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公开(公告)号:CN117020213A
公开(公告)日:2023-11-10
申请号:CN202311107068.5
申请日:2023-08-30
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于增材制造金属粉末原料制备技术领域,公开了一种金属粉末生产方法及生产设备,该方法包括:响应于工作人员通过核心控制系统输入的启动指令,工控机驱动液压机构打开熔炼室,以向熔炼室内投入金属原材料,并在金属原材料投入完成后启动水冷系统,以对金属粉末生产设备各部件进行降温,对熔炼室、雾化室及粉末收集机构进行抽真空处理后输入惰性气体,通过熔炼室、雾化室、离心雾化机构和粉末收集机构,开始倒炉作业和雾化作业,运用粉末收集机构,储存经过雾化作业后生成的金属粉末,通过金属粉末生产设备及对应的生产方法,以生产金属粉末,提高了金属粉末生产设备的自动化生产水平。
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公开(公告)号:CN116689771B
公开(公告)日:2023-10-20
申请号:CN202310992421.6
申请日:2023-08-08
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种真空金属雾化制粉炉、二次加料控制方法及相关设备,涉及金属制粉技术领域。该真空金属雾化制粉炉包括炉体、坩埚和二次加料装置,二次加料装置包括加料部、多个储料部、加料斗;加料部设置有一个第一出料口;所有储料部均设置有一个第二出料口,多个储料部安装在加料部内且绕一轴线呈圆周间隔分布,多个储料部能够绕轴线旋转以使任意一个储料部的第二出料口与第一出料口对齐进而往加料斗中投入原料并通过加料斗将原料投入到坩埚中。本发明的真空金属雾化制粉炉能够在不破坏保护气体氛围的情况下,进行二次加料,补充合金在熔炼过程所挥发的部分,确保制备出的合金成分含量符合要求。
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公开(公告)号:CN115194168B
公开(公告)日:2023-06-06
申请号:CN202210863820.8
申请日:2022-07-22
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及粉末冶金技术领域,具体而言,涉及一种铝合金熔液流量控制方法及雾化装置,该控制方法通过获取导流管的第一总流量和目标总流量;若所述第一总流量和所述目标总流量的偏差过大,则根据所述第一总流量计算所述导流管的第一等效损失系数;根据所述第一等效损失系数在等效损失系数模数库进行数据匹配,以获取有效第二等效损失系数;根据所述有效第二等效损失系数计算可使所述导流管的总流量等于所述目标总流量的所述中间包的目标气压;根据所述目标气压调节所述中间包的气压;从而保证雾化效率的稳定,此外,通过设置至少两个支路段的并联支路结构降低导流管完全堵塞的风险,保证生产效率的稳定。
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公开(公告)号:CN116140647A
公开(公告)日:2023-05-23
申请号:CN202211083565.1
申请日:2022-09-06
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开一种微动台支撑装置、雾化装置以及3D打印粉末制备装置,雾化装置包括雾化罐、密封圈以及支撑结构,密封圈套设于雾化罐的外周侧,微动台支撑装置固定安装于支撑结构上,并连接于雾化罐,其中,微动台支撑装置包括支撑组件和顶升套,支撑组件包括支承座和支承螺柱,支承螺柱与支承座连接,支承座固定安装于支撑结构,支撑螺柱上设有刻度尺;顶升套套设于支承螺柱,并可相对支承螺柱升降运动,顶升套背离支承座的一端固定抵接于雾化罐。本发明通过用支撑组件连接雾化罐和支撑结构,顶升套可相对支承螺柱升降运动,以调整雾化装置的水平高度和均衡受力状态,从而实现了可以快速调节雾化装置高度的目的。
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公开(公告)号:CN115253331A
公开(公告)日:2022-11-01
申请号:CN202210882869.8
申请日:2022-07-25
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开一种组合式防堵塞导流装置和粉末雾化设备,粉末雾化设备包括中间包,组合式防堵塞导流装置包括导流嘴和保温结构,导流嘴包括导流管、防堵塞件以及溢流件,导流管连接于中间包形成输送流道;防堵塞件可拆卸连接于导流管,溢流件可拆卸连接于防堵塞件,防堵塞件设有至少两个过流流道,溢流件设有溢流流道,输送流道、过流流道以及溢流流道连通;保温结构套设于导流嘴的外周。本发明涉及金属粉末制备技术领域,其中导流管、防堵塞件以及溢流件间均为可拆卸连接,根据需求组合连接成导流嘴,再将保温结构套设于导流嘴的外周,从而满足金属熔体长距离导流的需求,也解决了金属熔体因降温而堵塞导流嘴,导流嘴被废弃的问题,节约生产成本。
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公开(公告)号:CN115194170A
公开(公告)日:2022-10-18
申请号:CN202210860169.9
申请日:2022-07-21
Applicant: 季华实验室
IPC: B22F9/14
Abstract: 本申请公开了一种等离子体雾化沉积方法及设备,所述等离子体雾化沉积设备包括雾化沉积舱、沉积器和至少一个等离子体源,其中,所述等离子体源的喷嘴设置于所述雾化沉积舱内,所述等离子体源用于向金属源喷射等离子体,以使得金属源在等离子体的作用下,雾化形成金属熔滴;所述沉积器设置于所述雾化沉积舱内,位于所述等离子体源的下方,用于接收雾化形成的所述金属熔滴,形成沉积坯锭。本申请解决了现有技术喷射沉积制备的坯锭的孔隙率较高的技术问题。
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