公开(公告)号：CN101617408A

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200880005310.5

申请日：2008-02-18

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 佐野政史 ,  林享

IPC: H01L29/786

Abstract: 在其中要在基板1上形成栅电极4的薄膜晶体管的制造方法中，该方法具有以下步骤：在基板1上形成栅电极4；以覆盖所述栅电极4的方式形成金属氧化物层7；形成源电极6和漏电极5；以及在惰性气体中实施退火，以将金属氧化物层7的一部分变成沟道区域。

公开(公告)号：CN101038729A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200710086340.0

申请日：2007-03-13

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 安部胜美 ,  云见日出也 ,  林享 ,  佐野政史

IPC: G09G3/32 ,  G09G3/30 ,  G09G3/20 ,  H05B33/08 ,  H05B33/14 ,  H05B37/02 ,  G09F9/33

CPC classification number: G09G3/325 ,  G09G2300/0819 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0861 ,  G09G2320/043

Abstract: 提供了利用晶体管的磁滞特性驱动显示元件的像素电路和图像显示装置。该像素电路包括：提供分别从关状态过渡到开状态时和从开状态过渡到关状态时栅极电压值与漏极电流值之间的不同的第一和第二关系的晶体管；被提供有由晶体管控制的电流作为驱动电流的显示元件；及连接到晶体管栅极的电容器元件。第一和第二关系中的一个在用于设置要提供给显示元件的驱动电流的第一期间中使用。而第一和第二关系中的另一个在向显示元件提供驱动电流以进行发光的第二期间中使用。