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公开(公告)号：CN108666358A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201710196517.6
申请日：2017-03-29
Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/16 , H01L29/267
Abstract: 本发明涉及一种过渡金属硫属化合物与氮化硼或石墨烯异质结的制备方法，包括：1)真空环境下，在过渡金属衬底上生长氮化硼或石墨烯；2)利用物理气相沉积的方法将硒沉积到氮化硼或石墨烯表面上；3)退火处理使得表面硒插层到氮化硼或石墨烯结构以下并与金属衬底表面反应形成层状过渡金属硫属化合物；4)最终形成氮化硼(或石墨烯)/过渡金属硫属化合物的异质结构。这种自上而下的两维材料异质结制备方法，简单易行，结构易于控制，可以扩展到其他的硫属元素，并适用于所有过渡金属硫属化合物与氮化硼或石墨烯异质结的制备，为后续电子器件的制备和研究奠定了良好的基础。
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公开(公告)号：CN108658122A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201710201436.0
申请日：2017-03-30
Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所
IPC: C01G23/00
Abstract: 本发明公开了一种二维金属碳氮化物衍生纳米材料及其制备方法，该衍生纳米材料的化学组成可表示为AMO，所述A为碱金属，M为MXene前驱体中过渡金属元素，O为氧元素，具有海胆形微球、多孔网络结构或纳米线微球结构，其基本结构单元为超薄纳米带或超细纳米线。其制备方法为：采用刻蚀剂处理密实层状三元金属碳化物(MAX相)材料制得手风琴状二维MXene，然后对手风琴状MXene材料进行氧化和碱化处理，从而得到不同纳米结构的衍生材料。本发明方法通过采用特殊的层状MXene作为前驱体，可调控制备具有多种独特纳米结构的衍生材料，本方法简单易行，可制备其它方法难以实现的纳米结构，在电化学储能、催化和吸附等领域有着重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN108187712A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201611120325.9
申请日：2016-12-08
Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种非金属催化剂及其制备方法和在乙炔氢氯化法制备氯乙烯中的应用，以及催化剂再生方法。该催化剂为结构稳定的多孔氮化硼，主要由硼，氮元素以原子比1:1-1:1.5左右构成，掺杂有少量碳，氧，氢元素，不含金属。该催化剂在乙炔氢氯化反应条件中可在较大温度范围和较高氯化氢/乙炔比例(1.4:1)下使用。催化剂稳定性高，在高空速条件运行下仍然保持高转化率和选择性，以及良好稳定性，且可以通过一步空气焙烧、氨气或氢气等还原性气体处理方法得到再生，综合评价具有优异催化性能，具有较好的替代当前汞基催化剂的工业前景。
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公开(公告)号：CN108122685A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201611061170.6
申请日：2016-11-26
Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所
Abstract: 本发明公布了一种喷墨打印制备出的堆叠型超级电容器及其制备方法，该电容器为堆叠型超级电容器，在一基底上，依次集成第一层电极薄膜/第二层隔膜/第三层电极薄膜/固体电解液的任意形状堆叠型超级电容器；其制备方法包括以下步骤：(1)喷墨打印电极浆料的制备，(2)氧化石墨烯隔膜浆料的制备，(3)堆叠型超级电容器的制备。本发明所制造的任意形状堆叠型超级电容器能实现形状可控和大规模生产，能够有效与不同种类柔性化、便携化、可穿戴电子器件兼容集成，具有广泛的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN108122682A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201611057486.8
申请日：2016-11-26
Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所
Abstract: 本发明公布了一种同一基底上任意形状堆叠型超级电容器及其制备方法，该电容器为在一基底上，依次集成第一层电极薄膜/第二层隔膜/第三层电极薄膜/固体电解液的任意形状堆叠型超级电容器。其制备方法为在同一基底上喷涂制造具有任意形状的下电极薄膜层，然后在下电极薄膜上喷涂制造氧化石墨烯隔膜层，再在隔膜层上制造上电极薄膜层，得到具有堆叠结构的超级电容器。本发明所制造的任意形状堆叠型超级电容器能实现形状可控和大规模生产，能够有效与不同种类柔性化、便携化、可穿戴电子器件兼容集成，具有广泛的市场应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108074752A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201611039386.2
申请日：2016-11-10
Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所
IPC: H01G11/84
Abstract: 本发明提供一种光还原法制备石墨烯基平面化微型超级电容器的方法，属平面化微型超级电容器的制备技术领域。该方法为：(1)以氧化石墨烯和光催化剂为原料，利用多种薄膜电极加工方法将原料制备成薄膜电极；(2)在薄膜电极上覆盖上自制的掩模板，利用一定强度的光对氧化石墨烯进行还原和微电极图案化的加工；(3)通过蒸镀的方法在石墨烯电极表面镀上一层集流体；(4)取下掩模板，在电极表面涂上合适的电解质，从而得到高性能、平面化微型超级电容器。该技术具有工艺简单、便于控制、加工成本低、效率高、可大规模生产的优点，可广泛的应用于微机电系统、微型机器人、植入式医疗设备等微纳器件领域，为微纳电子设备的发展奠定了基础。
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公开(公告)号：CN107973678A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201610920914.9
申请日：2016-10-21
Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所
CPC classification number: Y02P20/52 , Y02P30/42 , C07C1/20 , B01J31/0244 , C07C2529/18 , C07C2531/02 , C07C11/04 , C07C11/06
Abstract: 本发明涉及一种用于甲醇制烯烃反应生产低碳烯烃的方法，其采用经过吡啶类有机胺吸附的氢型丝光沸石作为反应催化剂，进行甲醇制烯烃生产低碳烯烃的过程中，氢型丝光沸石中吡啶类有机胺的吸附量是0.01-2.2mmol/g丝光沸石。
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公开(公告)号：CN107673395A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201610621897.9
申请日：2016-08-02
Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所
CPC classification number: C01G3/12 , C01G15/00 , C01P2002/72 , C01P2004/82
Abstract: 本发明公开了一种硫化铟掺杂硫化亚铜的热电材料及制备方法，通式为Cu2S-xIn2S3其中x为硫化铟占硫化亚铜的摩尔百分数，制备方法包括手动研磨和放电等离子烧结两个步骤，具体操作过程如下：首先称取一定质量的硫化亚铜和与之对应摩尔百分含量的硫化铟，将两者充分混合并用玛瑙研钵研磨30-60min，最后利用放电等离子体烧结技术(SPS)一步完成烧结、掺杂和材料制备过程，并得到致密的块状热电材料。本发明涉及的制备方法简单、快速、高效，且显著提高了硫化亚铜的功率因子。本发明由于功率因子的显著提高，硫化亚铜的热电性能最终也得到了显著提高。另外，通过引入硫化铟，硫化亚铜在高温处的相变得到抑制，这有益于此材料的实际应用。
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公开(公告)号：CN104709892B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201310676237.7
申请日：2013-12-11
Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所
IPC: C01B32/168 , C01G39/06
Abstract: 本发明公开了一种可控制备单层和少层硫化钼的方法。具体地说，该方法是一种基于溶剂热的方法，利用钼基化合物的水溶液与含硫化合物在低温下直接反应生成目标产物。所制备的硫化钼具有规整的二维层状结构，且层数为单层或少层。本方法具有简单，易于操作和控制的特点。
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公开(公告)号：CN105598443B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201410658758.4
申请日：2014-11-18
Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种杂原子掺杂的碳封装金属纳米颗粒的制备方法。具体地说，该方法首先将金属阳离子盐填充到介孔材料或分子筛的孔道中，然后在一定条件下利用含碳前驱体和含杂原子前驱体热处理上述样品，并采用酸溶液除掉未被封装的残余金属和介孔材料或分子筛，即得到目标产物。该方法所制备的材料中封装金属纳米颗粒的碳层石墨化程度高，且主要为单层结构，碳封装的金属纳米颗粒为单质态或合金态，颗粒尺寸分布均一且可根据介孔材料或分子筛的孔道进行调控。所掺入的杂原子种类和含量易于调变。本方法是一种制备杂原子掺杂的碳封装一元、二元或多元金属纳米颗粒的普适方法，具有简单，易于操作的特点。
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