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公开(公告)号：CN107304043A
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201610239283.4
申请日：2016-04-18
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C01B21/06
CPC classification number: C01B21/0617 , C01B21/062 , C01B21/0632 , C01P2002/72 , C01P2004/03
Abstract: 本发明涉及一种二元过渡金属氮化物的制备方法，以过渡金属单质为金属原料，以NH4Cl或NH4F作为氮化原料，于真空的密闭容器中进行氮化反应，制备二元过渡金属氮化物，所述过渡金属元素单质为V、Nb、Ta、Cr、Mo和W中的一种。在本发明中氮化原料的使用量仅仅是金属原料的物质的量的105~130%，远远少于其他常规氮化方法中NH3的消耗，按照常规方法氮化时需要一直保持给反应设备提供NH3流通长达几十个小时左右，而NH3泄露或意外用尽时会有爆炸的危险，所以本发明耗时更短、更安全。
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公开(公告)号：CN106882926A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201510941214.3
申请日：2015-12-15
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 康宁股份有限公司
CPC classification number: C03C17/22 , C01B32/186 , C01B32/198 , C03C2217/28 , C03C2217/40 , C03C2217/70 , C03C2218/111 , C03C2218/153 , C23C16/26 , C23C16/50 , C03C17/006
Abstract: 本发明涉及制备石墨烯透明导电薄膜的方法，提供了一种制备石墨烯透明导电薄膜的方法，该方法包括以下步骤：(i)在衬底表面生长一层石墨烯微晶；(ii)在所得的附着有石墨烯微晶的衬底表面涂布一层氧化石墨烯薄膜；以及(iii)将所得的表面修饰有氧化石墨烯和石墨烯微晶的衬底中的氧化石墨烯进行还原和修复，同时诱导石墨烯在石墨烯微晶上生长，得到石墨烯透明导电薄膜。
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公开(公告)号：CN106467300A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201510496080.9
申请日：2015-08-13
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C01B32/186 , B82Y40/00 , H01G11/36
Abstract: 本发明涉及微孔-介孔-大孔多级结构的三维石墨烯材料及其制备方法和应用，所述三维石墨烯材料具有包括微孔、介孔和大孔的多级结构，石墨烯层数为1～10原子层，所述三维石墨烯材料的比表面积为500～3500m2/g，电导率为10～300S/cm，所述的三维石墨烯材料在宏观上为块体材料。本发明的微孔-介孔-大孔多级结构的三维石墨烯材料具有低成本、高导电（电导率为10～300S/cm）、大比表面积（500～3500m2/g）的优点。
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公开(公告)号：CN104973590B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201410145737.2
申请日：2014-04-11
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明涉及一种氧化石墨烯分散高质量石墨粉、石墨烯，制备高导热、高导电薄膜的方法，包括：将石墨粉和/或石墨烯加入规定的有机溶液中，超声分散规定时间得到第一分散液；将规定量的氧化石墨溶液加入第一分散液，搅拌均匀得到第二分散液，其中在第二分散液中氧化石墨烯与石墨粉和石墨烯的质量比为1:2～1:100；将规定量的含苯环大分子有机物加入第二分散液，搅拌均匀形成第三分散液，其中，在第三分散液中苯环大分子有机物与氧化石墨烯的质量比为1:1～1:10；将第三分散液抽滤成膜、干燥制得前驱体薄膜；将前驱体薄膜用辊压机以规定的压力碾压后在1000～3000℃高温碳化处理时间30～600分钟制得高导热、高导电薄膜。
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公开(公告)号：CN106277050A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510283816.4
申请日：2015-05-28
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C01G29/00
Abstract: 本发明提供一种新型吸光材料及其制备方法，所述吸光材料是化学式为Bi9O7.5S6的单相化合物，所述吸光材料具有层状结构，其结构为[BiS2-]层及[Bi2O22+]层沿[001]方向交替堆积而成，其中Bi为+3价，O为-2价，S为-2价。本发明的吸光材料Bi9O7.5S6是一种稳定的具有良好光吸收性能的新型层状化合物，其具有优越的光吸收性能，良好的光电转换效率，具有光电转换领域具有广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104140083B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201410362616.3
申请日：2014-07-28
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C01B19/00 , C04B35/547 , H01B12/00
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 本发明涉及一种Sr4Bi6Se13基超导材料及其制备方法，所述Sr4Bi6Se13基超导材料在Sr位具有空穴和/或掺杂第一掺杂元素A、和/或在Bi位富Bi和/或掺杂第二掺杂元素Sb、和/或在Se位具有空穴以使其具有超导电性，所述Sr4Bi6Se13基超导材料组成化学式为Sr4-xAaBi6+ySbbSe13-z。
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公开(公告)号：CN104973589A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201410145144.6
申请日：2014-04-11
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明涉及一种两步法生长的高密度、高导电、高导热性的石墨烯材料及其制备方法，所述石墨烯材料通过两步化学气相沉淀法得到，石墨烯层数控制在1-2000层；所述石墨烯材料具有微观三维联通多孔结构。
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公开(公告)号：CN103693691B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201310713533.X
申请日：2013-12-20
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C01G31/02
Abstract: 本发明涉及一种双温区还原法制备二氧化钒的方法，所述方法包括：将五氧化二钒和高活性金属隔开一定距离地置于具有负压的密闭系统中，分别将所述五氧化二钒和高活性金属加热至不同的温度热处理规定的时间，以使所述密闭系统的中的氧分压低于五氧化二钒的平衡氧分压从而所述五氧化二钒被还原而得到二氧化钒；其中，将所述高活性金属加热至第一温度，将所述五氧化二钒加热至低于所述第一温度的第二温度，受热的高活性金属与所述密闭系统的中氧气反应从而降低所述密闭系统的氧分压进而使所述密闭系统的氧分压低于五氧化二钒的平衡氧分压。本发明得到的二氧化钒晶相和粒径可控，形貌可与前驱物五氧化二钒前驱物维持一致或接近。
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公开(公告)号：CN103130218B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201310097659.9
申请日：2013-03-25
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 常州盘石水泥有限公司
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯的制备方法，包括：将石墨烯前驱体和胺基化合物混合均匀，球磨8～20小时得到混合均匀的石墨烯与胺基化合物混合粉末，其中球磨中利用胺基化合物将石墨前驱体剥离得到石墨烯，所述石墨前驱体与胺基化合物的质量比为1：（1～10）；将所述石墨烯与胺基化合物混合粉末分散溶剂，以将胺基化合物溶解；过滤，采用所述溶剂洗涤滤饼得石墨烯湿粉；以及将所述石墨烯湿粉置于真空干燥箱中于60～120℃，烘干5～12小时，制得石墨烯干粉。本发明利用石墨为制备石墨烯的前驱体，在球磨过程中利用胺基化合物将膨胀石墨剥离得到石墨烯，制备方法工艺简单，过程易控制，可用于宏量制备石墨烯，制得的石墨烯材料缺陷少，导电性能优异。
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公开(公告)号：CN103214032B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201310153657.7
申请日：2013-04-28
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C01G23/047
Abstract: 本发明涉及一种氢等离子体辅助氢化制备黑色二氧化钛的方法，所述方法包括：将二氧化钛置于密闭系统，抽真空使所述密闭系统的压力小于30Pa；向所述密闭系统通入氢气和氩气的混合气氛；加热所述二氧化钛，调节所述混合气氛的流量以使所述密闭系统中的压力为50～500pa；开启射频电源以产生活性氢等离子体处理所述二氧化钛规定的时间，其中利用所述射频电源电离氢气分子以产生活性氢等离子体用于还原所述二氧化钛而得到黑色二氧化钛。
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