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公开(公告)号：CN108147457B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201711429958.2
申请日：2017-12-26
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了制备铋系氧化物纳米片的方法和铋系氧化物纳米片的应用，其中，制备铋系氧化物纳米片的方法包括：(1)将氧化铋和/或硝酸铋、硝酸铜和水进行混合，以便得到蓝色溶液；(2)向所述蓝色溶液中加入氢氧化钠并搅拌，以便得到絮凝状混合物；(3)向所述絮凝状混合物中依次加入硫脲和CTAB表面活性剂，并于20‑160摄氏度下保温12小时，经过过滤、清洗和干燥，以便得到BiCuSO纳米片。采用该方法能有效制备得到具有层状结构的BiCuSO纳米片，且制备得到的BiCuSO纳米片在可见光区域对甲醛有较高的催化分解能力。
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公开(公告)号：CN110341205A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201810283495.1
申请日：2018-04-02
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种多层聚合物纳米复合材料及其制备方法。该制备方法包括如下步骤：(1)采用静电纺丝法制备具有层状结构的复合无纺布；所述复合无纺布包括聚合物纳米复合层；构成所述聚合物纳米复合层的聚合物纳米纤维以聚合物为主体纤维骨架，纳米填料分散在所述主体纤维中；(2)对所述复合无纺布依次进行热压和热处理，即可得到所述多层聚合物纳米复合材料。本发明实现了多层级结构复合材料的制备，复合材料内部填料均匀分散，层级结构明显，界面清晰完整且接触紧密，复合材料的层数和单层厚度在大范围内精细可控，同时该多层复合材料具有优异的介电性能和极高的性能稳定性。
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公开(公告)号：CN109280300A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201710595144.X
申请日：2017-07-20
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供了一种填料分布和/或取向可调的聚合物复合材料，填料在复合材料内部z轴方向不同区域体积分数在0％-90％范围内可调；填料在复合材料内部取向角度在0度至180度范围内可调。本发明还提供了一种调控聚合物复合材料的内部填料的分布和/或取向的方法，包括：将填料体积分数不同的一系列填料/聚合物纺丝前驱溶胶按顺序依次交替纺丝；和/或调节滚筒转速使填料形成取向，还可改变滚筒的接受角度，形成填料取向交错的复合结构的聚合物/填料复合无纺布。通过调节不同维度的填料分布和取向得到的具有特定复合结构的复合材料，相对于一般制备方法得到的填料随机分布的复合材料，能够得到更好的力学性能以及电学性能，从而有利于复合材料在高场下的应用。
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公开(公告)号：CN108147457A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711429958.2
申请日：2017-12-26
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了制备铋系氧化物纳米片的方法和铋系氧化物纳米片的应用，其中，制备铋系氧化物纳米片的方法包括：(1)将氧化铋和/或硝酸铋、硝酸铜和水进行混合，以便得到蓝色溶液；(2)向所述蓝色溶液中加入氢氧化钠并搅拌，以便得到絮凝状混合物；(3)向所述絮凝状混合物中依次加入硫脲和CTAB表面活性剂，并于20-160摄氏度下保温12小时，经过过滤、清洗和干燥，以便得到BiCuSO纳米片。采用该方法能有效制备得到具有层状结构的BiCuSO纳米片，且制备得到的BiCuSO纳米片在可见光区域对甲醛有较高的催化分解能力。
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公开(公告)号：CN106450440A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610822432.X
申请日：2016-09-13
Applicant: 清华大学 , 九江天赐高新材料有限公司
IPC: H01M10/0562 , H01M10/0525 , H01M10/058
CPC classification number: H01M10/0562 , H01M10/0525 , H01M10/058 , H01M2300/0068
Abstract: 本发明提出了全固态锂离子电池、固态电解质化合物及制备方法。该方法包括：按照xLi2S-(100-x)P2S5的化学计量比，将锂源化合物以及磷源化合物混合以便形成原料混合物，其中，x以及100-x为化学计量比，所述x的取值范围为65-85；对所述原料混合物进行球磨处理，得到球磨产物；以及对所述球磨产物进行低温热处理，以便获得所述化合物，其中，所述低温热处理的温度不高于300摄氏度。该用于固态电解质的化合物具有离子电导率高、生产成本低廉等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103247823B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201310139528.2
申请日：2013-04-19
Applicant: 清华大学
IPC: H01M10/0562 , H01M10/058
Abstract: 本发明提供了一种全固态锂离子电池及其制作方法。该全固态锂离子电池包括：正极材料、正极集流体、固体电解质材料、负极材料、负极集流体和不锈钢外壳，其中，固体电解质材料为锆酸锂镧、锶掺杂锆酸锂镧、锗掺杂锆酸锂镧、铝掺杂锆酸锂镧或硅掺杂锆酸锂镧中的至少一种。该电池的制作过程简单，成本低、耗能小，在未来的锂电池技术及市场中具有极大的应用前景。
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公开(公告)号：CN104851973A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201410056622.6
申请日：2014-02-19
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种利用电场写入数据的四态磁存储单元。其包括：第一电极层；铁电氧化物层，所述铁电氧化物层形成于所述第一电极层上；第二电极层，所述第二电极层形成于所述铁电氧化物层上；磁性记录层，所述磁记录层形成于所述第二电极层上，所述磁性记录层的平面具有4重对称性，用于进行磁性记录，所述铁电氧化物层与磁性记录层之间具有磁电效应的耦合作用；以及保护层，所述保护层设置于所述磁性记录层上，以保护所述磁性记录层。与现有技术相比，本发明对磁性记录层的形状各向异性与排列做了优化，使得磁性记录层的磁化强度在外加电压的作用下的翻转方向可以被控制，磁化强度的四种状态都可以通过外加电压进行写入，从而实现4进制数据存储。
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公开(公告)号：CN104020260A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410274016.1
申请日：2014-06-18
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明属于材料科学领域，特别涉及一种NiO和Al掺杂的ZnO异质纳米结构及其制备与应用方法。本发明NiO和Al掺杂的ZnO异质纳米结构为由NiO纳米纤维和Al掺杂的ZnO的纳米棒构成的毛刷状异质纳米结构；所述异质纳米结构是通过静电纺丝法制备NiO纳米纤维、在NiO纳米纤维的表面制备Al掺杂的ZnO纳米棒状、样品烧结制备得到的。所述NiO和Al掺杂的ZnO异质纳米结构能够用于制备气敏传感器。实验结果表明基于ZnO和NiO异质纳米结构的气敏传感器对于三乙胺气体具有优异的灵敏度和很高的选择性。
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公开(公告)号：CN102941103A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201210359538.2
申请日：2012-09-24
Applicant: 清华大学
IPC: B01J23/843
Abstract: 本发明公开了一种铁酸铋-石墨烯纳米复合材料及其制备方法。该复合材料由石墨烯和包覆于所述石墨烯表面的BiFeO3纳米颗粒组成；其中，BiFeO3纳米颗粒的直径为100～500nm，石墨烯的直径为5μm～10μm，厚度为2nm～15nm。制备方法如下：首先采用共沉淀法制得BiFeO3前驱体纳米颗粒，进而将其与石墨烯混合进行水热反应，制得的铁酸铋-石墨烯复合材料。本发明的铁酸铋-石墨烯复合材料，带隙为1.78～2.15eV，对可见光的吸收性强，比表面积大，可以有效提高光生载流子的分离和降低载流子的复合率，表现出比纳米粒子更优异的光催化性能。实验证明，这种复合纳米材料在2h内能降解80％以上的目标降解物，显示了其优异的可见光光催化活性。
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公开(公告)号：CN101814294B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201010033876.8
申请日：2010-01-11
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种电写磁性存储器件，包括：底电极层；铁电氧化物层，所述铁电氧化物层形成在所述底电极层上；磁性记录层，所述磁性记录层设置在所述铁电氧化物层上；保护层，所述保护层设置在所述磁性记录层上，其中通过所述底电极层和磁性记录层向所述铁电氧化物层施加写入电场，且所述磁性记录层的磁矫顽场Hc具有对应于所述写入电场信息的不同磁矫顽场值。本发明还提供一种存储装置、一种信息记录再现方法以及一种电写磁性存储器件的制造方法。采用本发明所述的设备和方法，能够利用电场信号直接作用于存储器件上进行信息写入，降低能耗，同时利用不易受外界干扰的磁性记录层磁矫顽场Hc大小进行信息记录，提高了数据存储的安全性。
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