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公开(公告)号：CN102963861A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210450745.9
申请日：2012-11-12
Applicant: 北京大学
Inventor： 赵丹淇 , 张大成 , 何军 , 黄贤 , 杨芳 , 田大宇 , 刘鹏 , 王玮 , 李婷 , 罗葵
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开一种实时确定牺牲层腐蚀时间的方法，其步骤包括：采用表面牺牲层工艺在基片上制作牺牲层和MEMS器件的结构层；在所述结构层上淀积金属层；湿法腐蚀所述牺牲层，通过观测所述金属层中金属的脱落情况确定腐蚀完成时间。本发明可以通过肉眼观测的方式，非接触非破坏地确定牺牲层腐蚀时间，能够提高MEMS工艺质量和成品率。
