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公开(公告)号：CN113067564B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110349739.3
申请日：2021-03-31
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: H03K17/08
Abstract: 本发明公开了一种高效率绝缘隔离SiC MOSFET栅驱动电路，该电路包括：高精度输入信号接收电路、数字控制电路、调制发送电路、隔离电路、高共模瞬态抑制差分信号接收电路、高效率输出驱动电路、发送端低压产生电路、接收端低压产生电路和芯片状态监测电路。本发明所提供的高效率绝缘隔离SiC MOSFET栅驱动电路，首先，采用高压电容绝缘隔离技术，可实现高耐压的前提下，提高信号处理速度；其次，可以根据负载大小和输入控制脉冲的频率自适应调整驱动电流，从而最大程度上提高驱动电路的电源效率；另外，采用高精度输入信号接收电路，提高信号输入可靠性。本发明可以广泛应用于驱动各类高压SiC MOSFET和IGBT器件。
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公开(公告)号：CN113644019A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110907503.7
申请日：2021-08-09
Applicant: 恩纳基智能科技无锡有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/677
Abstract: 本发明公开了一种半导体贴片机的复合上料装置，包括：平移轨道，所述平移轨道架设于预设位置；行走座，所述行走座行走于所述平移轨道上；升降座，所述升降座安装于所述行走座底端；复合上料机构，所述复合上料单元安装于所述升降座底端；其中，所述复合上料机构可完成料盒的抓取、上料。本发明提供的一种半导体贴片机的复合上料装置，复合上料机构可以利用吸盘或者卡爪完成料盒的抓取、上料，行走座带动料盒沿着平移轨道运动，升降座完成料盒的升降，从而完成料盒的复合上料，上料方式多样，提高了工作效率，迎合了生产需求。
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公开(公告)号：CN113067564A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110349739.3
申请日：2021-03-31
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: H03K17/08
Abstract: 本发明公开了一种高效率绝缘隔离SiC MOSFET栅驱动电路，该电路包括：高精度输入信号接收电路、数字控制电路、调制发送电路、隔离电路、高共模瞬态抑制差分信号接收电路、高效率输出驱动电路、发送端低压产生电路、接收端低压产生电路和芯片状态监测电路。本发明所提供的高效率绝缘隔离SiC MOSFET栅驱动电路，首先，采用高压电容绝缘隔离技术，可实现高耐压的前提下，提高信号处理速度；其次，可以根据负载大小和输入控制脉冲的频率自适应调整驱动电流，从而最大程度上提高驱动电路的电源效率；另外，采用高精度输入信号接收电路，提高信号输入可靠性。本发明可以广泛应用于驱动各类高压SiC MOSFET和IGBT器件。
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公开(公告)号：CN112609242A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011417405.7
申请日：2020-12-05
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓单晶生长装置，具体涉及单晶生长设备技术领域，包括底座、壳体、加热阻丝和塞盖，底座的顶端固定连接有壳体，所述壳体内部的顶端固定连接有筒体，且筒体内部与壳体顶端之间的两侧分别设置有升降结构，所述壳体顶端的一侧设置有排气结构，所述加热台的顶端固定连接有坩埚，且坩埚与壳体的一侧之间分别设置有进料结构。本发明通过在筒体与壳体之间的两侧分别设置有遮挡结构，以升降结构将网框抬升至筒体的内部后，轻旋空心筒内部的活动杆便可以限位块将在弹簧轴作用下朝外翻转的挡板压入筒体的内部，而后再以卡块对活动杆的顶部进行限位即可对网框内部的晶粒进行保存，其冷却效率亦得到一定程度的提升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112584607A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011419622.X
申请日：2020-12-06
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓半导体器件，具体涉及半导体技术领域，包括器件主体，所述器件主体的内壁上设置有防水结构，所述器件主体内部的四周设置有加强结构，所述器件主体内部的一端固定连接有电路板，所述器件主体的顶端固定连接有四组连接块，所述器件主体内部的底端固定连接有放置座。本发明通过设置有内层体、加强板、中层体和连接座，使用时，器件主体的内部设置有中层体和内层体，中层体和内层体形成双层的结构，增加了器件主体的结构强度，并且在中层体和内层体之间通过连接座横向设置有加强板，加强了结构的强度，加强板和连接座连接在一起，结构稳定，避免在使用过程中发生脱落，增加了器件的使用效果。
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公开(公告)号：CN112104370A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202011022536.5
申请日：2020-09-25
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: H03M1/34
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种高精度模数转换器转换速度提升电路，该电路包括：信号输入电路、高精度ADC内核、高性能采样开关、保持电路、比较器、FIFO电路、数据求和电路以及数字校准电路。本发明所述高精度模数转换器转换速度提升电路采用微分信号处理技术，在传统中速高精度ADC内核基础上增加了输入模拟信号跟踪量化电路，实现模拟信号的高速跟随和量化，达到提升ADC转换速率的目的。所述模拟信号跟踪量化电路仅包括高性能采样开关、保持电路、比较器、FIFO电路以及数据求和电路，在不需要成倍增加硬件和功耗开销的条件下，快速提升ADC转换速度，具有低成本优势。
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公开(公告)号：CN111965947A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010811304.1
申请日：2020-08-13
Applicant: 清华大学 , 北京华睿新能动力科技发展有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027 , H01L21/308
Abstract: 本发明公开了一种光刻胶，按重量份剂，包括有机溶剂、功能粒子1～50份、自由基淬灭剂0～2份且不为0份，所述功能粒子包括可自由基聚合型金属氧化物以及包被在所述金属氧化物表面的有机物配体，所述有机物配体具有可自由基引发聚合的基团。本发明还公开了一种光刻胶的图案化方法。本发明还公开了一种集成电路板的刻蚀方法。
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公开(公告)号：CN111704723A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010559490.4
申请日：2020-06-18
Applicant: 清华大学
IPC: C08G83/00 , H01M2/14 , H01M2/16 , H01M10/052
Abstract: 本发明提供一种组合物，通过所述组合物反应得到的锆基金属交联聚合网络，以及具有所述锆基金属交联聚合网络制备的电化学电池用隔膜。所述组合物包括锆基金属有机簇和引发剂，所述锆基金属有机簇的化学式为Zr6Ox(OH)8-xLy。本发明还提供一种锆基金属交联聚合网络的制备方法、电化学电池用隔膜的制备方法以及电化学电池。
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公开(公告)号：CN108042203B
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201711397446.2
申请日：2017-12-21
Applicant: 清华大学深圳研究生院
IPC: A61B34/20
Abstract: 本发明公开了一种基于超声测距的心脏三维标测系统及方法。本发明基于超声测距的心脏三维标测系统包括超声晶体、超声采集模块、超声驱动模块。通过采用超声测距和电磁定位相结合的方法，能够在进行心内导管的介入式手术过程中，快速获取获取心脏内膜点的云数据。在标测心内膜三维空间位置点时，通过超声测距的方法，提供介入式导管到心内膜的距离信息。通过检测超声回波的方式计算距离，具有速度快，精度高的优点，并且可以将距离信息通过串口查询的方式与上位机进行通信。本发明可以通过非接触的方式，获得介入式导管到心内膜的距离，并且实现与计算机的通信，为结合电磁定位还原三维空间位置信息，获取心腔三维模型奠定基础。
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