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公开(公告)号：CN110050352A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201680090581.X
申请日：2016-11-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L21/321 , H01L31/068 , H01L31/028 , H01L21/3105 , H01L21/02 , H01L31/0216 , H01L31/0224
Abstract: 本发明是一种太阳能电池的制造方法，其具有下列步骤：于半导体基板的第1主表面形成第1电极的步骤，及以覆盖前述第1电极的至少一部分的方式涂布绝缘膜前驱物的步骤，及使前述绝缘膜前驱物暂硬化的步骤，及于至少前述绝缘膜前驱物上，以与前述第1电极电绝缘的方式涂布导电性糊料的步骤，及使前述导电性糊料硬化来作为第2电极的步骤，以及使前述绝缘膜前驱物正式硬化来作为绝缘膜的步骤，将前述导电性糊料以与前述第1电极电绝缘的方式进行涂布的步骤在使前述绝缘膜前驱物暂硬化的步骤之后进行，使前述导电性糊料硬化来作为第2电极的步骤的至少一部分与使前述绝缘膜前驱物正式硬化来作为绝缘膜的步骤的至少一部分同时进行。由此，可提供生产性高、且具有高光电转换特性的太阳能电池的制造方法。
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公开(公告)号：CN109891599A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201680090321.2
申请日：2016-10-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068
Abstract: 本发明是一种太阳能电池，在有第一导电型的半导体基板的第一主表面，具有有前述第一导电型的基极层，及邻接在前述基极层、有与前述第一导电型相反的导电型即第二导电型的射极层，且具有与前述基极层电性地连接的基极电极、及与前述射极层电性地连接的射极电极的太阳能电池，其特征在于，在前述第一主表面上，具有接在前述基极层及前述射极层的介电体膜；具有被配置成覆盖前述射极电极，而且位于前述介电体膜上、至少在前述基极层上有间隙的第一绝缘膜；具有至少位于前述第一绝缘膜上的基极用汇流条电极；前述第一绝缘膜的间隙的距离为40μm以上(W+110)μm以下(但是，W为间隙方向的基极层的宽幅)。由此，可以抑制绝缘材料的消耗，而且使基极用汇流条电极与基极电极的电性接触保持良好，同时可以使基极用汇流条电极与射极领域因接触所造成的并联电阻降低轻微，且使太阳能电池特性提升。
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公开(公告)号：CN118234889A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202280074162.2
申请日：2022-10-21
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明为一种衬底基板的制造方法，其为用于单晶金刚石层叠基板的衬底基板的制造方法，所述制造方法的特征在于，具有：准备初始基板的工序；及在所述初始基板上形成由至少包含单晶Ir膜或单晶MgO膜的单层或层叠膜构成的中间层的工序，所述制造方法中，采用雾化CVD法形成构成所述中间层的单晶Ir膜或单晶MgO膜。由此，可提供一种衬底基板的制造方法，其能够使适合于电气·磁力设备，具有大面积(大口径)、高结晶性且凸起、异常生长颗粒、位错缺陷等较少、高纯度且低应力的高品质的单晶金刚石层制膜。
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公开(公告)号：CN117352591A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311395462.3
申请日：2016-10-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/0224 , H01L31/0216
Abstract: 本发明是太阳能电池的制造方法，具有：在具有第一导电型的半导体基板的两主表面形成凹凸的步骤，在半导体基板的第一主表面，形成射极层的步骤，在射极层上形成扩散屏蔽的步骤，将扩散屏蔽图案状地除去的步骤，在除去扩散屏蔽的部位，形成基底层的步骤，除去残存的扩散屏蔽的步骤，于第一主表面上形成介电体膜的步骤，于基底层上形成基底电极的步骤，以及在前述射极层上形成射极电极的步骤。由此，提供削减工序数目同时呈现高的光电变换效率的太阳能电池的制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116056804A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202180057959.7
申请日：2021-07-09
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 桥上洋
IPC: B05D1/00
Abstract: 本发明提供一种制膜用雾化装置，其利用超声波对原料液体进行雾化而生成原料雾，其特征在于，具备：原料容器，其收纳所述原料液体；传播槽，其收纳作为用于向所述原料液体传播所述超声波的介质的中间液；支撑机构，其支撑所述原料容器以使得该原料容器的至少一部分位于所述中间液中；循环机构，其使所述中间液循环；超声波产生器，其产生所述超声波，并施加于所述传播槽；以及脱气机构，其向所述制膜用雾化装置的系统外排出所述中间液中的气体。由此，能够提供一种制膜用雾化装置，其能够持续高效地进行原料液体的雾化。
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公开(公告)号：CN110800114B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201880043093.2
申请日：2018-05-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种背面电极型太阳能电池，其在结晶硅基板的第一主表面上具备具有p型导电类型的p型区域与具有n型导电类型的n型区域，并具备形成在p型区域上的正电极与形成在n型区域上的负电极，其特征在于，正电极由形成在p型区域上且含有III族元素的第一导电体、与层叠在第一导电体上且III族元素的含有比例低于第一导电体的第二导电体的层叠导电体构成，负电极由形成在n型区域上的第二导电体构成。由此，可提供一种光电转换效率高且廉价的背面电极型太阳能电池。
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公开(公告)号：CN115911081A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211156828.7
申请日：2022-09-22
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种层叠结构体、半导体装置及结晶性氧化物膜的成膜方法。一种层叠结构体，其为至少包括基底基板及以氧化镓为主成分的结晶性氧化物膜的层叠结构体，且所述层叠结构体的所述结晶性氧化物膜侧的面中波长400nm～800nm的光的反射率的平均值为16％以上。由此，可提供一种具有以氧化镓为主成分的结晶性氧化物膜的层叠结构体，所述结晶性氧化物膜的结晶缺陷显著少、结晶性优异且在应用于半导体装置时半导体特性优异。
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公开(公告)号：CN110024136B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN201680091244.2
申请日：2016-12-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0224
Abstract: 本发明是一种太阳能电池胞，其特征为在半导体基板的第一主表面上具有指状电极，以至少前述指状电极的表面不露出的方式以包含绝缘材料的材料包覆，前述包含绝缘材料的材料是不会加水分解者或是在加水分解时不会产生羧酸者。由此，提供即便使用EVA，也抑制随时间经过的光电变换效率的降低的太阳能电池胞以及使用其的太阳能电池模块。
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公开(公告)号：CN110785856B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN201880042175.5
申请日：2018-04-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种能够提高光电转换效率的太阳能电池的制造方法。本发明为一种太阳能电池的制造方法，其包括：在硅半导体基板上形成pn结的工序、在硅半导体基板的至少一个主表面上制膜氧化铝膜的工序，所述太阳能电池的制造方法的特征在于，在制膜氧化铝膜的工序之前，包括在每1立方米的水蒸气量为20g以上、温度为60℃以上100℃以下的气氛下，对硅半导体基板进行加热处理的工序。由此，可提供一种能够提高光电转换效率的太阳能电池的制造方法。
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