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公开(公告)号：CN118136645A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410550918.7
申请日：2024-05-07
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开一种降低UTBB像素单元串扰的装置，涉及半导体器件及集成电路、图像传感器技术领域，该装置包括：由上至下设置的器件层、埋氧层、第一层阱、第二层阱和衬底；第一层阱与第二层阱掺杂类型相反，从而在第一层阱与第二层阱的界面处形成内建电场；第二层阱与衬底掺杂类型相反，从而在第二层阱与衬底的界面处形成内建电场；内建电场用于抑制光生载流子的流动和吸收光生载流子，从而排斥相邻像素单元产生的光生载流子，抑制光生载流子对相邻UTBB器件的阈值电压的影响，进而提高UTBB像素单元的抗串扰特性，抑制相邻像素单元之间的串扰。本发明通过内建电场排斥相邻像素单元产生的光生载流子，从而抑制相邻像素单元之间的串扰。
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公开(公告)号：CN116563616B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310445397.4
申请日：2023-04-23
Applicant: 北京大学
IPC: G06V10/764 , G06V10/46 , G06V10/82 , G06N3/049
Abstract: 本发明公开一种基于神经网络的图像识别方法、计算机设备及介质，涉及半导体器件及集成电路技术领域，方法包括：采用神经网络对目标图像进行识别，得到目标图像的输出类别；神经网络包括输入编码模块、树突模块、胞体模块和突触阵列模块。树突模块包括树突器件，树突模块将所述中心像素点的脉冲信号集合转换成电压信号，通过树突器件对电压信号进行运算。本发明在神经网络中添加树突模块，利用树突模块完成运算过程，使得单层网络就具备强大的信息处理功能，基于此，本发明采用具有树突模块结构的神经网络进行图像识别，降低了系统复杂度、提高了运算效率。
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公开(公告)号：CN116367704A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310341327.4
申请日：2023-03-31
Applicant: 北京大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明公开具有加热电极的三端忆阻器及其制作和操作方法，涉及半导体器件技术领域，三端忆阻器包括衬底、以及由下至上依次设置在衬底上的加热电极，底电极，阻变结构，顶电极；其中，阻变结构至少包括阻变层，加热电极包括：导电层、介电层、产热层；导电层设置在衬底上，并被介电层覆盖；导电层暴露于介电层之外部分，作为与外部进行电连接的导电部；产热层贯穿设置在介电层中，并分别与导电层和底电极相连接；其中，介电层隔离了底电极和导电层，当在导电层与底电极之间施加电压脉冲时，产热层产生热量，以对阻变层进行加热，而加热可促进氧空位的生成或迁移，进而降低忆阻器的工作电压。
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公开(公告)号：CN115692445A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211353169.6
申请日：2022-10-31
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/146 , G06N3/0464
Abstract: 本公开是一种互补光电晶体管像素单元、感算阵列结构及其操作方法。该互补光电晶体管像素单元包括：第一光电场效应晶体管，为基于超薄体和隐埋氧化层的光电场效应晶体管；以及第二光电场效应晶体管，为基于超薄体和隐埋氧化层的光电场效应晶体管，且该第二光电场效应晶体管的类型不同于该第一光电场效应晶体管的类型；其中，该第一光电场效应晶体管和该第二光电场效应晶体管均为四端器件，具有栅极G、源极S、漏极D和阱基极B，该第一光电场效应晶体管的源极S或漏极D与该第二光电场效应晶体管的源极S或漏极D相连接。利用本公开，能够简化阵列结构和操作方法的复杂度，提高运算并行度，满足复用运算矩阵的需求。
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公开(公告)号：CN115332436A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210908773.4
申请日：2022-07-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供多铁隧道结器件、自旋阀器件和自旋极化电流的调控方法，其中多铁隧道结器件，包括依次层叠的第一铁磁层、铁电层以及第二铁磁层；其中，第一铁磁层和第二铁磁层采用相同的铁磁性金属材料；第一铁磁层和铁电层之间的界面、第二铁磁层和铁电层之间的界面具有对称结构，多铁隧道结器件用于通过磁电耦合效应实现自旋极化电流的产生与调控。通过上述方式，本发明基于铁磁层和铁电层之间的界面处所产生的磁电耦合效应，通过外部电场改变铁电层极化方向进而调控自旋电流的极化方向，提高了反转自旋隧穿电流极化状态的速度，也降低了调控自旋隧穿电流极化状态的所需的能量，为自旋电子学应用领域带来新的机遇。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111063702B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN201911108333.5
申请日：2019-11-13
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请公开了一种UTBB光电探测器像素单元、阵列和方法，包括：硅膜层、埋氧层、电荷收集层和衬底，所述硅膜层、埋氧层、电荷收集层和和衬底依次从上至下设置；所述硅膜层包括：NMOS管或PMOS管；所述电荷收集层包括电荷收集控制区和电荷聚集区；所述衬底包括：N型衬底或P型衬底。在电荷聚集区周围形成向心电场，光生电荷在向心电场的作用下聚集在相应的像素单元内。向心电场的存在提高了光电转化效率，抑制了像素间串扰，节省了浅槽隔离的面积，减小了尺寸，使其更适合于亚微米像素。
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公开(公告)号：CN114997385A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210694745.7
申请日：2022-06-17
Applicant: 北京大学
Abstract: 本公开提供了一种应用于神经网络的存内计算架构的操作方法、装置和设备。其中，该操作方法包括：生成基于离散时间编码的单脉冲输入信号；将所述单脉冲输入信号输入至所述存内计算架构的存储器阵列中，生成对应于所述存储器阵列的位线电流信号；以及控制所述存内计算架构的神经元电路根据所述位线电流信号输出基于离散时间编码的单脉冲输出信号，所述单脉冲输出信号作为下一层神经网络的存储器阵列在下一存内计算周期中的单脉冲输入信号。因此，可以通过基于离散时间编码的单脉冲输入信号实现在存内计算架构中的单脉冲输入，从而大大减少输入脉冲数目，极大地降低了存储器阵列和神经元电路的动态功耗。
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公开(公告)号：CN112583589B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202011468351.7
申请日：2020-12-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种用于产生安全密钥的单元结构、阻变存储器及方法，上述单元结构包括：并联结构和电容。并联结构包括并联连接的第一RRAM单元和第二RRAM单元。并联结构的输入端用于接入输入信号。电容与并联结构的输出端串联连接，上述电容接地。其中，第一RRAM单元和第二RRAM单元的设置电压不同。能够利用与电容串联的两并联RRAM单元的设置过程产生随机数，产生的随机数或随机数序列可以用于实现物理不可克隆函数，进而作为安全密钥以用于硬件安全，避免以电阻形式存储随机数导致的存储数据易被攻击的问题。
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公开(公告)号：CN111293220B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202010145159.8
申请日：2020-03-04
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种阻变存储器及其制作方法，其中阻变存储器包括：衬底；依次位于所述衬底之上的：第一电极、阻变介质层、阻挡层兼隧穿层以及第二电极；其中，所述阻挡层兼隧穿层包括多层二维材料，所述二维材料为如下材料的一种：HBN、MoSe2、MoTe2、WS2、WSe2或WTe2。将上述多层二维材料插入第二电极和阻变介质层之间，置位过程中，可有效阻挡和限制氧离子扩散进入第二电极并与其发生氧化反应，减少氧离子的消耗，同时利用二维材料隧穿作用提高低阻态电阻。在复位过程中，不需要第二电极作为储氧层来提供氧离子，在不施加大电压产生大电流的情况下，会有足够多的氧离子参与氧空位的复合，可以实现完全复位。整体提升了器件的循环特性并且降低了编程能耗。
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公开(公告)号：CN113971981A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202111279337.7
申请日：2021-10-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本公开提供了一种存储器单元及存储器阵列的操作方法、装置。其中，所述存储器单元包括忆阻器单元，存储器单元的操作方法包括：读取忆阻器单元的当前电导；根据当前电导和设定目标电导之间的对应关系，基于设定目标电导判断符合电导电压关系的存储器单元的操作电压；以及对存储器单元施加操作电压，完成对忆阻器单元的单脉冲编程操作。因此，通过目标电导确定符合电导电压关系的操作电压，使得向存储器单元施加该操作电压进行编程操作的情况下，对应忆阻器单元可以实现电导的精确调节，且编程后不需要读操作，显著提升忆阻器器件的编程效率，同时兼顾了编程速度和编程精度。
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