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公开(公告)号：CN1955840A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200610136330.9
申请日：2006-10-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/00 , G03F7/00 , H01L21/027
Abstract: 一种具有最基本结构的基座(11)，具有包括第一和第二透明石英部分(11a)以及夹在它们之间的不透明石英部分(11b)的三层结构。例如，不透明石英部分(11b)由“泡沫石英”制成。另外，考虑在衬底(10)上所形成的薄膜的组分或厚度以及在闪光照射期间关于照射光能量的各种条件等，将不透明石英部分(11b)对闪光的不透明度确定在基于不透明石英部分(11b)材料或厚度的适当范围内。叠置结构可以包括具有不同透明度的多个不透明石英层的叠置。
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公开(公告)号：CN105917499B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201480073366.X
申请日：2014-11-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明是一种非水电解质二次电池用负极材料，其具有负极活性物质颗粒，所述非水电解质二次电池用负极材料的特征在于：前述负极活性物质颗粒具有由SiOx(0.5≤x≤1.6)所表示的硅化合物，前述硅化合物的表面或内部含有锂化合物，前述负极活性物质颗粒具有由有机高分子所构成的被膜层，所述被膜层覆盖前述硅化合物的表面。由此，可以提供一种非水电解质二次电池用负极材料，所述负极材料能够增加电池容量，并提高循环特性和电池初始效率。
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公开(公告)号：CN105283986B
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201480033827.0
申请日：2014-05-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01M4/48 , C01B33/113 , H01M4/131 , H01M4/36
Abstract: 本发明涉及一种含硅材料，其能够掺杂锂和脱掺杂，当使用三极式电池来实行充放电，所述三极式电池采用将前述含硅材料作为活性物质的工作电极、由金属锂构成的参考电极、由金属锂构成的对电极、及锂离子导电性电解质而构成，在绘出利用以前述参考电极为基准的前述工作电极的电势V对充放电容量Q进行微分而得的微分值dQ/dV与前述电势V之间的关系的曲线图的情况下，在向前述含硅材料脱掺杂锂的方向流通电流的放电时，260mV～320mV之间的前述微分值dQ/dV的极大值A与420mV～520mV之间的前述微分值dQ/dV的极大值B的B/A比为2以下。由此，提供一种能够制造循环性高的二次电池的含硅材料、使用这种含硅材料的负极及非水电解质二次电池、以及其制造方法。
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公开(公告)号：CN107851776A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680045410.5
申请日：2016-08-02
Applicant: 三井化学株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC: H01M4/133 , H01M4/13 , H01M4/134 , H01M4/1393 , H01M4/1395 , H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/48 , H01M4/587 , H01M4/62 , H01M10/052 , H01M10/0566
Abstract: 本发明的课题在于提供首次充放电效率高且能量密度高的锂离子二次电池用负极、及包含其的锂离子二次电池、以及能够高效地预掺杂锂等碱金属或碱土金属的锂离子二次电池用负极的制造方法。为了解决上述课题，制成了下述锂离子二次电池用负极，其具有负极复合材料层，所述负极复合材料层至少包含：含有可吸藏锂的硅或锡的合金系材料(A)；碳粒子(B)；含有酰亚胺键的聚合物(C)；和多环芳香族化合物(D)，上述负极复合材料层中的上述含有酰亚胺键的聚合物(C)的量为3质量％以上且13质量％以下。
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公开(公告)号：CN107710465A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201680035155.6
申请日：2016-05-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明是一种非水电解质二次电池用负极活性物质，其具有负极活性物质颗粒，所述负极活性物质颗粒含有在表面具有碳被膜的硅化合物SiOx，其中，0.5≤x≤1.6，所述非水电解质二次电池用负极活性物质的特征在于，碳被膜在利用拉曼光谱分析所获得的拉曼光谱中，在拉曼位移为2600cm-1至2760cm-1的范围内具有G’频带峰，在拉曼位移为1500cm-1至1660cm-1的范围内具有G频带峰，并且，G’频带峰的强度IG’与G频带峰的强度IG满足0＜IG’/IG≤0.6。据此，本发明提供一种负极活性物质，其具有高容量维持率与初次效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107636868A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201680032039.9
申请日：2016-04-21
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明是一种非水电解质二次电池用负极活性物质，其具有负极活性物质颗粒，且所述负极活性物质颗粒具有包含锂化合物的硅化合物SiOx，其中，0.5≤x≤1.6，所述非水电解质二次电池用负极活性物质的特征在于，在硅化合物的至少一部分上形成有碳被膜，所述负极活性物质颗粒在硅化合物或是碳被膜的至少一部分表面、或在这双方的至少一部分表面，包含由具有硼-氟键的化合物和具有磷-氟键的化合物中的至少一种所构成的被膜，并且，相对于所述负极活性物质颗粒的总量，所述负极活性物质颗粒包含10质量ppm～10000质量ppm的范围内的硼元素或磷元素。由此，本发明提供一种非水电解质二次电池用负极活性物质，其能够使电池容量增加，且能够使循环特性、电池初始效率提高。
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公开(公告)号：CN106797026A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580053966.4
申请日：2015-07-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明是一种非水电解质二次电池用负极活性物质，其具有负极活性物质颗粒，所述负极活性物质颗粒含有硅化合物SiOx，其中，0.5≤x≤1.6，所述非水电解质二次电池用负极活性物质的特征在于，负极活性物质颗粒的至少一部分被由包含碳的物质构成的碳被膜覆盖，所述碳被膜的密度为1.2g/cm3以上且1.9g/cm3以下，并且，负极活性物质颗粒的根据使用氮气的吸附解吸等温线测定所获得的吸附解吸等温线具有IUPAC分类中的II类或III类的特征。由此，可以提供一种非水电解质二次电池用负极活性物质，其可以增加电池容量，并提升循环特性及电池初始效率。
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公开(公告)号：CN104979524A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510155655.0
申请日：2015-04-02
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01M4/13 , H01M4/134 , H01M4/133 , H01M4/62 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M4/485 , H01M4/136 , H01M4/364 , H01M4/366 , H01M4/483 , H01M4/5825 , H01M4/587 , H01M4/622 , H01M10/052 , H01M2004/021
Abstract: 本发明的目的在于提供一种负极电极及具有此负极电极的非水电解质二次电池，所述负极电极可以增加电池容量，提高循环特性及初始充放电特性。为了解决上述问题，本发明提供了一种非水电解质二次电池负极，其含有由二种以上的负极活性物质和粘合剂所组成的负极活性物质层，其特征在于，作为负极活性物质，含有硅系活性物质与碳系活性物质，所述硅系活性物质是由表层的至少一部分被碳酸锂覆盖的SiOx(满足0.5≤X≤1.6)所组成；作为粘合剂，含有羧甲基纤维素或其金属盐、聚丙烯酸或其金属盐、及苯乙烯丁二烯橡胶或聚偏二氟乙烯。
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公开(公告)号：CN102375326B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201110310117.6
申请日：2011-08-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种二元光掩模坯料和二元光掩模制造方法。本发明的二元光掩模坯料具有在透明衬底上的遮光膜，其包括衬底侧和表面侧的组成渐变层，具有35-60nm的厚度，并由包含过渡金属和N和/或O的硅基材料构成。衬底侧的组成渐变层具有10-58.5nm的厚度，并且N+O的含量在其下表面处为25-40原子％，在其上表面处为10-23原子％。表面侧的组成渐变层具有1.5-8nm的厚度，并且N+O的含量在其下表面处为10-45原子％，而在其上表面处为45-55原子％。
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公开(公告)号：CN102534502B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201110455404.6
申请日：2011-12-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01J37/3426 , C23C14/0676 , C23C14/14 , C23C14/3407 , C23C14/3414
Abstract: 本发明提供溅射膜形成用硅靶和形成含硅薄膜的方法。提供了一种溅射膜形成用硅靶，其使得能够在溅射膜形成期间通过抑制粉尘产生而形成高品质的含硅薄膜。n型硅靶材10和金属背衬板20通过结合层40而彼此附着。在所述硅靶材10在所述结合材料40侧的表面上设置有由功函数比所述硅靶材10小的材料制成的导电层30。即，所述硅靶材10通过所述导电层30和所述结合层40而附着至所述金属背衬板20。在单晶硅的情况下，n型硅的功函数通常为4.05eV。所述导电层30的材料的功函数需要小于4.05eV。
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