-
公开(公告)号：CN103234943A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310122070.X
申请日：2013-04-09
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01N21/63
Abstract: 本发明涉及一种使用激光诱导击穿光谱技术快速检测金属热扩散的方法。本发明首先使激光聚焦在待测样品表面，样品表面被激光烧灼产生等离子体，并辐射携带元素成分信息的光子；然后利用光谱仪实时采集特征光子；同时选定金属与硅的特征谱线，实时检测其强度以计算出金属的含量；最后随着激光不停的烧灼，能得到不同深度的金属含量信息，最终记录下金属的深度分布数据；本发明利用激光诱导击穿光谱技术分析了铝在硅晶片中的热扩散，能分辨出不同温度下铝在硅中的深度分布的差异，得到了具有较高的精确度的结果。与其他检测技术相比，该技术能快速、几乎无损地检测金属的热扩散。
-
公开(公告)号：CN102680435A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210170003.0
申请日：2012-05-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01N21/63
Abstract: 本发明公开了一种激光诱导击穿光谱无标样定量分析元素组成的方法。本发明方法利用控制脉冲激光器的能量使得每次测量时等离子体的温度相同，由此保证每次测量时各元素的基态和激发态强度的比值保持不变，通过对比不同元素基态峰强度来确定混合物中的各元素原子个数比，实现定量分析。本发明通过控制等离子体的温度，相当于确定了元素基态峰和激发态峰的比例。由此可保持每次测量结果的可比性，得到精确的可以重复的元素成分分析结果。
-
公开(公告)号：CN102623636A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210096994.2
申请日：2012-04-05
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化铋薄膜的电阻式随机读取存储器及制备方法。现有的电阻式存储器的读写寿命以及稳定性较差。本发明存储器由重掺硅衬底、氧化铋薄膜、金属薄膜电极构成，氧化铋薄膜位于重掺硅衬底、金属薄膜电极之间，重掺硅衬底作为电阻式随机读取存储器的下电极，金属薄膜电极作为电阻式随机读取存储器的上电极。本发明方法是采用半导体标准清洗工艺清洗重掺硅衬底；然后采用磁控溅射法在重掺硅衬底上沉积氧化铋薄膜；最后在氧化铋薄膜上采用电子束蒸发法制备金属薄膜电极。本发明可简化存储器的制作工艺，并能很好地与硅集成电路工艺相兼容。
-
公开(公告)号：CN102181292A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110102004.7
申请日：2011-04-22
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种利用电子束轰击还原掺Eu铝酸锶夜光材料的方法。现有的还原方法能耗大，且用到或产生有毒有害气体。本发明方法首先将待还原掺Eu铝酸锶材料进行烧结，将烧结后的掺Eu铝酸锶材料放入真空室内，将真空室抽真空，使得真空室的压强小于等于10-1Pa，开启电子枪，电子枪发出的电子束打在待还原掺Eu铝酸锶材料上，利用光纤光谱仪通过观测窗检测待还原掺Eu铝酸锶，当检测到待还原掺Eu铝酸锶发出峰值波长为526nm的绿光时，关闭电子枪，取出掺Eu铝酸锶，即为还原后的掺Eu铝酸锶夜光材料。本发明方法不但可大大降低能源消耗和节省时间，且不需要任何气体或辅助材料，符合材料加工与处理的节能、低碳排放要求。
-
公开(公告)号：CN101975766A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010281712.7
申请日：2010-09-14
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01N21/63
Abstract: 本发明公开了一种利用差谱法收集激光诱导反射光谱的方法，本发明通过比较激光器开启前后接收到的反射光谱的信号的变化，得出两者的之间的差谱信号，由此获得激光诱导紫外-可见反射光谱。本发明的方法省略了锁相放大器和斩波器，使得设备体积缩小，成本降低；使用了基于线性CCD的微型光谱仪，动态范围极大，而且可以同时测量所有波长的强度，测试速度大大提高；收集到的差谱呈现的是强度谱的形式，而利用光调制和锁相放大器技术获得的反射光谱的微分形式，因此数据处理和机理分析更加方便、直观。
-
Patent Agency Ranking
-
公开(公告)号：CN118706914A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410735678.8
申请日：2024-06-07
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01N27/30
Abstract: 本发明公开了一种气敏传感器的制备方法，本发明在陶瓷基底上，首先沉积出叉指电极；然后在陶瓷基底和叉指电极表面涂敷碘化亚铜的异丙醇胺溶液；随后，在一定的温度条件下氩气中放置一段时间，获得分散于碘化亚铜‑异丙醇胺杂化物中的碘化亚铜纳米花复合薄膜材料，获得气敏传感器。本发明分散于碘化亚铜‑异丙醇胺杂化物中的碘化亚铜纳米花作为气敏层，对氨气具有非常高的选择性，响应度高达近106；本发明制备的分散于碘化亚铜‑异丙醇胺杂化物中的碘化亚铜呈现纳米花形貌，碘化亚铜呈现纳米花图案自组装，既具有纳米颗粒的高分散性，颗粒间又具有好的衔接性，颗粒间电学接触性好。
-
公开(公告)号：CN114420925A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210057770.4
申请日：2022-01-19
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01M4/58 , H01M4/48 , B01J23/06 , B01J23/72 , C01B25/08 , C01G9/03 , C23C14/35 , C23C14/08 , C23C14/58 , C23C26/00
Abstract: 本发明公开了一种n型磷化亚铜的制备方法，包括如下步骤：S1、制备表面生长有磷化亚铜的铜箔；S2、将表面生长有磷化亚铜的铜箔作为基底，在其表面沉积氧化锌薄膜；S3、将步骤S2制备的产物在惰性气体中加热，热处理温度为650‑750℃，保温时长60‑300min。采用上述技术方案，在铜箔表面生长磷化亚铜连续薄膜，使用磁控溅射在磷化亚铜表面沉积氧化锌薄膜，高温下氧化锌与磷化亚铜相互作用，锌、氧元素扩散进入磷化亚铜晶格，形成n型掺杂磷化亚铜，该制备方法简单，重复性好，成本低，并且电阻率低、温差电动势高和光电响应快。
-
公开(公告)号：CN114284385A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111617517.1
申请日：2021-12-27
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0224 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种硫化亚铜‑硫化银pn结光电探测器的制备方法，本发明首先合成磷化亚铜，然后在磷化亚铜一侧涂抹银胶，然后进行硫化，随后在器件两侧涂抹银胶作为电极。本发明在管式炉中，通过固相和气相反应，制备了硫化亚铜‑硫化银pn结光电探测器。本发明在紫外光的照射下，器件在电压增强情况下，电流呈指数式下降趋势，电流达到μA级别；而在无光照情况下，器件并未出现上述情况，电流仅为nA级别。
-
公开(公告)号：CN113257930A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110468259.9
申请日：2021-04-28
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/0236 , B82Y20/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种背面增强散热的硅太阳能电池片。现有太阳能电池片散热装置结构复杂，散热效果不理想。本发明在硅太阳能电池片本体的背面采用光刻工艺刻有对8～12微米中红外波段增透的光子晶体。光子晶体为矩阵形式排列的微米级硅凸起，在一个平面上相互垂直的两个方向上，相邻的两个硅凸起的中心点之间的距离分别为3～6微米和6～10微米。太阳能电池片本体背面以及硅凸起的表面覆有钝化层，钝化层外覆有厚度1～10微米、对应8～12微米中红外波段的红外辐射散热涂料。本发明既能提高背面中红外辐射散热，又能够把通过热传导传输到电池片背面的热量通过红外辐射涂料散发，可以进一步降低电池片的工作温度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
85
records
(took 0.021 seconds)
