公开(公告)号：CN103288438B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201310200524.0

申请日：2013-05-27

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 傅邱云 ,  胡云香 ,  周东祥 ,  刘欢 ,  郑志平 ,  赵俊 ,  罗为 ,  刘婷

IPC: H01B3/12 ,  C04B35/453 ,  C04B35/63

Abstract: 本发明公开了一种用作基板材料的低温共烧陶瓷。该陶瓷基板材料的原料配方组成为ZnO、H3BO3、CaCO3和TiO2，烧结后陶瓷基板材料的主晶相为3ZnO·B2O3，次晶相为CaB2O4和Zn2TiO4。该陶瓷基板材料的制备方法为：先由H3BO3与ZnO预烧合成3ZnO·B2O3粉体，再由CaCO3与TiO2预烧合成CaTiO3粉体。然后将合成好的3ZnO·B2O3粉体和CaTiO3粉体混合，其中CaTiO3质量占总质量的百分比为3％～12％，即得到低温共烧陶瓷基板材料粉料。该粉料经加入去离子水进行球磨、烘干、造粒和烧结可得到性能优异的陶瓷基板材料。该材料体系的优选烧结温度为840～880℃，优选烧结温度范围内的微波介电性能为：介电常数εr＝7～8.1；Q×f＝11000～22600GHz，且能与Ag共烧，满足低温共烧陶瓷基板材料的性能要求。

公开(公告)号：CN102946236A

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201210405161.X

申请日：2012-10-22

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 傅邱云 ,  周东祥 ,  罗为 ,  龚树萍 ,  胡云香 ,  郑志平 ,  刘欢 ,  赵俊

IPC: H03H9/17 ,  H03H3/02

Abstract: 本发明公开了一种可调薄膜体声波谐振器及其制备方法，该制备方法包括步骤S1：在洁净的Si衬底上制备阻挡层；S2：在阻挡层上制备布拉格反射栅，布拉格反射栅由不同声波阻抗薄膜构成；S3：在布拉格反射栅上依次制备粘附层和底电极；S4：在底电极上制备多层异质结构，并作为体声波谐振器的压电层；多层异质结构由BST薄膜、BZT薄膜或BZN薄膜构成；S5：将多层异质结构进行退火处理后形成晶化薄膜；S6：在晶化薄膜上制备顶电极后获得可调薄膜体声波谐振器。本发明采用多层异质结构作为压电层使得体声波谐振器具有相对较低的介电损耗和漏电流，具有相对适中的介电常数和相对较高的可调性；室温下具有较大的优值。

公开(公告)号：CN102531575A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110415952.6

申请日：2011-12-14

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 周东祥 ,  龚树萍 ,  傅邱云 ,  郑志平 ,  赵俊 ,  胡云香 ,  刘欢 ,  程绪信

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了提供一种Sm2O3掺杂BaTiO3基片式PTCR陶瓷材料及其制备方法。该陶瓷材料的结构式为：(Bay-xSmx)TiO3+mSiO2+nMn(NO3)2+pBN，式中x=0.2~0.8mol%，y=1.014~1.029，m=0.05~0.6mol%，n=0.005~0.02mol%，p=0~4.4mol%。本发明采用流延成型方法，利用Sm2O3掺杂BaTiO3基PTCR粉体制得的流延浆料制备坯体，叠层压片和切片；在还原气氛中烧结，在空气中再氧化，再在表面上涂电极。本发明克服了高Ba/Ti比的半导化陶瓷材料电阻率高的不足，PTCR陶瓷材料具有晶粒尺寸小、室温电阻率低和PTC效应大的特点。

公开(公告)号：CN102517624A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201110423024.4

申请日：2011-12-16

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 周东祥 ,  龚树萍 ,  郑志平 ,  傅邱云 ,  胡云香 ,  赵俊 ,  刘欢 ,  王晶

IPC: C30B11/00 ,  C30B13/28 ,  C30B35/00

Abstract: 本发明公开了一种多段控温晶体生长炉，包括炉体，所述炉体上端设有安瓿悬挂装置，所述炉体外部设有炉体隔热层，所述炉体分为上保温区和下保温区，其特征在于，所述炉体上、下保温区之间还设有生长区，所诉生长区包括在所述炉体轴向安置的多个加热单元，相邻加热单元之间设有隔热层。本发明可根据需要调节多段加热单元的温度，获得所需的温度梯度区间及合适的温度梯度，从而实现大尺寸、高质量单晶的生长。

公开(公告)号：CN102503408A

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN201110308257.X

申请日：2011-10-12

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 周东祥 ,  龚树萍 ,  傅邱云 ,  胡云香 ,  郑志平

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  B32B18/00

Abstract: 本发明公开的一种叠层片式钛酸钡PTC陶瓷的制备方法，①将下述化合物按摩尔组分比混合；BaCO3 99～101，TiO2 100，Y2O3 0.1～0.5，SiO2 0～0.02；②球磨混合3～5小时后，将所得浆料进行烘干、预烧处理，得到钛酸钡粉体；③进行高能超细球磨，获得粒径500nm以下的粉体；④将粉体配成流延浆料，流延出45um～70um的生坯膜片；⑤层压并印刷Ni内电极，制作成叠层片式结构；⑥切割成含有内电极的生坯片；⑦在还原气氛中以1180～1240℃烧结，然后在空气中以650℃～850℃进行再氧化，获得所需的叠层片式陶瓷电阻。本发明所制备的半导体陶瓷的瓷体晶粒大小可以达到2.0μm以下，密度可以控制在65％-98％之间，室温电阻率在20-200Ω.cm之间，叠层器件升阻比达3×102以上，居里温度在80℃～120℃。

公开(公告)号：CN101781119A

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN201010100563.X

申请日：2010-01-22

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 周东祥 ,  龚树萍 ,  傅邱云 ,  胡云香 ,  郑志平 ,  刘剑桥 ,  邓钊洁

IPC: C04B35/624 ,  C04B35/468

Abstract: 本发明公开了一种钛酸钡PTC陶瓷的溶胶凝胶制备方法，步骤为：①将按配方(Ba1-xYx)TiO3，x＝6～20‰称料，配制成浓度为1.3～1.6mol/L的醋酸钡水溶液，配制浓度为1.0～1.3mol/L的钛酸四丁酯溶液；②将Y(NO3)3·6H2O掺入Ba(CH3COO)2水溶液中，再将其滴入Ti(OC4H9)4溶液中得到混合溶液；③将混合溶液在室温下静置得到溶胶，然后溶胶干燥得到凝胶；④将凝胶捣碎、研磨、过筛，预烧合成含钇的BaTiO3粉体；⑤将含钇的BaTiO3粉体、BaCO3和BN按照摩尔组分比为1∶(0.02～0.03)∶(0.04～0.06)称料后，加入去离子水后混合球磨；⑥将含有玻璃相原料的BaTiO3粉体与溶剂、分散剂混合球磨，然后将得到的混合物与粘合剂、增塑剂再球磨得到流延用浆料；⑦浆料流延成型；⑧将生胚切片烧结成瓷片。该方法所制备的PTC陶瓷具有晶粒细小、室温电阻率小和PTC效应大的特点。

公开(公告)号：CN101483417A

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200910060548.4

申请日：2009-01-16

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 周东祥 ,  赵俊 ,  龚树萍 ,  胡云香 ,  郑志平 ,  刘欢 ,  傅邱云

IPC: H03H3/007 ,  C04B35/10 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明为一种多层布线用黑色氧化铝基片的材料的制备方法，即采用固相法，向主晶相Al2O3粉末中加入Co，Mn，Cr，Si，Ti，B，V等元素，对氧化铝进行掺杂改性，降低了氧化铝陶瓷的烧成温度，并在粉体改性的基础上提出了一种黑色氧化铝有机流延成型方法，选择了适合氧化铝的流延成型剂，复合溶剂，复合增塑剂。得到均匀、稳定、高固相含量的浆料，提高了素坯成型质量。使用刮刀法流延，设备简单可行，自然干燥过程方便，干燥过程不会引起坯体的破裂，起皱，和无法脱膜的现象。制得膜体致密，并用机械打孔法来制备叠层基片，得到多层布线用黑色氧化铝基片。

公开(公告)号：CN117680685A

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202311692188.6

申请日：2023-12-08

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 杨凯中 ,  傅邱云

IPC: B22F7/04 ,  B22F9/04 ,  B22F3/10 ,  B32B37/10 ,  B32B37/06 ,  G01N33/00

Abstract: 本发明公开了一种低电阻温度系数铂基合金加热板的制备方法，属于金属材料制备领域，包括：S1、将铂粉、钽粉、钯粉与有机载体混合后的粉体球磨，形成金属浆料；其中，所述铂粉的质量分数大于所述钽粉和所述钯粉的质量分数之和；S2、使所述金属浆料在基板上形成铂基合金膜层；S3、将形成铂基合金膜层的基板共烧后，得到所述铂基合金加热板。基于该制备方法，还提供了一种低电阻温度系数铂基合金加热板以及一种气体传感器。本发明制备的低电阻温度系数铂基合金加热板能够满足工作温度在室温至800℃温度变化范围内的加热应用，在相关条件下，电阻温度系数可低于1000ppm。

公开(公告)号：CN116217224A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202310122722.3

申请日：2023-02-10

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 董文 ,  傅邱云 ,  哈斯内恩 ,  陈龙 ,  闫凤俊

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明属于新型纳米材料技术领域，更具体地，涉及一种纳米BaTi1‑xSnxO3粉体的制备方法。以四氯化钛、氯化钡、氯化锡为原料，以马来酸为沉淀剂，经滴定沉淀反应、液相均匀反应、洗涤过滤、冷冻干燥、热分解等步骤后制备得到纳米四方相钛酸钡或锡掺杂钛酸钡粉体。制备得到的Sn掺杂BaTiO3粉体可以满足不同掺杂浓度的需求，分散性好，纯BaTiO3的c/a大于1.006，粒径在44nm到200nm之间，均匀可控。

公开(公告)号：CN116082027A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202310089526.0

申请日：2023-01-17

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 董文 ,  陈龙 ,  傅邱云 ,  闫凤俊

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明属于多铁材料制备技术领域，更具体地，涉及一种PZT基多铁半导体陶瓷材料、其制备方法和应用。本发明提供的一种PZT基陶瓷材料，通过向PZT基材料中引入一定含量的铁和铌元素，制备得到了一种同时具有铁电铁磁性的单相室温多铁半导体材料，在多态存储器、磁电存储器、磁传感器方面具有应用前景。且实验测试发现Fe元素还大大增加在可见光到近红外的吸收，测得本发明陶瓷材料的铁电光伏性，在自驱动光电探测领域具有应用前景。