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公开(公告)号：CN2802729Y
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200420029969.3
申请日：2004-10-19
Applicant: 南开大学
Abstract: 本实用新型涉及一种存储电容器，特别是用于集成电路中LCOS芯片像素单元的存储电容器，属于信息科学技术学科的微电子应用技术领域。它是NMOS型结构，包括二氧化硅绝缘层、P型硅衬底层、A点、B点、单层多晶硅，第1层多晶硅、栅氧化层，n型反型层、n+接触区等，省去了1层多晶硅；对每个单元像素中需要配置高密度存贮电容，利用栅氧化层具备较高单位电容值的优势，采用并接NMOS源漏电极到地，从而形成高密度存贮电容，如此可以采用标准单层多晶硅CMOS器件工艺实现LCOS芯片生产，这样不但可减少至少两块光刻掩膜版，而且也能减少多个步骤的制作过程，对增加产量及减少成本，具有明显的经济效益。
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公开(公告)号：CN201364724Y
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200920095831.6
申请日：2009-03-11
Applicant: 南开大学
IPC: G09G3/36
Abstract: 一种时分复用输出的可编程电压源，可用于LCD、LCoS等液晶显示器的伽马校正。目前液晶显示器的伽马校正电路都是采用分立器件或单片集成的电路来设计，虽然能产生多路参考电压，但电路设计复杂，占用系统面积大、功耗大，不利于调试和节能。本实用新型的可编程电压源包括编程接口控制器、2M通道数据寄存器、2M－1通道多路选择器、2M－1通道数模转换器、2M－1通道缓冲器等5大部分，将它们集成在一起，输出2M－1路参考电压；根据外部输入VCOM信号的变化实现可编程电压源输出的时分复用功能。可优化液晶显示系统的伽马校正电路，降低显示系统的成本、功耗和面积，实现时分复用输出的可编程电压源芯片。
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公开(公告)号：CN2720642Y
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN200420028635.4
申请日：2004-03-29
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本实用新型涉及一种非晶硅太阳电池检测修复仪器，具有高的治愈率，对不符合质量要求的非晶硅太阳电池，通过治疗进行修复，最大限度提高电池性能和成品合格率。这种非晶硅太阳电池诊疗仪，它包括常规电路：波形发生器、直流信号发生器、波形选择电路、定时电路、单次触发器等；其特点在于：波形发生器产生出直流信号、方波信号、脉动波信号、锯齿波信号四路四种波形的电压信号，在治疗时四种波形只有一种被选中；具有8个时间定时供选择；本实用新型具有：极性可以改变、不同类型的电治疗信号和治疗时间可以选择组合、变化速率和幅度可以调节等特点。此项技术及设备不仅可用于弱光及功率型非晶硅电池的治疗，也可推广用于其它薄膜电池。
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公开(公告)号：CN211086535U
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201922017353.3
申请日：2019-11-21
Applicant: 南开大学
IPC: G01R31/367
Abstract: 一种锂离子动力电池荷电态预测电路。该锂离子动力电池荷电态预测电路，可用于电动车辆、电动工具、二次充电与储能系统和其他大型动力电源系统等，能够有效提高动力锂离子荷电态预测精度。所述的锂离子动力电池荷电态预测电路由数据预处理与存储电路、电池组荷电态预测模型电路、遗传算法求解电路、卡尔曼滤波解算电路和电池组荷电态存储电路组成。本实用新型提供的锂离子动力电池荷电态预测电路，采用遗传算法对卡尔曼滤波模型电路的系数矩阵进行优化，提高电池荷电态的预测精度。把遗传算法和卡尔曼滤波算法解算电路设计成专用集成电路芯片，提高电池荷电态预测精度和运算速度。
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公开(公告)号：CN210402325U
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201922016898.2
申请日：2019-11-21
Applicant: 南开大学
IPC: G06F12/02
Abstract: 一种基于块序列表的NAND闪存垃圾回收电路。该基于块序列表的NAND闪存垃圾回收电路，可用于大容量固态硬盘控制器，在各种信息计算和处理领域具有广泛的应用，能够有效改善固态硬盘读写时的内存消耗，提高块擦除效率。所述的基于块序列表的NAND闪存垃圾回收电路由控制电路、块序列表、存储器状态监测电路、垃圾回收管理电路、数据更新电路和块序列表更新电路组成。本实用新型提供的基于块序列表的NAND闪存垃圾回收电路，利用块序列表来记录数据块的擦除次数、块相对更新时间和数据块中无效页的比例，对存储空间的垃圾回收进行管理，具有内存开销小、垃圾回收效率高和均衡磨损性能好等特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN204950959U
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201520561024.4
申请日：2015-07-29
Applicant: 南开大学
IPC: A61B5/11
Abstract: 一种可穿戴人体运动姿态轨迹记录与测评装置。该装置包括传感器电路、数据预处理电路、比较器电路、存储器电路、评测与控制电路和输出与显示电路。可以对运动者运动姿态进行记录和测评。本实用新型提出的装置可以检测运动员和普通业余运动爱好者的动作姿态数据，并将检测到的数据与标准运动姿态数据进行比较，给出运动者的加速度、角速度及运动轨迹偏差，向用户反馈运动的规范程度，可供佩戴该装置的运动者自行纠正动作偏差。
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公开(公告)号：CN204759988U
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201520448338.3
申请日：2015-06-26
Applicant: 南开大学
IPC: G09G3/20
Abstract: 一种硅基微显示器片上灰度级扩展电路。可用于硅基液晶微显示器(LCoS)、硅基OLED微显示器(OLEDoS)和其他硅基微显示器件等领域，构成硅基微显示器的片上数据驱动电路。由扫描时序控制电路、移位寄存器电路、可扩展数据寄存器电路、数模转换器和模拟信号输出缓冲电路组成。本实用新型提供的硅基微显示器片上灰度级扩展电路，可以将N位数据输入线的硅基微显示器的灰度级扩展位2N位，改善低位宽硅基微显示器图像的亮度和颜色的层次感，有效地提高显示灰度。
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公开(公告)号：CN204577577U
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201520207600.5
申请日：2015-04-08
Applicant: 南开大学
Abstract: 本实用新型公开了一种可编程控制的可重构天线，属于天线领域，该天线主要包括：伺服电路、可编程电压源、天线单元和天线阵；每个横向PIN二极管组成一个天线单元；天线阵由一个N行M列的横向PIN二极管阵列组成；伺服电路对可编程电压源进行编程控制，使可编程电压源输出符合编程要求的MN+M路电压；可编程电压源输出的MN+M路电压与天线阵中相应的横向PIN二极管的MN+M个电极相连，控制MN个横向PIN二极管的导通与截止，可实现可编程控制的频率可重构天线、可编程控制的直线阵天线和可编程控制的平面阵天线。本实用新型实现了可编程控制的频率可重构天线、可编程控制的直线阵天线和可编程控制的平面阵列天线。
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公开(公告)号：CN204516891U
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201520210710.7
申请日：2015-04-08
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种基于横向PIN二极管的可编程控制的可重构天线。该天线主要包括：伺服电路、可编程电压源和天线阵；天线阵是由2N行2M列的横向PIN二极管构成的天线阵列；伺服电路通过编程对可编程电压源进行控制，使可编程电压源输出符合编程要求的多路电压；可编程电压源输出的2MN+M+N路电压与天线阵中相应的横向PIN二极管相连，控制横向PIN二极管的导通与截止，可实现可编程控制的频率可重构天线和可编程控制的直线阵列天线或平面阵列天线。
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公开(公告)号：CN203312289U
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201320398823.5
申请日：2013-07-05
Applicant: 南开大学
IPC: H01L23/552 , H01L23/66 , H01Q1/22
Abstract: 一种用于60吉赫兹片上天线的井字形人工磁导体。可用于毫米波集成电路、波导传输和片上天线等。利用CMOS集成电路工艺制作，由硅衬底、氧化硅缓冲层、金属层、氧化硅绝缘层和上面的功能电路层组成，金属层制成分布式井字形结构。应用于毫米波集成电路设计，特别是一种集成片上天线，实现将天线与硅衬底有效隔离，阻挡天线入射电磁波进入硅衬底。本实用新型提出的用于60吉赫兹片上天线的井字形人工磁导体作为毫米波片上辐射天线与硅衬底之间的隔离层，结构简单，兼容CMOS工艺，应用于60吉赫兹集成片上天线，能够降低硅衬底对天线入射电磁波信号的损耗。
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