112152579A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202011036651.8
申请日：2020-09-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03F3/45
Abstract: 本申请实施例公开了一种无反射放大器，其特征在于，所述无反射放大器为单端或差分无反射放大器，所述无反射放大器包括高频信号吸收网络、低频信号吸收网络和通带信号放大器；所述通带信号为放大器依设计所需放大的信号；所述高频信号吸收网络用于吸收输入信号中的高频信号，所述高频信号为信号频率高于所述通带信号的输入信号；所述低频信号吸收网络用于吸收输入信号中的低频信号，所述低频输入信号为信号频率低于所述通带信号的输入信号。采用本申请实施例提供的方案可以实现放大器的宽频无反射设计，以及无反射放大器的小型化设计。
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