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公开(公告)号：CN112480911A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011413106.6
申请日：2020-12-03
Applicant: 吉林大学
IPC: C09K11/61
Abstract: 本发明的一种高荧光效率无机非铅钙钛矿材料及制备方法属于钙钛矿晶体材料制备技术领域。所述的高荧光效率无机非铅钙钛矿材料，是Cu掺杂的Cs2AgI3钙钛矿，Cu的掺杂量为0.09％，制备方法为：先将碘化铯、碘化银混合后球磨，再加入碘化亚铜、氢碘酸、微升次磷酸密封加热150～200℃，最后降温至室温退火后，‑10℃～‑35℃冷却处理1h～3h后，得到高纯度、荧光效率增强的Cs2AgI3：Cu晶体，在302nm的紫外灯激发下发出亮蓝色的荧光，具有无铅无铬、高量子效率和环境稳定性等优点。
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公开(公告)号：CN108753284B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201810381888.6
申请日：2018-04-26
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种高荧光红光发射的Mn:CsPbCl3纳米簇的制备方法，属于半导体纳米材料制备的技术领域，首先，称取氯化铅、油酸、油胺、十八烯置于三颈瓶中，120℃抽真空，在氮气保护下，加入三辛基膦，于150℃溶解形成混合溶液；然后，将混合溶液降至室温，注入油酸铯溶液，室温反应得到CsPbCl3纳米簇；最后，将CsPbCl3纳米簇提纯并转移至研钵中，加入锰盐研磨，得到Mn:CsPbCl3纳米簇。本发明制备的Mn:CsPbCl3首次实现了将Mn元素掺杂在CsPbCl3纳米簇中，且有较高的红光发射效率。整个反应操作简单，原料易得，可以大量合成，产品应用前景广泛。
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公开(公告)号：CN110862103A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201911223765.0
申请日：2019-12-03
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种高效合成Cs2AgBr3非铅全无机钙钛矿的方法属于半导体纳米材料制备技术领域。首先将溴化铯、溴化银按照摩尔比2:1混合后加入三正辛基磷进行研磨，混合物由蓬松的淡黄色粉末逐渐变硬并且附着在容器壁上，随着研磨的进行，由淡黄色逐渐变为白色粉末，研磨过程用302nm紫外灯进行监测，产物亮度不再增加时停止；得到的产物80～300℃下在真空烘箱中热处理3小时，再在-10℃～-50℃冷冻处理1h～3h后得到荧光产率提高的Cs2AgBr3非铅全无机钙钛矿。本发明的方法具有耗时短、操作简单、适合大规模生产的优点。
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公开(公告)号：CN110015685A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201910459654.3
申请日：2019-05-30
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种低温合成尺寸均一CsPbBr3钙钛矿纳米棒的方法属于半导体纳米材料制备技术领域，首先在氯仿溶液中依次加入用甲苯溶解的溴化铵溶液、溴化铅溶液和碳酸铯溶液，并在室温下反应，得到Cs4PbBr6钙钛矿纳米棒；将制得的Cs4PbBr6钙钛矿纳米棒提纯后分散于甲苯中，将得到的分散液注入到十八烯中；再注入溴化铅溶液，进行反应得到CsPbBr3钙钛矿纳米棒。本发明不用抽真空，不用通N2保护，方法简单，仅在室温条件下就能够合成尺寸均一且稳定的CsPbBr3钙钛矿纳米棒。
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公开(公告)号：CN109880618A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910191509.1
申请日：2019-03-14
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种高荧光效率Mn掺杂Cs2AgInCl6的合成方法属于半导体纳米材料制备技术领域，首先将氯化铯、氯化银、氯化铟混合后进行研磨，混合物由蓬松的白色粉末逐渐变硬附着在容器壁上，再变软，继续研磨直到混合物再次变成蓬松的白色粉末，然后加入氯化锰继续研磨直到粉色的超干氯化锰均匀分散到反应体系中，粉色消失，停止研磨；将得到的产物用乙醇清洗后，在60～350℃真空条件下烘干2小时，得到高荧光效率Mn2+：Cs2AgInCl6。本发明具有操作简单，方法简单，荧光量子产率高，易于实现工业化生产等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106967422A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201710328500.1
申请日：2017-05-11
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种具有荧光性质的Cd‑Cu‑Fe‑S四元纳米晶的制备方法属于半导体纳米材料制备技术领域。将醋酸镉、醋酸铜和氯化亚铁溶于油酸和十八烯的混合溶液中，于100℃抽真空充氮气保护，然后升温至120℃，加入十二烷基硫醇，在120～230℃将硫的油胺溶液注入反应体系，得到Cd‑Cu‑Fe‑S四元纳米晶。本发明成本低廉，反应条件温和易达到，组分可调，合成的量子点具有很好的均一性和稳定性，且发射范围极广泛。
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公开(公告)号：CN103936056B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201410191167.0
申请日：2014-05-07
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种磷化镉量子点的制备方法属于半导体纳米材料制备的技术领域。本发明利用磷化物与无机酸反应制取PH3气体，并同时将制备的PH3气体通入到N2保护的羧酸镉的十八稀溶液中进行反应，生成Cd3P2纳米簇化合物，再以制得的Cd3P2簇为反应前体，以有机胺为配体，以十八烯为溶济，在不同温度下以热注入的方法反应5～10分钟即可得到不同尺寸的Cd3P2量子点。本发明制备的量子点有着较好的近红外发光性质，有良好的单分散性，尺寸可调，光谱可调范围宽，整个反应操作简单，所有反应物成本相对便宜且利于保存，并且可以大量合成。
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公开(公告)号：CN103952136B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201410177779.4
申请日：2014-04-29
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: Y02B20/181
Abstract: 本发明的Cu掺杂Type-II型核壳结构白光量子点材料及制备方法属于半导体纳米材料制备技术领域。量子点结构中核为Cu掺杂的CdS量子点，在核的基础上包覆ZnSe量子壁以形成II型核壳结构，再包覆宽带隙ZnS钝化保护层，最终量子点为Cu：CdS/ZnSe/ZnS结构。本发明的量子点材料具有连续宽谱白光，具有较大的斯托克斯位移，自吸收较小，具有较高的荧光量子效率和较高的显色指数，光色在空间分布均匀，通过调节内核CdS的尺寸，外壁ZnSe的厚度以及Cu掺杂浓度可调节不同的色度坐标和色温，本发明制备的量子点材料在一定温度范围内无光色畸变现象，同时经长时间蓝光激发后，量子点仍然具有较好的光稳定性。
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公开(公告)号：CN103936058B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201410191162.8
申请日：2014-05-07
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种硫化镉量子点的制备方法属于半导体纳米材料制备的技术领域，具体涉及一种全新方法制备尺寸可调，单分散性良好的半导体量子点。本发明用羧酸镉作为镉源，用(TMS)2S作为硫源，合成一定尺寸的CdS半导体纳米簇，以此作为合成CdS量子点的反应前体，将配体与非配位型溶剂混合加热，注入制得的CdS纳米簇，得到CdS量子点。本发明的量子点合成方法具有创新性，并且操作简便，反应快速，可进行大量合成，制得的量子点尺寸可调控，具有优良的单分散性和稳定性。
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公开(公告)号：CN104017574B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201410280647.4
申请日：2014-06-21
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于半导体纳米材料制备和医用材料技术领域，涉及一种用于磁共振成像的荧光量子点及其制备方法。量子点具体结构为Gd@ZnAgInS3，制备方法为，首先将醋酸银、醋酸锌、醋酸铟和氯化钆和油酸与十二烷基硫醇溶于十八烯中，升温至160～210℃，然后注入硫的油胺溶液，保持20分钟。本发明制备的量子点具有双功能，既可用作核磁共振成像造影剂，又有在可见到近红外波段可调的荧光性质，同时还具有低毒，高稳定性等特点，制备方法操作简单，绿色环保。
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