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公开(公告)号：CN102148944A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201110121580.6
申请日：2009-03-13
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 篠原真人
CPC classification number: H04N5/217 , H04N5/3577 , H04N5/3742 , H04N5/378
Abstract: 本发明涉及一种固态图像拾取装置，所述固态图像拾取装置包括电压供给电路，所述电压供给电路被配置为向为垂直输出线和列信号处理电路设置的负载MOS晶体管供给电压。电压供给电路包括第一放大器电路以及采样和保持电路，所述第一放大器电路被配置为放大从电压发生器供给到所述第一放大器电路的输入部分的预定电压，并将放大的电压输出到电压供给布线，所述采样和保持电路包括设置在电压发生器和输入部分之间的路径上的采样开关，以及被配置为保持由采样开关采样的电压的保持电容器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101809745A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200980100501.4
申请日：2009-02-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14641
Abstract: 本发明提供一种固态图像拾取装置，该固态图像拾取装置包括其中沿水平和垂直方向二维配置分别至少具有光电转换单元和用于放大和输出光电转换单元的信号的放大晶体管的像素的像素区域，其中，沿着水平和垂直方向的像素边界曲折的同时沿垂直方向延伸的电源布线被配置在像素区域中沿水平方向相互邻接的两条像素线中的一条上，并且，电源布线与两条像素线中的每一条上的放大晶体管的源极和漏极中的一个连接。因此，能够提供一条线间隔处的灵敏度的差异小的高灵敏度和高图像质量的放大固态图像拾取装置。
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公开(公告)号：CN101232034B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810080851.6
申请日：2004-08-05
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 篠原真人
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14609
Abstract: 本发明提供一种固体摄像装置和照相机，与以往的放大型固体摄像装置相比较，低噪声、高增益而且高灵敏度，该固体摄像装置排列了多个像素，每个像素至少包括：光电二极管，用于存储由入射光产生的信号电荷；和放大用MOS晶体管，在栅极电极接受该信号电荷，放大该信号电荷并输出放大后的信号，其中：该放大用MOS晶体管具有第1导电类型的源以及漏，该源以及漏形成在与该放大用MOS晶体管的源以及漏相同导电类型的第一半导体区中，该第一半导体区中的杂质浓度比该源以及漏低，与该第1导电类型相反的第2导电类型的第2半导体区至少形成在该放大用MOS晶体管的栅极的下部。
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公开(公告)号：CN101534397A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910126500.9
申请日：2009-03-13
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 篠原真人
IPC: H04N5/335 , H04N3/15 , H01L27/146
CPC classification number: H04N5/217 , H04N5/3577 , H04N5/3742 , H04N5/378
Abstract: 本发明涉及一种固态图像拾取装置，所述固态图像拾取装置包括电压供给电路，所述电压供给电路被配置为向为垂直输出线和列信号处理电路设置的负载MOS晶体管供给电压。电压供给电路包括第一放大器电路以及采样和保持电路，所述第一放大器电路被配置为放大从电压发生器供给到所述第一放大器电路的输入部分的预定电压，并将放大的电压输出到电压供给布线，所述采样和保持电路包括设置在电压发生器和输入部分之间的路径上的采样开关，以及被配置为保持由采样开关采样的电压的保持电容器。
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公开(公告)号：CN101232034A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200810080851.6
申请日：2004-08-05
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 篠原真人
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14609
Abstract: 本发明提供一种固体摄像装置和照相机，与以往的放大型固体摄像装置相比较，低噪声、高增益而且高灵敏度，该固体摄像装置排列了多个像素，每个像素至少包括：光电二极管，用于存储由入射光产生的信号电荷；和放大用MOS晶体管，在栅极电极接受该信号电荷，放大该信号电荷并输出放大后的信号，其中：该放大用MOS晶体管具有第1导电类型的源以及漏，该源以及漏形成在与该放大用MOS晶体管的源以及漏相同导电类型的第一半导体区中，该第一半导体区中的杂质浓度比该源以及漏低，与该第1导电类型相反的第2导电类型的第2半导体区至少形成在该放大用MOS晶体管的栅极的下部。
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公开(公告)号：CN1585133A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN200410056239.7
申请日：2004-08-05
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 篠原真人
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14609
Abstract: 本发明提供与以往的放大型固体摄像装置相比较，低噪声、高增益而且高灵敏度的放大型固体摄像装置，该固体摄像装置配置多个单位像素，单位像素至少具备用于存储通过入射光发生的信号电荷的光电二极管和在控制电极接受该光电二极管的信号电荷输出放大了的信号的放大用MOS晶体管，在与该放大用MOS晶体管具有的第1导电类型的源以及漏相同导电类型的杂质浓度低的第1半导体层中形成该放大用MOS晶体管，在位于该放大用MOS晶体管的至少栅极的下部，而且比该源、漏更深的位置形成与第1导电类型相反的第2导电类型的第2半导体层。
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