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公开(公告)号：CN101984144A
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN201010516551.5
申请日：2010-10-22
Applicant: 浙江大学
IPC: C25D9/08
Abstract: 本发明涉及医用钛植入体表面组装矿化胶原梯度涂层的方法，采用电化学共沉积法，利用电压、电解液组成对胶原在电解液中原位矿化自组装的影响，从钛基板往上依次组装完全矿化磷酸钙层、矿化胶原层和未矿化纯胶原层，与自然骨的成分和结构类似，具有良好的生物相容性和生物响应性，可以加速植入处骨组织整合，减少治疗时间。涂层与钛基板具有较强的结合力，可减少植入过程中由于摩擦应力等造成的涂层脱落，适用于临床应用。
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公开(公告)号：CN101973582A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010295406.9
申请日：2010-09-27
Applicant: 浙江大学
IPC: C01G23/053 , B82B3/00
Abstract: 本发明公开的制备密度可调的TiO2纳米棒阵列的方法，TiO2纳米棒的直径为10nm～200nm，TiO2纳米棒的密度分布范围为9.4×102cm-2～8.3×1013m-2，制备步骤如下：1)将钛酸四正丁酯、水和乙酰丙酮溶于乙醇中，然后加入聚乙烯吡咯烷酮，形成二氧化钛前驱体溶胶；2)将二氧化钛前驱体溶胶速度旋涂到基板上，在基板上形成二氧化钛前躯体纳米点阵列溶胶膜，然后板放入马弗炉中进行热处理；3)将热处理后的基板放入钛酸盐与酸的混合水溶液中进行水热处理，得到在基板上的TiO2纳米棒阵列。本发明制备方法简单，制得的TiO2纳米棒阵列根据其不同的直径和密度，可实现对其表面润湿性、光催化性能以及光电性能的可控。
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公开(公告)号：CN100572317C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200610154725.1
申请日：2006-11-21
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种介电常数可调的锌掺杂PST薄膜的制备方法。制备方法：以碳酸锶、醋酸铅、醋酸锌和钛酸丁酯为原料，冰醋酸和乙二醇甲醚为溶剂配制溶胶先驱体。以浸渍提拉法或者旋涂匀胶法在ITO导电玻璃、硅片和普通玻璃基板上涂覆溶胶，采用快速升温、控制冷却的热处理工艺进行烧结。本发明工艺简单，成本低；低的烧结温度(600℃)可以在耐高温性能较差的基板上制备薄膜，与半导体集成工艺兼容。而且可以防止铅的挥发，既节约了原料又防止污染。用sol-gel快速升温、控制冷却的热处理工艺制备得到锌掺杂PST薄膜有高的介电可调性(掺杂PST薄膜的可调性相对未掺杂的PST薄膜提高了1倍多)，相对较低的介电损耗。
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公开(公告)号：CN100422110C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200710068236.9
申请日：2007-04-26
Applicant: 浙江大学
IPC: C04B35/472 , C04B35/46 , C04B35/624
Abstract: 本发明公开的渗流型Ag-PbTiO3复合陶瓷薄膜按体积百分比含有75%～99.5%的PbTiO3和0.5%～25%的Ag。采用将钛酸四丁酯配成Ti溶胶，将硝酸铅溶解到以乳酸、柠檬酸为络合剂，乙二醇甲醚为溶剂的混合溶液中，形成含Pb溶胶，然后将两溶胶混合并将硝酸银溶入制备得到溶胶前驱体；利用浸渍提拉法首先在基板上涂覆，再经过还原气氛热处理得到Ag-PbTiO3复合薄膜。本发明制备工艺简单，便于工业化生产。该复合薄膜的基体电介质相为钙钛矿相钛酸铅，薄膜的金属导电相为银，成功控制了薄膜中金属颗粒的尺寸，在薄膜中形成了纳米量级、分布均匀的金属银颗粒；薄膜具有明显的渗流效应，介电常数可以达到纯钛酸铅薄膜的3～5倍。
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公开(公告)号：CN101252042A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810059995.3
申请日：2008-03-07
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开的纳米线底电极与电介质复合薄膜电容器，在基板上自下而上依次沉积有硅化钛导电薄膜层，硅化钛纳米线底电极层和电介质薄膜层。该电容器采用溶胶－凝胶法制备，对设备要求低，操作方便，易于实现。本发明利用硅化钛纳米线底电极的高比表面积，大大增加电介质和电极接触面积，提高了这种薄膜复合结构的电容量，其电容量为相同尺度普通电极薄膜电容量的3倍以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101070617A
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200710067534.6
申请日：2007-03-07
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种取向生长的介电常数可调钛酸锶铅薄膜的制备方法，首先在涂覆在玻璃基板上的ITO底电极上拉制铽掺杂PT取向诱导层；再在铽掺杂PT取向诱导层上沉积PST薄膜；铽掺杂PT取向诱导层具有(100)择优取向，PST薄膜同样具有(100)择优取向。本发明通过在无规取向基板上制备PT取向诱导层，诱导制备出高度择优取向的PST薄膜，避免常规取向薄膜制备对于昂贵的单晶基板的依赖性；同时本发明得到的PST薄膜能保持相对较高的可调性，为制备高性能的取向PST薄膜提供了新方法；PT取向诱导层既能诱导PST薄膜的取向，又能促进PST的晶化；整套工艺简单，制备温度低，周期短，节约了能源和成本，具有良好的市场前景。
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公开(公告)号：CN100345600C
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200510061526.1
申请日：2005-11-11
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了生物医用缓释金属离子的磷酸钙复合粉末及其制备方法，采用湿化学方法、经热处理获得组成和比例均可调节，且每一颗粉末颗粒均由纳米结构化的含金属离子的羟基磷灰石、含金属离子的α相磷酸三钙和含金属离子的β相磷酸三钙中的任意一相或两相构成的复合粉末。本发明制备的含金属离子的磷酸钙复合粉末中的两相组成和金属离子的释放速率是可控的，粉末的颗粒分布均匀，颗粒尺寸更小，可以广泛地用于骨填充材料、骨水泥等生物医学用材料领域。
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公开(公告)号：CN101036879A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710068220.8
申请日：2007-04-24
Applicant: 浙江大学
IPC: B01J21/06 , B01J37/02 , C08J5/18 , C03C17/245 , B05D5/00
Abstract: 本发明公开的稀土掺杂的二氧化钛薄膜，薄膜中钛元素和稀土元素的摩尔百分含量为：钛元素85％－99％，稀土元素1％－15％。该薄膜的制备采用常压热分解化学气相沉积法，将前躯体组合物沉积到玻璃基板上。本发明的稀土掺杂的二氧化钛薄膜具有优良光催化活性，亲水性和光学性能。可以广泛的应用于玻璃外墙，室内装饰等领域。极大的扩大了二氧化钛薄膜的应用领域，有望产生巨大的经济，环境和社会效益。
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公开(公告)号：CN1927764A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200610053707.4
申请日：2006-10-08
Applicant: 浙江大学
IPC: C04B35/465 , C04B35/622 , H01L41/187
Abstract: 本发明公开的渗流型银/钛酸锶钡/铅硼玻璃复合材料是以Ba0.8Sr0.2TiO3/PbO－B2O3为基体，在基体中掺入Ag的复合材料，其中Ba0.8Sr0.2TiO3/PbO－B2O3的体积百分含量为99％～70％，Ag的体积百分含量为1％～30％。制备步骤如下：1)以Ba0.8Sr0.2TiO3/PbO－B2O3的化学计量比，称取钛酸锶钡粉末和铅硼玻璃粉末，并充分混合得到基体粉末；2)按比例称取基体粉末和银粉末，充分混合后研磨，压制成型；3)将压制成型的材料在800～900℃烧结，即可。本发明的复合材料具有超高介电常数和较小的介电损耗。且这种复合材料介电常数具有较好的频率稳定性和温度稳定性，因而具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN1919783A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610053473.3
申请日：2006-09-20
Applicant: 浙江大学
IPC: C04B35/00 , C04B35/26 , C04B35/472 , C04B35/624
Abstract: 本发明公开了一种铁电/铁磁复合陶瓷的制备方法，采用的是sol－gel原位法，其铁电相为PbTiO3相，铁磁相为NiFe2O4相。制备方法：以醋酸铅，钛酸丁酯，醋酸镍和硝酸铁为溶质，乙酸和乙二醇甲醚为溶剂配制溶胶先驱体。烘干后在不同温度下预热处理，得到陶瓷先驱体，将其压成片状，在不同温度下烧结得到PbTiO3/NiFe2O4复相陶瓷。本发明工艺简单，成本低；用sol－gel法原位制备方法可使铁电、铁磁两相在微观尺度上均匀分布，大大增加接触面积，使磁电系数更高；可以有效避免铁磁相颗粒相互接触而导通，从而产生渗流效应且渗流阈值很高，得到高介电常数、高磁导率的复相材料。
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